Barbot, Jean-François 1962-...
VIAF ID: 69021805 ( Personal )
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Works
Title | Sources |
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Accumulation et évolution des dégâts dans du 4H-SiC implanté avec des ions xénon. | |
Aging of solder joints for power electronics : metallurgical characterization and numerical simulation of mechanical behavior. | |
Amélioration de la passivation de cellules solaires de silicium à hétérojonction grâce à l'implantation ionique et aux recuits thermiques | |
CONTRIBUTIONS A L'ETUDE DES COMPOSES TERNAIRES SEMICONDUCTEURS CDHGTE : PROPRIETES PLASTIQUES, DOPAGE PAR IMPLANTATION ET IRRADIATION | |
Damage accumulation and recovery in Xe implanted 4H-SiC | |
Damage induced by Helium implantation in Cr₂AlC Mac Phase. | |
Defect engineering in H and He implanted Si | |
Defects induced by light particle implantation or irradiation in silicon based semiconductors. | |
Electromigration dans les semiconducteurs - application au Hg0,3 Cd0,7 Te | |
Endommagement induit par implantation d'hélium dans le carbure de silicium. | |
Étude des défauts bidimensionnels à base d'hélium dans le silicium - Application au transfert de films minces | |
Étude par simulations numériques des propriétés physiques et des premiers stades de formation des bulles d'hélium dans le silicium | |
Fracture dynamics analysis on Smart Cut™ technology. | |
Implantation induced defects in silicon and their influence on platinum diffusion. | |
Influence des dislocations sur les propriétés électroniques de 6H-SiC de type n | |
Influence of surface preparation on physical properties of Co based contacts on n-Ge. | |
Investigation of SiC power device packaging technologies for high temperature applications. | |
Mécanismes de déformation précédant et accompagnant le phénomène de pop-in lors d'un essai de nanoindentation sur un monocristal d'oxyde de magnésium | |
Module de puissance à base SiC fonctionnant à haute température | |
Nanostructuration de surfaces diélectriques par pulvérisation ionique pour guider la croissance de nanoparticules métalliques | |
Nanostructuring of dielectric surfaces by ion beam sputtering to guide the growth of metallic nanoparticles. | |
Numerical simulations studies of the physical properties and the first steps of formation of helium bubbles in silicon. | |
PLASTIC BEHAVIOUR AND DOPING MECHANISM OF THE CDHGTE TERNARY SEMICONDUCTING COMPOUNDS. | |
Réalisation de dopages localises de type N ET P pour protections périphériques pour diodes de puissance en GaN épitaxié sur Si | |
Realization of localized N and P type doping region for edge protection device for gan power diodes on silicon. | |
Robust passivation of silicon heterojunction solar cells thanks to the ion implantation and thermal annealing. | |
Study of helium-based planar defects in silicon - Application to the transfer of thin films. | |
Study of mechanical properties of new material for chip interconnection in the power electronic packaging : influence of ageing. | |
Study phase in oxide thim films with perouskite structure by transmission electromicroscopy. | |
Synthèse de films minces de phases MAX par recuit thermique - Application à la formation de contacts ohmiques sur SiC | |
Vieillissement de joints brasés pour l'électronique de puissance : caractérisation métallurgique et simulation numérique du comportement mécanique |