Furlan, Jože, 1934-2020
Furlan, Jože
Jože Furlan
VIAF ID: 191324599 ( Personal )
Permalink: http://viaf.org/viaf/191324599
Preferred Forms
-
- 100 1 _ ‡a Furlan, Jože
- 100 1 _ ‡a Furlan, Jože, ‡d 1934-2020
- 100 0 _ ‡a Jože Furlan
Works
Title | Sources |
---|---|
Amorfne silicijeve sončne celice | |
Analiza hitrosti injekcijske transistorsko-transistorske logike | |
Analiza PIN diode : diplomska naloga | |
Analysis of silicon solar cells incorporating an extra defect rich layer | |
C - V merilna metoda | |
Charge carrier transport in n-i-p and p-i-n a-Si/c-Si heterojunction solar cells | |
Dinamične lastnosti p[sup]+nn[sup]+ spoja : diplomska naloga | |
Diplomsko delo | |
Električno polje v metaliziranem folijskem kondenzatorju : diplomska naloga | |
Elektronika flip - flopa | |
Elektronski elementi | |
Elektronski sistem iskanja in sledenja sonca. | |
Geometrijsko-snovne in električne lastnosti sončne celice | |
Gummel-Poonov model bipolarnega transistorja | |
Haynes - Shockleyev eksperiment : diplomska naloga | |
Heterospojne sončne celice : zaključna naloga | |
Integrirana vezja. | |
MOS in bipolarni transistor v digitalnih vezjih | |
Nekonvencionalni viri energije | |
A new double stacked a-Si:H solar cell having the structure pin/TCO/nip | |
Nove tehnologije za pretvarjanje in rabo energije ter industrijska energetika. | |
Osnove nelinearnih elementov | |
Osnove tehnike in proizvodnje : [poskusni učbenik] | |
POVEZAVA POLPREVODNISKIH POSTOPKOV ZA IZDELAVO MONOLITNIH INTEGRIRANIH VEZIJ :I. DEL. | |
Prehodni pojavi na NN+ prehodu | |
Primerjava ojačevalnih lastnosti in omejitev pri bipolarnem in MOS močnostnem transistorju [!] : diplomska naloga | |
Proceedings | |
Schottkyjeva dioda : zaključna naloga | |
Seminarska naloga | |
Small-signal capacitance and conductance of biased a-Si structures | |
Solar cells - photovoltaic energy conversion. | |
Solarzellen - photovoltaische Energieumwandlung. | |
Sončna celica z vgrajenim električnim poljem : diplomska naloga | |
Sončne celice - fotovoltaična pretvorba energije | |
Sončni modul s strukturo pin/TCO/nip. | |
Študij difuzije bora in fosforja v siliciju : diplomska naloga | |
Svetleče diode | |
Svetlobno vzbujana polprevodniška stikala | |
Tandem amorphous silicon solar cells | |
Tehnologije sončnih celic | |
Tehnološke izvedbe MOS transistorjev : zaključna naloga | |
Temna prevodnost amorfnega silicija : zaključna naloga | |
Teoretične omejitve lastnosti diodnih mešalnikov : disertacija | |
Theoretical and experimental analysis of breakdown transients in self-healing metallized polypropylene capacitors. | |
Thermally assisted tunneling and the Poole-Frenkel effect in homogenous a-Si | |
Transient dark currents in a-Si:H NIN and PIN devices | |
Transient properties of PINIP structures in three-terminal a-Si:H based three-color detectors | |
Tuneliranje preko pasti v energijski reži v amorfnih polprevodnikih : doktorska disertacija | |
Tunneling-assisted currents in n+ p+ amorphous silicon junctions | |
Vol. 1. | |
Vpliv GR centrov na koncentracije elektronov in vrzeli : zaključna naloga | |
Vpliv lokaliziranih stanj v energijski reži na lastnosti polprevodnika : diplomska naloga | |
Vpliv zaviralnega polja v BSF sončni celici : diplomska naloga | |
The wave nature of light in computer analysis of solar cells | |
Zanesljivost monolitnih integriranih vezij : diplomska naloga | |
Zasedenost energijskih nivojev v polprevodniku : zaključna naloga |