Nishinaga, T.
西永, 頌
Nishinaga, Tatau
Nishinaga, Tatau (1939- ).
Nishinaga, T. (Tatau)
VIAF ID: 270375633 (Personal)
Permalink: http://viaf.org/viaf/270375633
Preferred Forms
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- 100 1 0 ‡a Nishinaga, T.
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- 100 1 _ ‡a Nishinaga, T.
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- 100 1 _ ‡a Nishinaga, Tatau
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- 100 1 _ ‡a 西永, 頌
4xx's: Alternate Name Forms (5)
Works
Title | Sources |
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Atomic scale mechanisms of epitaxial growth : proceedings of the US-Japan Joint Seminar on Atomic Scale Mechanisms of Epitaxial Growth, Honolulu, Hawaii, May 10-12, 1995 | |
Basic techniques | |
Growth mechanisms and dynamics | |
Handbook of crystal growth. | |
ISCSI-3 : proceedings of the Third International Symposium on the Control of Semiconductor Interfaces, Karuizawa, Japan, October 25 - 29, 1999 | |
Materials, processes, and technology | |
Si基板上のInP横方向成長と長波長レーザーダイオードの試作 | |
SOI結晶の高品質化に関する新技術の開発 | |
Thermodynamics and kinetics | |
Transport and stability | |
エピタキシャル成長の量子論と構造のダイナミクス | |
シリーズ : 結晶成長のダイナミクス | |
ナノ構造エピタキシにおける面間拡散に関する研究 | |
マイクロチャンネルエピタキシを用いたSi上無転位GaAsの成長とレーザーの試作 | |
ルミネッセンス像を用いたマクロステップ形成機構に関する研究 | |
原子レベルでの結晶成長機構に関する研究 | |
聖書の学びから | |
微小重力下での無容器成長による高品質半導体の結晶成長 | |
微小重力下で成長させた半導体結晶の結晶性と局所不純物偏析の評価 | |
結晶成長の基礎 | |
格子定数差の大きいヘテロエピタキシーにおける無転位結晶成長技術の開発 | |
電子デバイスプロセス | |
電子物性工学の基礎 | |
金属間化合物/半導体ヘテロ構造の分子線エピタキシー成長とその電子物性 |