Cristoloveanu, Sorin, 19..-...., auteur en électronique
Cristoloveanu, Sorin.
Cristoloveanu, S.
VIAF ID: 49271143 ( Personal )
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Works
Title | Sources |
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Advanced CMOS FD SOI architectures for the 32 nm node and below : ultra-thin film, mechanical stress, thin box and ground plane. | |
Architectures avancées de transistors CMOS SOI pour le nœud 32 nm et en deça : films ultra-fins, contraintes mécaniques, BOX mince et plan de masse | |
Caractérisation et modélisation des éléments actifs de technologies CMOS sur silicium sur isolant pour des applications à haute température (125-350 degrés celsius) | |
Caractérisation et modélisation électrique de substrats SOI innovants | |
Characterization and modelling of deep submicron mos transistors fabricated on ultra-thin simox films. | |
Dopage du carbure de silicium par implantation ionique | |
Effets transitoires de film flottant pour des applications mémoires dans le cadre de transistors MOS en technologie silicium-sur-isolant complètement désertée | |
Electrical Characterization of Silicon-on-Insulator Materials and Devices | |
Étude de dispositifs MOS fabriqués sur carbure de silicium pour la microélectronique haute température | |
Étude de la sensibilité des dispositifs nanoélectroniques ultimes à base de SOI face aux particules des environnements radiatifs terrestres et spatiaux | |
Étude des structures MOSFET avancées sur SOI pour les applications basse consommation | |
Étude du comportement physique et électrique de dispositifs 0.2 µm en technologie silicium sur isolant | |
Frontiers in electronics | |
Hétéroépitaxie des systèmes GaAs/Si et GaAs/InP par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques | |
Heteroepitaxy of gallium arsenide on silicon and indium phosphide substrates by organo-mertallic vapour phase epitaxy. | |
High temperature behaviour of submicron mos transistors fabricated on silicon on insulator substrates. | |
Influence des surfaces sur l'effet Ettingshausen : application à la caractérisation de semiconducteurs à faible largeur de bande interdite | |
Innovating architectures for SOI transistors. | |
Innovative memories based on silicon nanowires | |
(Innovative sharp switching devices : from TFET to Z2-FET. | |
Mémoires innovantes à base de nanofils de silicium. | |
Modèles physiques et analyse du fonctionnement des composants MOS intégrés sur SIMOX | |
Modeling of advanced nanometer scale MOSFETs devices with the multi-subband Monte Carlo approach | |
Nouvelles architectures de mémoires embarquées compatibles CMOS | |
Nouvelles méthodes de caractérisation et modèles physiques de vieillissement des transistors MOS submicroniques | |
Novel pseudo-MOSFET methods for the characterization of advanced SOI substrates. | |
Operation and aging of submicron mosfet at low temperature. | |
Physical modeling of junction processing in FDSOI devices for 20 nm node and below. | |
Physical modelling of aging effects and parameter extraction methods fcor submicrometer mosfet's on bulk silicium and soi. | |
Physical models and operation analysis of mos components built on simox substrates. | |
Proceedings of the Sixth International Symposium on Silicon-on-Insulator ... c1994: | |
Réalisation de structures silicium sur isolant (SSI) par implantation d'ions oxygène : SIMOX | |
Solutions technologiques avancées pour CMOS ultime : grille métal damascene, diélectrique high-k, SOI avec film mince, alumine enterrée et plan de masse | |
Steep slope nano-transistors for ultra low power applications. | |
Study and integration of a low power and low footprint BIMOS-based analog spiking neuron circuit in 28 nm FD-SOI technology. | |
Study and optimization of silicide and intermediate beol thermal stability for 3D sequential integration. | |
Study of advanced mos transistors on silicon on insulator (soi) : noise, radiation effects and applications. | |
Study of defect generation mechanisms during the elaboration of thin silicon on insulator structures with the Low Dose SIMOX and SMART-CUT® processes. | |
Study of DX centers in (Al,Ga)As, Ga(As,P) and (Al,Ga)(As,P) alloys under hydrostatic pressure and high magnetic field. | |
Study of HBT operation beyond breakdown voltage : Definition of a Safe Operating Area in this operation regime including the aging laws | |
Study of interfaces and nanometric structures by ToF-SIMS : upon a spatially resolved quantitative analysis. | |
Study of mos devices made on silicon carbide for high temperature microelectronic. | |
Study of SOI material elaboration involving silicon on oxide wafer bonding (Smart-Cut® process). | |
Study of the mechanisms affecting the reliability of ultra-thin buried oxides and devices in FDSOI technology. | |
Study of the sensitivity of nanoelectronic devices based on SOI technologies to ionizing particles of space and terrestrial environments. | |
Study of the unibond material and development of novel transistors on soi. | |
Subthreshold architecture and digital circuits study in submicronic CMOS technology. | |
Technological and physical study of etched nanowire transistors architectures. | |
Transient floating-body effects for memoy applications in fully-depleted SOI MOSFETs. | |
Transistor SOI à quatre grilles : caractérisation, modélisation et applications | |
Transport dans les transistors MOS avancés : exploitation de la magnétorésistance du canal | |
Transport magnétoélectrique dans les semi-conducteurs en présence d'inhomogénéités naturelles ou induites par effets de recombinaison et d'injection : application aux capteurs magnétiques | |
WOFE-07 |