Constant, Eugène, 19..-....
Constant, Eugène.
Eugène Constant électronique, professeur
VIAF ID: 188439396 (Personal)
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- 100 0 _ ‡a Eugène Constant ‡c électronique, professeur
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Works
Title | Sources |
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Application des techniques de mesure de la permittivité complexe à la détermination des associations intermoléculaires présentées par les acides carboxyliques | |
Cad of ga as microwave monolithic integrated circuits (mmics) : application to microwave thermography circuit design and realization. | |
CMOS continuous-time filters optimization method and application to circuits using triode operated transconductors. | |
Conception de filtres continus CMOS micropuissance et leur application dans un système de mesure de déplacement linéaire | |
Conception et réalisation de convertisseur de fréquence et d'oscillateurs monolithiques à transistors à effet de champ | |
Conception et réalisation d'un récepteur FM complètement intégré sur silicium | |
Contribution à des outils de conception de circuits intégrés | |
Design and implementation of a silicon fully-intregrated fm radio-receiver. | |
Design and implementation of monolithic frequency converter and oscillators using field effect transistors. | |
Design of a monolithic GaAs X band frequency multiplier. | |
Étude et réalisation d'un radiomètre en bande X | |
Heterojonction field effect transistor modeling : application to the study of MISFET GaAlAs/GaAs and electron transfer in real space. | |
High precision, low power, GaAs continuous time filters design for use in a mobile communication system. | |
Hydrogénation et neutralisation des donneurs dans les semiconducteurs de la filière GaAs : évolution en fonction de la température, du champ électrique et du courant | |
Low noise CMOS amplifiers for sonar applications. | |
Méthode d'optimisation des filtres continus CMOS et application aux filtres à base de transconductances polarisées en régime triode | |
Modélisation et optimisation en vue de réalisations technologiques de M.E.S.F.E.T. et de T.E.G.F.E.T. AlGaAs/GaAs | |
Multiplicateur de fréquence bande X en circuit intégré monolithique AsGa : modélisation, conception et réalisation | |
a New process for the fabrication of field effect transistors using the neutralization of shallow donors by atomic hydrogen. | |
Planarization of multilayer structures in bipolar technology for high integrated circuits. | |
Planars distributed thin film thermopiles for temperature sensors. | |
Production de rayonnement infrarouge par excitation cohérente de polaritons dans le Niobate de Lithium | |
Réalisation de transistors à effet de champ par neutralisation de dopants par l'hydrogène atomique et par déneutralisation localisée des complexes Si-H | |
Résistance différentielle négative et transfert spatial dans les transistors à effet de champ à grille isolée GaAlAs/GaAs : analyse théorique et applications potentielles | |
Simulation bidimensionnelle de technologies silicium : l'approche multicouche | |
Stabilité des interactions silicium-hydrogène sous irradiation optique ou électronique dans les semiconducteurs à base de GaAs : application à la fiabilité et à la nanofabrication de composants III-V | |
Stable source design using avalanche diode frequency multiplying in millimeter wave band. | |
Sur différentes méthodes de mesure d'impédance, en ondes centimétriques utilisent des T hybrides : application à l'étude du spectre hertzien d'orientation de substances organiques | |
Sur une nouvelle méthode d'utilisation du spectre hertzien pour l'étude de la complexation intermoléculaire | |
Technologie des diodes IMPATT à haut rendement : à barrière métal-semiconducteur GaAs, à hétérojonctions GaInAs/InP | |
Theoretical and experimental studies of radial pretuned modules : applications to the integration of active devices in the millimeter wave fields. | |
Two-dimensional process simulation of silicon devices the multilayer approach. |