Hrivňák, Ľubomír, 1930-1993
Hrivnák, L̕ubomír
Ľubomír Hrivnák
VIAF ID: 67725452 ( Personal )
Permalink: http://viaf.org/viaf/67725452
Preferred Forms
- 100 1 _ ‡a Hrivnák, L̕ubomír
-
- 100 1 _ ‡a Hrivňák, Ľubomír ‡d 1930-1993
-
- 100 0 _ ‡a Ľubomír Hrivnák
4xx's: Alternate Name Forms (5)
Works
Title | Sources |
---|---|
Bound s-state of an electron in the screened Coulomb field | |
Current induced transition from a high resistivity to a low resistivity state in semiconductors | |
Eletric field dependence of longitudinal electron diffusivity in GaAs | |
An empirical relation between .-energy gap and static dielectric constant in III-V semiconductors | |
O empirickom vzťahu medzi .-zakázaným pásmom a statickou dielektrickou permitivitou v polovodičoch typu III-V | |
O funkcii posunutého Maxwellovho rozdelenia a probléme horúcich elektrónov v polovodičoch | |
Heterojunctions and Semiconductor Superlattices | |
Heteroštruktúry a polovodičové supermriežky | |
Influence of the magnetic field on GaAs(Cr) diodes current-voltage characteristics distinguished by a saturated voltage | |
Madelung, O.: Introduction into Solid-State Theory | |
MAGNETIC FIELD DEPENDENCE OF ACOUSTOELECTRIC CURRENT IN INDIUM ANTIMONIDE | |
Mechanický transport v polovodičoch, 1981 | |
Mobility of electrons limited by scattering on an impurity-ion potencial with a spatially variable dielectric function | |
New relations for band-edge offsets in lattice matched heterojunctions | |
Nové relácie pre hranice pásu v zónoch v mriežkovo-spojených heteroprechodoch | |
On the displaced Maxwellian distribution function and on the problem of warm electrons in semiconductors | |
On the electron mobility in Ga As samples with dominant electrical level 0,15eV below the conduction band | |
ON THE THEORY OF THE SWITCHING EFFECT IN CRYSTALS | |
Pohyblivosť elektrónov ohraničená rozptylom na iónových prímesoch opisovaných potenciálom s priestorovopremennou dialektrickou funkciou | |
O pohyblivosti elektrónov v obrazcoch GaAs s dominantnou elektrónovou úrovňou 0,15eV rozloženou pod zónou vodivosti | |
Problémy určovania pohyblivostí a koncentrácií nosičov náboja v poloizolačných GaAs materiáloch pomocou galvanomagnetických meraní | |
Prúdom indukované prechody stavu s vysokým merným odporom do stavu s nízkym merným odporom v polovodičoch | |
Súvis medzi efektívnou hmotnosťou, šírkou zakázaného pásu a mriežkovou konštantou polovodičov typu A"B | |
The temperature and compensation dependence of the threshold voltage for switching effect due to the Poole-Frenkel and screening effects with application to chromium doped GaAs dependence | |
THE TEMPERATURE DEPENDENCES OF THE CHANGES OF THE TRANSVERSE ACOUSTIC WAVES ATTENUATION IN n-InSb DUE TO THE MAGNETIC FIELD | |
Teória tuhých látok | |
Teplotná a kompenzačná závislosť prahového napätia spínacieho javu, podmieneného Pool-Frenkelovým javom a tieniacim účinkom aplikácia v štruktúrach GaAs dopovaných chrómom | |
Transport elektrónov v polovodičových heteroštruktúrach v silnom elektrickom poli paralelnom s rozhraniami Kand. diz. práca | |
Určenie koncentrácie chrómu v poloizolačnom GaAs:Cr na základe analýzy teplotnej závislosti pohyblivosti elektrónov a pomeru koncentrácie nosičov | |
Úvod do teórie pevných látok učeb. text pre internú potrebu poslucháčov Prírodovedec. fakulty UK ... | |
Viazaný s-stav elektrónu v tienenom coulombovskom poli | |
Vplyv elektrického poľa na emisiu a záchyt nosičov v polovodičoch Kand. diz. práca | |
Vplyv magnetického poľa na volt-ampérové charakteristiky rôznych diód GaAs(Cr), odlišujúcich sa saturačným napätím | |
Vyšetrovanie VA charakteristík GaAs(Cr) štruktúr |