Barataud, Denis, 1977-....
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Barataud, Denis
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Barataud, Denis
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1977-....
Works
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| 4-channel Time-Domain Interleaved High Sampling Rate System based on Track & Hold Amplifiers for Pulsed Characterization of High Power Non-Linear Amplifiers. |
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| Active voltage standing wave ratio mitigation in large phased arrays. |
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| Analyse et développement de la caractérisation en puissance, rendement et linéarité de transistors de puissance en mode impulsionnel |
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| Analysis and characterization of hetero-junction bipolar transistors SiGe:C power features for mobile radio-communication applications. |
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| Analysis and development of the characterization of power, power added efficiency and linearity of power transistors operating under pulsed conditions. |
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| Caractérisation et modélisation de diodes GaN dédiés à l'électronique de puissance |
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| Characterization and modeling of GaN diodes dedicated to power electronics. |
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| Co-modeling of radiating panels and active channels for electronically steerable antennas. |
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| Co-simulation de panneaux rayonnants et de chaînes actives pour les antennes à balayage électronique |
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| Conception d'amplificateurs de puissance hautement linéaires à 60 GHz en technologies CMOS nanométriques |
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| Conception et développement d'étalons pour la mesure des paramètres S en mode mixte de circuits intégrés et méthodes associées |
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| Contribution à l’étude de l’amplification de puissance en technologie GaN par la technique de suivi d’enveloppe |
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| Contribution à la compréhension des mécanismes expliquant et limitant la linéarité des technologies à base de HEMT Nitrure de Gallium (GaN) |
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| Contribution à la conception d'antennes ultra large bande impulsionnelles d'encombrement réduit |
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| Contribution à la mesure temporelle et à la simulation en équilibrage harmonique de la stabilité d'impulsion à impulsion de transistors en technologie GaN |
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| Contribution à l'étude de techniques de codage analogique pour l'imagerie microonde active et passive |
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| Contribution to the comprehension of mechanisms influencing and limiting the linearity performances of GaN HEMT technologies (GaN). |
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| Contribution to the design of impulse Ultra Wide Band antennas with reduced size. |
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| Contribution to the study of analog encoding for active and passive microwave imaging. |
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| Contribution to the study of power amplification using a GaN technology by envelope tracking principle. |
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| Design and development standards for mixed-mode S-parameters measurement of integrated circuits and associated methods. |
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| Design of a broadband Doherty power amplifier based on hybrid couplers on inductive load at 5G millimeter frequencies in 28nm FD-SOI CMOS technology. |
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| Design of highly linear 60GHz power amplifiers in nanoscale CMOS technologies. |
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| Develoment of a time domain envelope measurement system of nonlinear microwave devices. |
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| Development of an innovative digital RF front-end for the reception on ground of satellite in the X-Band. |
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| Development of test benches dedicated to the behavioral modeling of RF and microwave power amplifiers. |
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| Développement de bancs de tests dédiés à la modélisation comportementale d'amplificateurs de puissance RF et micro-ondes |
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| Développement d'un banc de mesure load-pull en bande G [140-220 GHz] et application à la caractérisation des transistors HBTs en technologie BiCMOS 55 nm |
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| Développement d'un banc de mesure par thermoreflectance pour les composants de puissance |
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| Développement d'un système de mesure temporel d'enveloppe de dispositifs non linéaires microondes |
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| Développement d'une architecture de RADAR à pénétration de sol dédié à une intégration sur drone |
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| Développement d'une tête de réception numérique innovante pour réception de télécommunications par satellite en Bande X |
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| High efficiency improvement for wideband, high power amplifier based on Gallium Nitride. |
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| Investigation des effets de pièges et des aspects de fiabilité des transistors à haute mobilité d’électrons en Nitrure de Gallium. |
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| Measurements and 2-tone Harmonic Balance Simulations of P2P Performance ofHEMTGaN Transistors. |
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| Optimal packaging methodology of HEMT GaN technology to design high efficiency and wideband high power amplifier for radar applications in S-band. |
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| Optimisation des performances des composants hyperfréquences imprimés et 2D et 3D sur des substrats polymères |
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| Optimisation du rendement en puissance ajoutée des amplificateurs de puissances large bande à base de Nitrure de Gallium |
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| Optimization of the performance of microwave components printed in 2D and 3D on polymer substrates. |
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| Power amplifiers for 5G phased arrays in ST CMOS065SOIMMW technology. |
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| Prédistorsion analogique pour amplificateurs de puissance en bande Ku (13,75 - 14,5 GHz) |
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| Réduction du taux d'ondes stationnaire actif dans les grands réseaux d'antennes |
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| Robust architecture with central frequency adjustement and phase and voltage detection for self-contained power amplifiers with hybrid couplers at millimeter frequencies.. |
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| Study and conception of GaN Doherty amplifiers in Quasi - MMIC technology on C band. |
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| Study of 1 Nano gap RF MEMS components for Wireless Reconfigurable Communication Systems. |
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| Study of new co-packaging and co-design technologies applied to photoreceiver modules for next generation telecommunication systems. |
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| Système de mesures temporelles 4-canaux à échantillonnage entrelacé ultra haute fréquence basé sur des amplificateurs « Track & Hold » pour la caractérisation impulsionnelle d’amplificateurs de puissance non linéaires |
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| Time domain characterization of nonlinear microwave devices : application to broadband multitone signais. |
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| Topologies innovantes de chaîne d'émission aux fréquences 28 et 40 GHz pour des applications 5G de beamforming numérique : solutions à base de RF-DAC et de déphaseur en technologie silicium |
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| Trapping and Reliability investigations in GaN-based HEMTs |
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