Grandjean, Nikolaj
Grandjean, Nicolas, 1967-....
![Sudoc [ABES], France](/viaf/images/flags/SUDOC.png "Sudoc [ABES], France")
Nicolas Grandjean physicien français
Nicolas Grandjean
VIAF ID: 217275243 (Personal)
Permalink: http://viaf.org/viaf/217275243
Preferred Forms
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Nicolas Grandjean
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physicien français
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Grandjean
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N* Grandjean
Works
| Title | Sources |
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| Ancient pleasures |
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| Beach house 2006 |
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| Bodywork VIII |
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| Buddha-Bar VI |
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| Café zen |
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| Cantoma |
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| Careless whisper, vol. 5 |
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| Chill out in Paris 5 |
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| Cirkus Summarum 2012 |
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| Contribution to the optimization of electroluminescence efficiency in high power LEDs : decorrelation of different components of the efficiency. |
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| Dancechart, best of 2002 |
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| Dancechart, volume 04 |
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| Defect engineering applied to the development of high quality heteroepitaxial semipolar GaN for optoelectronic applications. |
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| Design, fabrication and characterization of a hybrid III-V on silicon transmitter for high-speed communications |
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| Development and understanding of III-N layers for the improvement of high power transistors |
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| Développement et compréhension des couches III-N pour l'amélioration des transistors de haute puissance. |
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| Disorder-induced localization effects in nitride semiconductor compounds and devices |
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| Divine |
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| Dobbeltsyn |
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| Effets de localisation induite par le désordre dans les composés et dispositifs en nitrures semi-conducteurs. |
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| Electrical, optical, and electro-optical properties of GaN microwires for the fabrication of LEDs. |
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| Es Vive/Base Bar Ibiza 2005 |
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| Étude et conception d'un nouveau système de confinement pour le VCSEL GaSb émettant dans le moyen-infrarouge |
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| Etude et optimisation de l'étape de passivation des µLED bleues GaN-InGaN |
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| Fabrication of GaN nanowire-based light emitting diodes. |
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| Fragments from a space cadet |
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| Gallium Nitride (GaN) plasma etch for high efficiency µLED applications. |
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| Gravure Plasma du Nitrure de Gallium pour la réalisation de micro LEDs à hautes performances |
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| Guaratiba |
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| Heaven's on fire |
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| Hr. Skægs ABC |
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| In incorporation improvement in InGaN based active region using InGaN pseudo substrate for monolithic white LED application. |
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| Ingénierie des défauts cristallins pour l'obtention de GaN semi-polaire hétéroépitaxié de haute qualité en vue d'applications optoélectroniques |
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| Interaction between a quantum dot and its environnement : resonant excitation to study decoherence processes. |
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| Intersubband devices based on III-nitrides from near infrared to THz. |
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| Left to right |
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| Luftkastellet 4 |
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| Luke |
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| Masser af Skæg |
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| Micro- et nanofils de Ga (In)N et GaAs par épitaxie en phase vapeur par la méthode aux hydrures (HVPE) |
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| Monogram # 01 |
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| Music for Dreams - an introduction |
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| Nanofils AlxGa1-xN et AlN pour la réalisation de diodes émettant dans l'UV-C |
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| Nitrures d’éléments III sur silicium : une plateforme de photonique intégrée de l’ultraviolet jusqu’au proche infrarouge. |
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| No stress |
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| Nordic favourites |
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| Nordic lounge |
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| Nouvelles sources lasers à super réseau InAs/GaSb/InSb pour l'émission moyen infrarouge |
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| Now dance 1 |
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| Now that's what I call music! 17 |
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| Nu cool |
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| Nurse and amaze |
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| Propriétés électriques, optiques et électro-optiques de microfils GaN pour la réalisation de LEDs |
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| Ramasjang hits 2 |
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| Réalisation de diodes électroluminescentes à base de nanofils GaN |
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| Second harmonic generation in III-nitride waveguides. |
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| Skæg med bogstaver |
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| Skæg med matematik |
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| Spectroscopy of photoelectric processes in III-N structures and devices. |
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| Study and development of a new confinement way for the GaSb-based VCSEL emitting in the mid-infrared range. |
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| Study and optimization of the passivation step of blue GaN-InGaN µLEDs. |
|
| Summer sun hits #3 |
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| Surface phenomena in the heteroepitaxial growth of highly strained in#xga#1##xas (x>0.25) on gaas(001): elastic relaxation, 2d-3d transition, surfactant effect. |
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| Tæt på en kold favn |
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| Transmission electron microscopy study of polarity control in III-Nitride films grown on sapphire substrates. |
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| Tunnel junctions in nitride heterostructures for optoelectronic applications. |
|
| van der Waals epitaxy of GaN on graphene for photonics. |
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| Vermilion |
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| White monolithic electroluminescent diodes. |
|
| La ¤Nuit vol. 1 |
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