Deltimple, Nathalie, 1978-....
![Sudoc [ABES], France](/viaf/images/flags/SUDOC.png "Sudoc [ABES], France")
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Works
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| AFSIW microwave non-reciprocal devices and filtering systems for new space applications. |
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| Amélioration du rendement de l’amplificateur de puissance en utilisant une technique de linéarisation numérique pour une liaison montante dans un contexte radio intelligente.. |
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| Characterizations and evolutions of RF energy harvesting structures on Si and SOI substrates : application to manage microwatt energy systems. |
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| Commutateurs MEMS RF hautes fréquences, fortes puissances |
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| Conception d'un analyseur réseau à deux ports pour des mesures non invasives |
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| Conception et réalisation d'amplificateur de puissance MMIC large-bande haut rendement en technologie GaN |
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| Contribution à l'étude de transmetteurs aux fréquences millimétriques sur des technologies émergentes et avancées |
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| Contribution à l'étude et à la conception d'un système de transfert et de récupération d'énergie électromagnétique à 5.8 GHZ |
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| Contribution au développement de mélangeur sous-harmonique au-delà de 200 GHz sur silicium visant des applications haut-débit |
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| Contribution to the development of sub-harmonic mixer above 200 GHz on silicon targeting high data rate applications. |
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| Contribution to the improvement of the Efficiency and the Pulse-to-Pulse stability performances of power amplifiers, based on Gallium Nitride transistors, for S-Band RADAR applications. |
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| Contribution to the study and the design of a 5.8 GHZ wireless power transmission system. |
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| Design and realizations of wideband and high efficiency GaN MMIC high power amplifiers. |
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| Design of a broadband Doherty power amplifier based on hybrid couplers on inductive load at 5G millimeter frequencies in 28nm FD-SOI CMOS technology. |
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| Design, optimization and integration of Doherty power amplifier for 3G/4G mobile communications |
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| Development of an Efficient Methodology for Modeling Parasitic Effects within a Broadband Test Circuit |
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| Développement d'architectures d'émission intégrées pour des applications THz en technologie CMOS avancées. |
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| Développement de solutions BIST (Built-In Self-Test) pour circuits intégrés radiofréquences/millimétriques |
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| Développement d'un banc de mesure load-pull en bande G [140-220 GHz] et application à la caractérisation des transistors HBTs en technologie BiCMOS 55 nm |
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| Développement d'une architecture innovante de récepteur radar à 77 GHz et démonstration en CMOS 28 nm FDSOI |
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| Développement d'une méthodologie efficace pour la modélisation des effets parasitaires dans un circuit de test large bande. |
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| Dispositifs intégrés à très haute efficacité pour la gestion de l'énergie dans les émetteurs de télécommunications de 5ème génération (5G) |
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| Eléments non-réciproques et systèmes de filtrage hyperfréquences en technologie AFSIW destinés à des applications spatiales |
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| Etude et conception d'un pilote de diode laser à cavité verticale générant des pulses inférieurs à 1ns, ayant un haut rendement énergétique et fonctionnant à faible tension. |
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| Failure mechanisms implementation into SiGe HBT compact model operating close to safe operating area edges |
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| High efficiency integrated devices for energy management in futures 5G transmitters. |
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| High efficiency S-Band vector power modulator design using GaN technology |
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| High power, high frequency RF MEMS switches. |
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| Implémentation de synthèse de fréquence très faible consommation, pour applications IoT, en technologie 28 FD-SOI. |
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| Integrated two-port vector network analyzer design for non-invasive characterization. |
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| Intégration des mécanismes de défaillance dans le modèle compact des transistors bipolaires à hétérojonction SiGe fonctionnant proche de l'aire de sécurité de fonctionnement. |
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| Intrinsic performance improvement of a power amplifier using a linearization technique. |
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| Linéarisation d'un émetteur mixte (analogique et numérique) utilisant une boucle cartésienne en technologie CMOS 65nm pour les communications mobiles avancées. |
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| Linearity and Efficiency of Load Modulated Power Amplifiers |
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| Linearization of a transmitter using an IC digital/analog cartesian feedback in 65nm CMOS for advanced communication standards |
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| Méthodologies de conception pour les amplificateurs faible bruit multi-mode et multi-standard. |
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| Nano sonde active intelligente pour mesures de bruit et de puissance dans la bande de fréquence 130-260 GHz |
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| New Ku-Band, SiGe, power amplifier topologies, power-and-efficiency-optimised, active-SWR robust.. |
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| New switching mode power amplifier architecture. |
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| Nouvelle architecture d'amplificateur de puissance fonctionnant en commutation |
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| Nouvelles topologies d'amplificateurs de puissance SiGe en bande Ku, optimisées en puissance, rendement et robustes au TOS actif |
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| Optimization and realization of package for RF MEMS. |
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| Oscillateur de puissance en ondes millimétriques |
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| Un oscillateur harmonique pour l'application 5G. |
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| PA efficiency enhancement using digital linearization techniques in uplink cognitive radio systems |
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| Power amplifiers for 5G phased arrays in ST CMOS065SOIMMW technology. |
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| Self-contained Power Amplifier for OFDM and Beamforming 5G Applications at Millimeter-wave Frequencies in Advanced CMOS Technology. |
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| SiGe BiCMOS reconfigurable power amplifier design and realization for CSM/DCS/UMTS handset multi-standard applications. |
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| Smart nano probe for noise and power characterization between 130 GHz and 260 GHz. |
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| Study and design of a low-voltage and power-efficient sub-ns pulse integrated CMOS VCSEL driver for SPAD-based direct time-of-flight rangefinding in consumer mobile electronics |
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| Study and design of CMOS RF power circuits and modulation capabilities for communication applications |
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| Synthèse de fréquence millimétrique et térahertz en technologie silicium avancée. |
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| Theoretical study and simulations of micro-waves frequency converters based on the use of N-Path circuits. |
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| Transmetteurs intégrés à haut rendement pour les réseaux phasés 5G à 28 GHz. |
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| Ultra-Low Power Frequency Synthesizer For Internet-of-Things applications In 28nm FD-SOI technology |
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