Matsunami, Hiroyuki, 1939-....
![Sudoc [ABES], France](/viaf/images/flags/SUDOC.png "Sudoc [ABES], France")
松波, 弘之, 1939-
마쓰나미 히로유키 1939-
松波弘之
松波, 弘之
Matsunami, H. (Hiroyuki), 1939-
VIAF ID: 167212275 (Personal)
Permalink: http://viaf.org/viaf/167212275
Preferred Forms
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100 1 _ ‡a Matsunami, H. ‡q (Hiroyuki), ‡d 1939-
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100 1 _ ‡a Matsunami, Hiroyuki ‡d (1939- ).
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Matsunami, Hiroyuki,
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Matsunami, Hiroyuki,
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1939-....
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松波, 弘之
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松波, 弘之
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松波, 弘之,
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松波弘之
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마쓰나미 히로유키
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1939-
4xx's: Alternate Name Forms (21)
Works
| Title | Sources |
|---|---|
| Handōtai kōgaku |
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| Handōtai SiC gijutsu to ōyō |
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| Handōtai zairyō to debaisu |
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| Silicon carbide : a review of fundamental questions and applications to current device technology. |
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| Silicon carbide : recent major advances |
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| Silicon carbide / W. J. Choyke, H. Matsunami, G. Pensl (eds.). - Berlin, cop. 2004. |
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| A study for the electrical characterization of B-doped 6H-SiC epitaxial layers grown by step-controlled epitaxy |
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| Toranjisuta kairo. |
|
| アモルファス半導体超構造におけるキャリアのダイナミックスの研究 |
|
| トランジスタ回路 |
|
| パワーデバイス用SiC半導体材料の現状、課題と展望 |
|
| レーザ光励起表面反応過程のミクロ解析と原子層エピタキシーへの応用 |
|
| ワイドギャップ半導体SiCの高純度単結晶成長とパワーデバイスへの応用 |
|
| ワイドギャップ半導体の物性制御と機能融合デバイスの創発 : ワイドギャップ半導体界面物性制御と新機能創製 |
|
| ワイドギャップ半導体の電子物性制御とエネルギーエレクトロニクスへの展開 |
|
| 半導体SiC技術と応用 |
|
| 半導体工学 |
|
| 半導体材料とデバイス |
|
| 原子ステップ制御エピタキシーによる高輝度SiC青色発光ダイオードの開発 |
|
| 原子ステップ制御エピタキシー法によるSiC純正結晶製作とパワーデバイスへの応用 |
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