Gontrand, Christian, 1955-....
Gontrand, Christian
Christian Gontrand Francouzský odborník v oblasti elektroniky se zaměřením na elektronická zařízení, transportní jevy, elektrické obvody 2D a 3D. Působí v Institut National des Sciences Appliquées de Lyon při univerzitě. Publikace v oboru.
VIAF ID: 61623127 ( Personal )
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- 100 0 _ ‡a Christian Gontrand ‡c Francouzský odborník v oblasti elektroniky se zaměřením na elektronická zařízení, transportní jevy, elektrické obvody 2D a 3D. Působí v Institut National des Sciences Appliquées de Lyon při univerzitě. Publikace v oboru.
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Works
Title | Sources |
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Analog devices and circuits 2 : analog circuits | |
Analysis and characterization of substrate and connection couplings in 3D circuits : Towards compact models. | |
Bruit d'Alimentation et Couplage par le Substrat dans les Circuits Mixtes = ecision support for pooled human resource staffing and scheduling in healthcare | |
Contribution à la conception de systèmes de radiocommunications : de la modélisation de transistors bipolaires à l'évaluation des performances du système d'émission-réception = ontribution to the radio communication system design : from the Bi polar Transistors modelling to the transmitter-receiver system performance evaluation | |
Contribution à l'étude de phénomènes de transport électroniques dans l'arséniure de gallium de type n | |
Contribution to the integration of control algorithms of electrical AC machines. | |
Designing smart power integrated circuits with LDMOS devices compatible standard BiCMOS technology : substrate coupling, anglais | |
Digital Communication Techniques | |
Electromagnetism : Links to Special Relativity | |
Etude analytique des performances des systèmes radio-mobiles en présence d'évanouissements et d'effet de masque = Analytical performances of mobile telecommunication systems consldering fading and shadowing environments | |
Etude de la faisabilité d'un circuit intégré destine au traitement de signaux fournis par les vide capteurs monolithiques à transfert de charges utilisant des filtres couleur en mosaïques = ASIC for CCD CFA video sensor signal processing | |
Etude et caractérisation d'un capteur en silicium amorphe hydrogéné déposé sur circuit intégré pour la détection de particules et de rayonnements = Performance and limitations of a Hydrogenated amorphous silicon sensor deposited on integrated circuit for particle detection | |
Etude et modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction SiGe : application à la conception d'oscillateurs radiofréquences intégrés = haracterization and modelling of silicon-germanium heterojunction bipolar transistors (HBT) : Application to integrated radio frequency oscillators design | |
Etude technologique de bicouches polysilicium sur silicium monocristallin destinées à la fabrication de transistors bipolaires submicroniques = Technological study of polysilicon on monocrystallin silicon bilayers destined for submicronic bipolar transistors | |
First order Electro-thermal compact models and noise considerations for three-dimensional integration circuits. | |
Impact du bruit substrat sur les oscillateurs contrôlés en tension à 4.5 GHz, intégrés en technologie BiCMOS 0.35 µm Impact of the substrate noise on a 4.5 GHz voltage controlled oscillator integrated in BiCMOS 0.35 micrometer technology | |
Intégration monolithique d'amplificateurs de puissance multi-bandes à fort rendement pour applications cellulaires = nolithic integration of high efficiency multi-band power amplifier for handset applications | |
Micro-nanoelectronics devices : modeling of diffusion and operation processes | |
Modèles compacts électro-thermiques du premier ordre et considération de bruit pour les circuits 3D | |
Modélisation de transistors a homo et hétéro-jonctions, compatibles avec une filière submicronique : influence de phénomènes quantiques = omo and hetero-junctions transistor modeling compatible with a submicronic cmos technology : influence of quantum effects | |
Power and ground bounces and substrate noise in mixed signal circuits, anglais | |
Power, thermal, noise, and signal integrity issues on substrate / interconnects entanglement | |
Proposition d’une nouvelle approche pour l’optimisation d’une microsonde RMN implantable pour l’application in vivo : modèle de la Maladie d’Alzheimer. | |
Réalisation de structures haute tension a partir d'un procédé ASIC CMOS 0,7 micron = ealization of high voltage structures from a 0.7 micron CMOS ASIC | |
Simulation d'un détecteur CdTe:CI de rayonnement X en mode comptage à fort flux pour la radiothérapie et la tomographie = Simulation of an X-ray CdTe:CL detector in counting mode at high flows for radiography and tomography | |
Systèmes de communication : modulations numériques |