Siffert, Paul.
Siffert., P.
Siffert, P. (Paul)
VIAF ID: 74926964 ( Personal )
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Works
Title | Sources |
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ACTIVATION ELECTRIQUE ET REDISTRIBUTION DE L'ARSENIC ET DU BORE IMPLANTES DANS LE SILICIUM APRES RECUIT THERMIQUE RAPIDE | |
ANALYSE DU BRUIT DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP EN TECHNOLOGIE COMPLEMENTAIRE MOS ET APPLICATION A LA REALISATION D'UN AMPLIFICATEUR INTEGRE SENSIBLE AU COURANT | |
CdTe and related compounds; physics, defects, hetero- and nano-structures, crystal growth, surfaces and applications. | |
CHARACTERIZATION CONTRIBUTION AT THE CADMIUM TELLURIDE THM CRYSTALS WITH NUCLEAR AND ELECTRICAL TECHNIQUES. | |
CONCEPTION AND REALISATION OF A MEASURING APPARATUS USING HGI2 DETECTOR. | |
CONCEPTION ET REALISATION D'UN INSTRUMENT DE MESURE EDXRF UTILISANT DES DETECTEURS HGI2 | |
Contribution a la caracterisation et application des detecteurs nucleaires a base de tellurure de cadmium | |
CONTRIBUTION A L'ETUDE DES DOMMAGES INDUITS PAR LES IONS LOURDS DE GRANDE ENERGIE DANS LES FILMS D'OXYDE DE SILICIUM THERMIQUE | |
Contribution to purification study of tellurium: application to energetic and nuclear binary semiconductor detectors. | |
Contribution to the study of the behaviour of iron and copper in cristalline silicon. | |
Croissance et caractérisation de cristaux de Cd1-xZnxTe tirés par la méthode Bridgman sous Haute Pression : application à la détection de rayonnements X et γ | |
LES DEFAUTS PONCTUELS DANS LE SILICIUM ET L'ALLIAGE Si1-XGEX : ASPECTS THERMODYNAMIQUES DE QUELQUES METAUX DE TRANSITION | |
DEPOT ET CARACTERISATION DE FILMS MINCES DE SILICIUM SUR SUBSTRAT POLYMERE PAR LA METHODE CVD ASSISTEE PAR PHOTONS LUMINEUX | |
DEVELOPPEMENT D'UN CAPTEUR A BASE DE TELLURURE DE CADMIUM EN VUE DE L'IMAGERIE INDUSTRIELLE ET MEDICALE PAR RAYONS X | |
DEVELOPPEMENT D'UNE TECHNIQUE D'ANALYSE LOCALISEE DES DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS DANS LES SEMICONDUCTEURS | |
ELABORATION ET CARACTERISATION STRUCTURALE DE COUCHES MINCES SI#1##XGE#X OBTENUES PAR IMPLANTATION IONIQUE SUIVIE DE TRAITEMENTS THERMIQUES CLASSIQUES OU LASER | |
ELECTRICALLY ACTIVE DEFECTS GENERATION IN SILICON BY TRANSIENT THERMAL PROCESSING. GETTERING EFFECT. | |
ETUDE DE LA NEUTRALISATION DU BORE ET DE CERTAINES IMPURETES METALLIQUES (OR, TITANE, MANGANESE, CHROME) PAR IMPLANTATION D'HYDROGENE DANS LE SILICIUM MONOCRISTALLIN | |
Etude de polarimètres basés sur les détecteurs CdTe en astrophysique X et gamma | |
ETUDE DES PARAMETRES FONDAMENTAUX DE CAPTEURS SILICIUM DURANT LEUR REALISATION EN TECHNOLOGIE PLANAR : APPLICATION AUX DETECTEURS DE RAYONNEMENTS | |
ETUDE ET CARACTERISATION MICROSCOPIQUE DES NIVEAUX PROFONDS DANS LE TELLURURE DE CADMIUM | |
ETUDE ET REALISATION D'UNE CHAINE ELECTRONIQUE DE VISUALISATION D'IMAGES EN RAYONS X POUR L'ALIGNEMENT DE CRISTAUX A BASE DE DETECTEURS A CdTe | |
Etude par microscopie électronique du silicium implanté et recuit par faisceau d'électrons pulsé | |
FORMATION DU SILICIURE DE TITANE PAR RECUIT THERMIQUE RAPIDE : CINETIQUE DE CROISSANCE ET INFLUENCE DE QUELQUES IMPURETES | |
THE GROWTH OF LARGE SINGLE CRYSTALS OF CADMIUM TELLURIDE USING THE MODIFIED BRIDGMAN METHOD : MODELLIZATION, PREPARATION AND CHARACTERISATION. | |
