Lannoo, Michel, 1942-....
Lannoo, M. (Michel), 1942-
Lannoo, Michel
Lannoo, M.
Michel Lannoo chercheur
Lannoo, M. (Michel)
VIAF ID: 61623640 ( Personal )
Permalink: http://viaf.org/viaf/61623640
Preferred Forms
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4xx's: Alternate Name Forms (9)
5xx's: Related Names (1)
- 510 2 _ ‡a Laboratoire d'Etudes des Surfaces et Interfaces, I.S.E.N. Institut Superieur d'EJectronique du Nord, Lille Cedex, France ‡4 affi ‡4 https://d-nb.info/standards/elementset/gnd#affiliation ‡e Affiliation
Works
Title | Sources |
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ABSORPTION OPTIQUE DES SEMI-CONDUCTEURS ET ISOLANTS : CALCUL AB INITIO DES EFFETS A PLUSIEURS CORPS | |
Atomic and Electronic Structure of Surfaces : Theoretical Foundations | |
Calculus of the courant in scanning tunnelling microscopy. | |
Contribution à la modélisation de la diffusion des dopants en fortes concentrations dans le silicium | |
Contribution à l'étude de l'interaction entre un plasma multipolaire de divers gaz et un substrat semiconducteur, et à la caractérisation des films minces obtenus | |
Digital phase shift keying modulation and demodulation for contactless smart card at 13,56 MHz. | |
Electron-phonon interactions within the quantum formalism of Nonequilibrium Green’s Function applied to the simulation of p-type MOSFETs. | |
Étude de la distorsion par effet Jahn-Teller d'une monolacune dans le carbone - diamant | |
Etude de la fiabilité porteurs chauds et des performances des technologies CMOS 0.13 µm-2nm | |
Étude de la formation de films minces de siliciures de fer par spectroscopies d'électrons | |
Etude des phénomènes de dégradation de type Negative Bias Temperature Instability (NBTI) dans les transistors MOS submicroniques des filières CMOS avancées | |
Etude des propriétés de transport de nanostructures de semiconducteurs | |
Experimental aspects | |
Experimental study of degradation phenomenon under several injection modes in ultra-thin oxides (<5nm) for microelectronic. | |
Heterojunctions and Semiconductor Superlattices : Proceedings of the Winter School Les Houches, France, March 12-21, 1985 | |
Interaction électron-phonon dans le cadre du formalisme des fonctions de Green hors-équilibre : application à la modélisation de transistors MOS de type p | |
Interaction électron-phonon dans une famille de cristaux moléculaires : conséquences possibles pour leur supraconductivité | |
Mechanism and characterization of the Negative Bias Temperature Instability (NBTI) in ultra-thin gate dielectric PMOSFETs. | |
Modeling and simulation of quantum transport in nanoscale MOSFETs. | |
Modélisation bidimensionnelle de l'oxydation du silicium : analyse viscoélastique de la relaxation des contraintes | |
Modélisation tridimensionnelle multibandes du transport quantique dans les transistors à nanofil | |
Modulation et démodulation de phase multisymboles entièrement numériques pour carte à puce sans contact à 13,56 MHz | |
Nanostructures : theory and modeling | |
Point defects in semiconductors. | |
Point defects observed by u.v. Light e.s.r. In p.e.c.v.d. Amorphous silicon oxynitride films. | |
Quantum transport modeling of doublegate transistors : influence of strain, material and phonon scattering. | |
Reliability study of 130nm CMOS technology submitted to hot carrier injections. | |
Réseau amorphe et défauts ponctuels révélés par RPE sous UV dans les oxynitrures de silicium PECVD | |
Section efficace de photoionisation des niveaux profonds dans les semiconducteurs | |
La situation énergétique en France et dans le monde : quels choix politiques ? | |
Structure électronique de surface du silicium et des interfaces Ag-Si et Au-Si | |
Structure électronique des chalcogénures d'antimoine | |
Study of device reliability in advances CMOS technologies and application to reliability simulation of digital and analog circuit designs. | |
Točečnye defekty v poluprovodnikah : èksperimental'nye aspekty | |
Transport résolu en temps dans les nanodispositifs optoélectroniques quantiques | |
Two dimensionnal modeling of the silicon oxidation : viscoelastic analysis of the stresses relaxation. | |
Two theoretical aspects of the semiconductor physics : transverse acoustoelectric voltage, electronic properties of CdS and ZnS clusters in solution. | |
Точечные дефекты в полупроводниках : эксперим. аспекты |