Cordier, Yvon, 19..-....
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Y. Cordier
Cordier, Yvon
VIAF ID: 173155568 (Personal)
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Y. Cordier
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Works
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| Composition analysis of semiconductor quantum wells by energy filtered convergent-beam electron diffraction |
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| Contribution to the understanding and the reduction of the current collapse effect in AlGaN/GaN HEMTs and diode on Si substrate for power electronics. |
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| Croissance de Nitrure de Gallium sur substrat Silicium texturé : analyse des contraintes et des déformations. |
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| Croissance directe de graphène par dépôt chimique en phase vapeur sur carbure de silicium et nitrures d'éléments III |
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| Development and understanding of III-N layers for the improvement of high power transistors |
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| Development of technological bricks for the achievement of gallium nitride based Schottky diodes. |
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| Development of technological building blocks for the monolithic integration of ammonia-MBE-grown AlGaN/GaN HEMTs with silicon MOS devices. |
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| Développement de briques technologiques pour la co-intégration par l'épitaxie de transistors HEMTs AlGaN/GaN sur MOS silicium |
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| Développement de capteurs THz utilisant l'hétérostructure AIGaN/GaN |
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| Développement et compréhension des couches III-N pour l'amélioration des transistors de haute puissance. |
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| Développement et réalisation technologique de composants HEMTs en Nitrure de Gallium (GaN) présentant la fonctionnalité " Normally-off " |
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| Diamond Schottky diodes improvement to pave the way to high power electronic application. |
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| Diodes Schottky en diamant un nouveau pas vers les applications pour l'électronique de puissance |
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| Dispositifs intersousbandes à base de nitrures d'éléments III du proche infrarouge au térahertz |
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| Dyakonov-Perel electron spin relaxation in a wurtzite semiconductor: From the nondegenerate to the highly degenerate regime |
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| Effect of surface preparation and interfacial layer on the quality of SiO2/GaN interfaces |
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| Epitaxie de couches d'alliages quaternaires à base d'InAIGaN pour les transistors de haute performance |
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| Epitaxie d'hétérostructures innovantes pour la montée en fréquence des HEMTs à base de GaN |
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| Epitaxy of quaternary InGaAlN layers for high performance transistors. |
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| Étude de la fabrication de nouveaux composants à base de Nitrure de Gallium (GaN) pour les applications de puissance |
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| Étude de l'incorporation des dopants N et Al dans des films de carbure de silicium épitaxiées en phase vapeur |
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| Etude des mécanismes de dégradation et Fiabilité dynamique des composants GaN sur Si |
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| GaN based structures on patterned silicon substrate : stress and strain analysis |
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| Growth of GaN based structures on focused ion beam patterned templates |
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| Growth optimization and characterization of lattice-matched Al0.82In0.18N optical confinement layer for edge emitting nitride laser diodes |
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| Hétérostructures ultra minces de type AlGaN/GaN sur substrat Si et applications aux résonateurs NEMS à haute fréquence |
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| III-V heterostructures growth on SrTiO3/Silicon templates. |
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| Implantation ionique dans le GAN pour la réalisation de zones dopées et localisées, de type P |
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| Infrared quantum cascade devices based on GaN/AlGaN and ZnO/ZnMgO semiconductors. |
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| Innovative substrates for GaN-based power devices. |
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| Intégration de matériaux III-V à base d'arséniures et d'antimoniures pour la réalisation de transistors TriGate et NW à haute mobilité |
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| Investigation of dopant incorporation in silicon carbide epilayers grown by chemical vapor deposition. |
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| Ionic implantation in GAN to achieve a doped and localized P-type region. |
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| Magnetotransport in Gd-implanted wurtzite GaN∕AlxGa1−xN high electron mobility transistor structures |
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| Mastering the O-diamond/Al2O3 interface for unipolar boron doped diamond field effect transistor |
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| Micro and nano-structural study of failures of microelectronic architectures in severe environment. |
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| Molecular beam epitaxy of InGaAs strained layers on GaAs substrate: realization and characterization of AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMT's. |
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| Nanocaractérisation chimique fine de structures GaN pour les applications nano et optoélectroniques |
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| Nanoscale conductive pattern of the homoepitaxial AlGaN/GaN transistor |
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| New electronic components based on AlN material for future power applications. |
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| New protective coating for resistive component for thin layer. |
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| Nitride based intersubband devices working from near infrared to Thz. |
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| Nouveau revêtement de protection pour composants résistifs à couches minces |
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| Optimisation de l'épitaxie sous jets moléculaires d'hétérostructures à base de GaN : application aux transistors à haute mobilité d'électrons sur substrat silicium |
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| Optimisation et analyse des propriétés de transport électroniques dans les structures à base des matériaux AlInN/GaN |
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| Optimization of innovative AlN-based stacks and texturing on 2D-MoS2 - Applications to acoustic wave resonators and power electronics. |
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| Optimization of the growth by ammonia source molecular beam epitaxy of AlxGa1-xN/GaN high electron mobility transistors on (111) oriented silicon substrate. |
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| Pas de titre fourni. |
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| Passivation of III-N materials of the GaN type. |
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| Process of high power Schottky diodes on the AlGaN/GaN heterostructure epitaxied on Si |
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| Publisher's Note: “A 5.7 THz GaN/AlGaN quantum cascade detector based on polar step quantum wells” [Appl. Phys. Lett. <b>120</b>, 171103 (2022)] |
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| Réalisation et caractérisation de HEMTs AlGaN/GaN sur silicium pour applications à haute tension |
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| Realization and characterization of AlGaN/GaN HEMTs on silicon for high voltage applications.. |
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| Study of degradation mechanisms and dynamic reliability of GAN on Si devices. |
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| Study of ScAlN/GaN HEMT heterostructures grown by ammonia assisted molecular beam epitaxy. |
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| Study of the fabrication of new devices based on Gallium Nitride (GaN) for power applications. |
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| Transistor Quantique InAs à Electrons Chauds : Fabrication submicronique et étude à haute fréquence |
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