IMAGERIE SUR P.C. D'UN FILM DE BAFBR : EU#2#+, PHOTOSTIMULABLE, AYANT EMMAGASINE UNE ENERGIE LATENTE PAR EXPOSITION AUX RAYONS X. INFLUENCE DE DIVERS CONTAMINANTS CHIMIQUES | |
L' implantation ionique dans la technologie des circuits integtes VLSI : étude prospective | |
Induced defects in insulators : June 5th - 8th 1984 Strasbourg (France) | |
INTERACTION OF BONE AND JOINT TISSUE WITH DIODE LASER 805 NM, EXPERIMENTAL STUDY IN ANIMALS WITH HISTOLOGIC, THERMIC ANALYSIS, MATHEMATICAL MODELIZATION AND CLINICAL APPLICATION IN HUMAN. | |
Laser-solid interactions and transient thermal processing of materials | |
MATERIAL AND CONTACT CHARACTERIZATION OF CDTE DETECTORS, AFTER THERMAL TREATMENTS IN VARIOUS ATMOSPHERES. | |
MODELISATIONS DES REPONSES DU SILICIUM ET DU TELLURE DE CADMIUM AUX RAYONNEMENTS GAMMA ET NEUTRON : APPLICATIONS A LA DOSIMETRIE | |
NEW TECHNIQUE FOR LOCALIZED ANALYSIS OF ELECTRICALLY ACTIVE DEFECTS IN SEMICONDUCTORS. | |
NOISE ANALYSIS OF FIELD EFFECT TRANSISTORS IN CMOS TECHNOLOGY AND DESIGN OF INTEGRATED CURRENT AMPLIFIER. | |
Nuclear methods and infrared spectroscopy for the characterization of light elements in mono, bi- and polycristalline silicon. | |
PHOTODECOMPOSITION SENSIBILISEE AU MERCURE DU MONOSILANE (HG-PHOTO-CVD) : APPLICATION AU DEPOT EN COUCHES MINCES DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (A-SI : H) | |
Physics, CdTe-based nanostructures, CdTe-based semimagnetic semiconductors, defects | |
Preparation and structural properties of thin si#1##xge#x films grown by thermal or laser annealing of heavily germanium implanted silicon. | |
Proceedings of the E-MRS Symposium F | |
ROLE DES RECUITS TRANSITOIRES DANS LA GENERATION DES DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS DANS LE SILICIUM. EFFET GETTER | |
Room temperature semiconductor detectors : proceedings of the 11th International Workshop on room temperature semiconductor X- and gamma-ray detectors and associated electronics, International Atomic Energy Agency, Vienna, Austria, October 11-15, 1999 | |
Silicon, c2004: | |
Silicon : evolution and future of a technology | |
SPECTROMETRIE D'IONISATION RESONANTE POUR L'ANALYSE DES SOLIDES : APPLICATIONS A LA DETECTION D'IMPURETES METALLIQUES DANS LE SILICIUM DESTINE A LA FABRICATION DE PHOTOPILES | |
Studies of thin films under uv irradiation. | |
THE STUDY AND MICROSCOPIC CHARACTERIZATION OF DEEP LEVELS IN CADMIUM TELLURIDE. | |
Study of radiation damage induced by high energy heavy ions in thermal silicon oxide films. | |
Study of the fundamental parameters of silicon sensors during their manufacturing by the planar process: application to nuclear detectors. | |
Study of the rapid thermal annealing of implantation induced defects in silicon: solid phase epitaxy and annealing of residual imperfections. | |
THEORETICAL AND EXPERIMENTAL INVESTIGATIONS OF SILICON AND CADMIUM TELLURIDE DETECTORS AS GAMMA RAY AND NEUTRON DOSIMETERS. | |
TITANIUM SILICIDE FORMATION BY RAPID THERMAL ANNEALING: GROWTH KINETICS AND INFLUENCE OF SOME IMPURITIES. | |
TOWARDS AN UTILISATION OF TRANSIENT PROCESSING IN THE TECHNOLOGY OF HIGH EFFICIENCY SOLAR CELLS. | |
VERS UNE UTILISATION DES RECUITS TRANSITOIRES DANS LA TECHNOLOGIE DES PHOTOPILES A HAUT RENDEMENT | |
Wide bandgap cubic semiconductors |