Cordier, Yvon, 19..-....
Y. Cordier
Cordier, Yvon
VIAF ID: 173155568 (Personal)
Permalink: http://viaf.org/viaf/173155568
Preferred Forms
- 100 1 _ ‡a Cordier, Yvon
- 100 1 _ ‡a Cordier, Yvon, ‡d 19..-....
- 100 0 _ ‡a Y. Cordier
4xx's: Alternate Name Forms (3)
Works
Title | Sources |
---|---|
Composition analysis of semiconductor quantum wells by energy filtered convergent-beam electron diffraction | |
Contribution to the understanding and the reduction of the current collapse effect in AlGaN/GaN HEMTs and diode on Si substrate for power electronics. | |
Croissance de Nitrure de Gallium sur substrat Silicium texturé : analyse des contraintes et des déformations. | |
Croissance directe de graphène par dépôt chimique en phase vapeur sur carbure de silicium et nitrures d'éléments III | |
Development and understanding of III-N layers for the improvement of high power transistors | |
Development of technological bricks for the achievement of gallium nitride based Schottky diodes. | |
Development of technological building blocks for the monolithic integration of ammonia-MBE-grown AlGaN/GaN HEMTs with silicon MOS devices. | |
Développement de briques technologiques pour la co-intégration par l'épitaxie de transistors HEMTs AlGaN/GaN sur MOS silicium | |
Développement de capteurs THz utilisant l'hétérostructure AIGaN/GaN | |
Développement et compréhension des couches III-N pour l'amélioration des transistors de haute puissance. | |
Développement et réalisation technologique de composants HEMTs en Nitrure de Gallium (GaN) présentant la fonctionnalité " Normally-off " | |
Diamond Schottky diodes improvement to pave the way to high power electronic application. | |
Diodes Schottky en diamant un nouveau pas vers les applications pour l'électronique de puissance | |
Dispositifs intersousbandes à base de nitrures d'éléments III du proche infrarouge au térahertz | |
Dyakonov-Perel electron spin relaxation in a wurtzite semiconductor: From the nondegenerate to the highly degenerate regime | |
Effect of surface preparation and interfacial layer on the quality of SiO2/GaN interfaces | |
Epitaxie de couches d'alliages quaternaires à base d'InAIGaN pour les transistors de haute performance | |
Epitaxie d'hétérostructures innovantes pour la montée en fréquence des HEMTs à base de GaN | |
Epitaxy of quaternary InGaAlN layers for high performance transistors. | |
Étude de la fabrication de nouveaux composants à base de Nitrure de Gallium (GaN) pour les applications de puissance | |
Étude de l'incorporation des dopants N et Al dans des films de carbure de silicium épitaxiées en phase vapeur | |
Etude des mécanismes de dégradation et Fiabilité dynamique des composants GaN sur Si | |
GaN based structures on patterned silicon substrate : stress and strain analysis | |
Growth of GaN based structures on focused ion beam patterned templates | |
Growth optimization and characterization of lattice-matched Al0.82In0.18N optical confinement layer for edge emitting nitride laser diodes | |
Hétérostructures ultra minces de type AlGaN/GaN sur substrat Si et applications aux résonateurs NEMS à haute fréquence | |
III-V heterostructures growth on SrTiO3/Silicon templates. | |
Implantation ionique dans le GAN pour la réalisation de zones dopées et localisées, de type P | |
Infrared quantum cascade devices based on GaN/AlGaN and ZnO/ZnMgO semiconductors. | |
Innovative substrates for GaN-based power devices. | |
Intégration de matériaux III-V à base d'arséniures et d'antimoniures pour la réalisation de transistors TriGate et NW à haute mobilité | |
Investigation of dopant incorporation in silicon carbide epilayers grown by chemical vapor deposition. | |
Ionic implantation in GAN to achieve a doped and localized P-type region. | |
Magnetotransport in Gd-implanted wurtzite GaN∕AlxGa1−xN high electron mobility transistor structures | |
Mastering the O-diamond/Al2O3 interface for unipolar boron doped diamond field effect transistor | |
Micro and nano-structural study of failures of microelectronic architectures in severe environment. | |
Molecular beam epitaxy of InGaAs strained layers on GaAs substrate: realization and characterization of AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMT's. | |
Nanocaractérisation chimique fine de structures GaN pour les applications nano et optoélectroniques | |
Nanoscale conductive pattern of the homoepitaxial AlGaN/GaN transistor | |
New electronic components based on AlN material for future power applications. | |
New protective coating for resistive component for thin layer. | |
Nitride based intersubband devices working from near infrared to Thz. | |
Nouveau revêtement de protection pour composants résistifs à couches minces | |
Optimisation de l'épitaxie sous jets moléculaires d'hétérostructures à base de GaN : application aux transistors à haute mobilité d'électrons sur substrat silicium | |
Optimisation et analyse des propriétés de transport électroniques dans les structures à base des matériaux AlInN/GaN | |
Optimization of innovative AlN-based stacks and texturing on 2D-MoS2 - Applications to acoustic wave resonators and power electronics. | |
Optimization of the growth by ammonia source molecular beam epitaxy of AlxGa1-xN/GaN high electron mobility transistors on (111) oriented silicon substrate. | |
Pas de titre fourni. | |
Passivation of III-N materials of the GaN type. | |
Process of high power Schottky diodes on the AlGaN/GaN heterostructure epitaxied on Si | |
Publisher's Note: “A 5.7 THz GaN/AlGaN quantum cascade detector based on polar step quantum wells” [Appl. Phys. Lett. <b>120</b>, 171103 (2022)] | |
Réalisation et caractérisation de HEMTs AlGaN/GaN sur silicium pour applications à haute tension | |
Realization and characterization of AlGaN/GaN HEMTs on silicon for high voltage applications.. | |
Study of degradation mechanisms and dynamic reliability of GAN on Si devices. | |
Study of ScAlN/GaN HEMT heterostructures grown by ammonia assisted molecular beam epitaxy. | |
Study of the fabrication of new devices based on Gallium Nitride (GaN) for power applications. | |
Transistor Quantique InAs à Electrons Chauds : Fabrication submicronique et étude à haute fréquence |