Labat, Nathalie, 1962-...., professeure en électronique
Labat, N.
Labat, Nathalie 1962-...
Frédéric Labat
VIAF ID: 172125862 ( Personal )
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Works
Title | Sources |
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Analyse des mécanismes physiques qui limitent les performances et la fiabilité des HEMTs sur GaN. | |
Analyse technologique et electrique des dispositifs bases sur le transistor a effet de champ a grille Schottky sur arseniure de gallium | |
Caractérisation des effets thermiques et des mécanismes de défaillance spécifiques aux transistors bipolaires submicroniques sur substrat InP dédiés aux transmissions optiques Ethernet à 112 Gb/s | |
Caractérisation et modélisation du gaz 2D des dispositifs MIS-HEMTs sur GaN | |
Caractérisation et modélisation du phénomène de claquage dans les oxydes de grille à forte permittivité, en vue d'améliorer la durée de vie des circuits issus des technologies 28nm et au-delà | |
Caractérisation expérimentale et simulation physique des mécanismes de dégradation des interconnexions sans plomb dans les technologies d'assemblage a trés forte densite d'intégration « boitier sur boitier » | |
Characterization and modeling of TDDB in high-k/Metal Gate Stacks with a view to improving circuits lifetime of sub-28nm technologies. | |
Characterization and modelling of the reliability due to carrier trapping in decananometer transistors and SRAM memory fabricated in FDSOI technology. | |
Characterization of heterojunction bipolar transistor SiGe at high frequency. | |
Conception de protection 3D contre les décharges électrostatiques (ESD) en technologie silicium avancée sur isolant (FD SOI) film mince multi couches | |
Contribution à l'étude de la fiabilité des technologies avancées en environnement radiatif atmosphérique et spatial par des méthodes optiques | |
Contribution à l'évaluation de la fiabilité des assemblages QFN et WLP : études thermo- et hygro-mécaniques des résines d'encapsulation | |
Contribution to the evaluation of the reliability of the QFN and WLP packages : thermo- and hygro-mecanical study of the epoxy mold compounds. | |
Design of 3D protection against electrostatic discharges (ESD) in advanced silicon on insulator FDSOI thin film multilayer technology. | |
Développement d'outils de diagnostic pour l'analyse des défaillances des circuits intégrés analogiques et mixtes | |
Développement et réalisation technologique de composants HEMTs en Nitrure de Gallium (GaN) présentant la fonctionnalité " Normally-off " | |
Diagnosis tool development for failure analysis of analog and mixed signal devices. | |
Effets d'antenne sur transistors FDSOI à film ultra mince issus de technologies 28nm et en deçà | |
Élaboration de nouvelles méthodologies d'évaluation de la fiabilité de circuits nanoélectroniques | |
Etude de l’Impact des procédés d’empilement de grille des technologies FDSOI 14/28nm sur la fiabilité et le contrôle électrostatique grâce à l'utilisation conjointe de caractérisations électriques et physicochimiques. | |
Etude de la fiabilité de composants GaN en conversion d'énergie | |
Étude de la fiabilité des filières 0.15 µm GaN sur SiC - Caractérisation et analyse des effets parasites et des mécanismes de dégradation | |
Etude des limites de fonctionnement des transistors hyperfréquences | |
Etude des mécanismes de défaillances et de transport dans les structures HEMTs AlGaN/GaN | |
Etude et simulation physique des effets parasites dans les HEMTs AlGaN/GaN | |
Etude expérimentale et modélisation des limites dimensionnelles de composants de puissance GaN pour convertisseurs haut rendement. | |
Etudes électrothermiques de dispositifs électroniques innovants pour les technologies submicroniques | |
Evaluation de la fiabilité des HEMTs GaN sur substrat silicium à grille ultra-courte dédiés aux applications de puissance à f > 40 GHz. | |
Evaluation de modèle électrique et développement d?un modèle compact incluant le vieillissement pour des transistors bipolaire à hétérojonctions (TBH) à InP. | |
Evaluation des solutions d'encapsulation quasi-hermétique pour les composants actifs hyperfréquences | |
Evaluation of non-hermetic packaging solutions for active microwave devices and space applications. | |
Evaluation of the reliability of GaN technologies in power conversion. | |
Experimental and simulation study of GaN device size limitations for high efficiency power converters | |
Failure analysis of new microelectronic technologies : new approaches in the sample preparation flow. | |
Fonction normally-on, normally-off compatible de la technologie HEMT GaN pour des applications de puissance, hyperfréquences | |
Impact of 14/28nm FDSOI high-k metal gate stack processes on reliability and electrostatic control through combined electrical and physicochemical characterization techniques | |
Investigation into trapping mechanisms and impact on performances and reliability of GaN HEMTs through physical simulation and electro-optical characterization | |
Localisation et évolution des sources de bruit en basses fréquences de HEMTs GaN sous contraintes électriques | |
Localization and evolution of low frequency noise sources of GaN HEMT under electrical stress. | |
Méthodologie de localisation des défauts soft dans les circuits intégrés mixtes et analogiques par stimulation par faisceau laser : analyse de résultats des techniques dynamiques paramétriques | |
Nouveaux composants électroniques à base du matériau AlN pour les futures applications de puissance | |
Plasma charging in FDSOI ultra-thin body from 28nm technologies and below. | |
Reliability assessment of GaN HEMTs on Si substrate with ultra-short gate dedicated to power applications at frequency above 40 GHz | |
Reliability of electron devices, failure physics and analysis | |
Robustness assessment of normally-off GaN HEMT technology with fluorine ions implantation co-integrated with normally-on GaN HEMT technology. | |
Statistical study and modeling of NBTI degradation for CMOS FDSOI and BULK technologies. | |
Study of failure mechanisms in InP/GaAsSb/InP heterojunction bipolar transistor used in command circuit for 40 to 80 gigabits per second optical communication systems. | |
Study of low frequency noise in high electron mobility transistors based on Gallium Nitride. | |
Study of negative-bias temperature instability (NBTI) and under hot-carriers (HC) in 28nm and 14nm FDSOI CMOS nodes. | |
Study of the operating limits of microwave transistors. | |
Technological and electrical analysis of gaas Schottky gate field-effect transistor based circuits. | |
Transistor GaN sur Si 200mm compatible CMOS pour l'amplification de puissance en bande Ka : optimisation de l'empilement de grille |