Bonnaud, Olivier, 19..-....
![Sudoc [ABES], France](/viaf/images/flags/SUDOC.png "Sudoc [ABES], France")
Bonnaud, Olivier
Olivier Bonnaud acteur français
VIAF ID: 14978739 ( Personal )
Permalink: http://viaf.org/viaf/14978739
Preferred Forms
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Works
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| ANALYSE DES PARAMETRES PHYSIQUES ET ELECTRIQUES D'UNE FILIERE TECHNOLOGIE BIPOLAIRE I#2L AVANCEE EN VUE DE L'OPTIMISATION DU PROCEDE ET DE LA REDUCTION DE SES REGLES DE DESSIN |
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| ANALYSIS OF ELECTRICAL BEHAVIOUR OF I#2L TECHNOLOGY DEVICES IN THE AIM TO IMPROVE THE FABRICATION YIELD. |
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| Caractérisation et modélisation des mémoires Flash embarquées destinées aux applications faible consommation et à forte contrainte de fiabilité. |
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| Caractérisation, mécanismes et applications mémoire des transistors avancés sur SOI |
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| Caractérisations électriques et modélisation des phénomènes de piégeages affectant la fiabilité des technologies CMOS avancées (Nanofils) 10nm. |
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| Carrier mobility and interface states characterization in advanced SOI substrate. |
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| centrale de technologie virtuelle |
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| Characterization, mechanisms and memory applications of advanced SOI MOSFETs. |
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| Characterization of TFETs made using a Low-Temperature process and innovative TFETs architectures for 3D integration. |
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| Composants à semiconducteurs : de la physique du solide aux transistors |
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| Conception d'un convertisseur numérique-analogique en technologie MOS pour le traitement de signaux vidéo |
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| Conception of a 12 bits-100 MHZ digital to analog converter in a MOS technology for video signal treatment. |
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| CONTRIBUTION A L'ANALYSE ET A LA MODELISATION DU VIEILLISSEMENT STATIQUE DE TRANSISTORS NMOS SUBMICRONIQUES |
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| Contributions à l'étude d'un processeur s'intégrant dans un réseau systolique linéaire dédié à la comparaison des séquences biologiques |
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| Dépôts Si et SiGe fortement dopés pour applications bipolaires avancées |
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| Développement et caractérisation d'architectures mémoires non volatiles pour des applications basse consommation |
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| Développement et caractérisation d'une filière CMOS W/AL 0,5 micron sur substrat soi mince (100 nm) |
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| Développement et fabrication de trnasistors couches minces verticaux en technologie silicium polycristallin basse température. |
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| Dispositifs innovants de la technologie FD-SOI |
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| Electrical characterization & modeling of the trapping phenomena impacting the reliability of nanowire transistors for sub 10nm nodes |
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| ETUDE DE LA METALLISATION AUTO-ALIGNEE DES CONTACTS SOURCE/DRAIN : CONSEQUENCES SUR L'ARCHITECTURE DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES |
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| Etude des effets singuliers transitoires dans les amplificateurs opérationnels linéaires par photogénération impulsionnelle non linéaire |
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| ETUDE DES JONCTIONS VERTICALES P+N A EMETTEUR EN SILICIUM LPCVD FORTEMENT DOPE IN-SITU AU BORE |
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| Etude des structures MIM à base de dioxyde de titane pour des applications DRAM |
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| Etude du gain interne d'un transistor par la méthode d'avalanche en faible multiplication |
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| Etude du remplissage de tranchées profondes par du silicium polycristallin |
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| Etude et amélioration de la fiabilité des composants dédiés aux technologies bipolaire/CMOS/DMOS moyenne tension |
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| Étude prédictive et réalisation de transistors films minces verticaux à basse température (T<600°C) sur substrat de verre |
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| Etude théorique et expérimentale de µ-OLEDs en régime impulsionnel à très haute densité de courant |
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| Évaluation des effets des neutrons atmosphériques sur l'électronique embarqué en avionique et recherche de solutions de durcissement |
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| Experimental analysis of electrical parameters of cmos componants irradiated thank to a co60 source ; technology and transistors conduction state in devices impacts. |
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| Experimental and theoretical study of μ-OLEDs in pulsed regime under high current densities. |
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| Fabrication and characterization of magnetic planar micro transformer. |
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| Fiabilité des assemblages sans plomb en environnement sévère |
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| Générateurs d'arbres de Wallace-Dadda réguliers |
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| Heavily doped Si and SiGe layers for advanced bipolar transistors. |
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| Improvement of the electrical characteristics of a bipolar transistor with aSi:H emitter. Modelling of the base current. |
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| Investigation of electrostatic doping devices and applications in FD-SOI technologies. |
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| Metal gate manufacturing and characterization for high-k based 32/28nm CMOS technologies. |
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| Méthode de modélisation prédictive de boîtiers des circuits intégrés en vue d'anticiper avant design l'immunité au bruit du circuit |
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| MODELISATION MONO- ET BIDIMENSIONNELLE DES PHENOMENES ELECTROSTATIQUES DANS LE SILICIUM POLYCRISTALLIN PETITS GRAINS : APPLICATION A L'EFFET DE CHAMP DANS UNE STRUCTURE MOS |
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| MODELLING OF UNDOPED SMALL GRAIN POLYSILICON THIN FILM TRANSISTORS IN ACCUMULATION MODE. |
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| Optimization of tests for mixed analog-digital integrated circuits: applicable to 2b/1q coded u interface. |
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| Pn junctions fabrication in polycrystalline silicon thin film. Analysis and modeling of the current-voltage characteristics in temperature range: 200 k-400 k. |
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| predictive modeling method of electronic packages for noise immunity prediction. |
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| Predictive reliability study of new assembly concepts for heterogeneous "system-in-package". |
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| Process control of epitaxial growth of single-crystal and polycristalline silicon for microsystems applications. |
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| REALISATION DE JONCTION PN DANS UN FILM MINCE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN : ANALYSE ET MODELISATION DE LA CARACTERISTIQUE COURANT-TENSION ENTRE 200 K ET 400 K |
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| Réalisation d'un micro-écran OLED haute luminance |
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| Réalisation et caractérisation de structures intégrées en technologie BCD de micro-capteurs de positionmagnétiques réalisés à partir de couches de silicum polycristallin dopées in-situ |
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| REALISATION ET CARACTERISATION D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A EMETTEUR EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE |
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| Réalisation et caractérisation d'une technologie CMOS-TFT à basse température (<600° C) |
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| Realization of a high brightness OLED micro-display. |
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| Redécouvrir l'électronique : 12 questions sur l'électronique, et bien plus de réponses encore... |
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| Réduction des effets de non-linéarités dans une modulation multiporteuse à l'aide de réseaux de neurones |
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| REMPLACEMENT DU TASI 2 PAR WSI 2 POUR LA REALISATION DES GRILLES DES TRANSISTORS DES CELLULES DES MEMOIRES EEPROM : OPTIMISATION DU PROCEDE |
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| STUDY OF PERPENDICULAR P+N JUNCTIONS WITH HEAVILY IN-SITU BORON DOPED LPCVD SILICON EMITTER. |
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| Study of the atmospherical neutrons effect on electronic components embbeded for avionics application and search of hardening solutions. |
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| Technological and physical study of etched nanowire transistors architectures. |
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| Technologie microélectronique : du silicium aux circuits intégrés |
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| Vertical thin film transistor involving low temperature process (T<600°C) and compatible with glass substrate. |
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