Morancho, Frédéric, 19..-....
Morancho, Frédéric
VIAF ID: 5244308 ( Personal )
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- 200 _ | ‡a Morancho ‡b Frédéric
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- 100 1 _ ‡a Morancho, Frédéric, ‡d 19..-....
- 100 1 _ ‡a Morancho, Frédéric
Works
Title | Sources |
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Analysis and characterization of the electrical performance of Gallium Nitride components. | |
Caractérisation, Modélisation et Comportement au vieillissement de transistors GaN. | |
Conception de transistors haute tension complémentaires en technologie 65nm sur substrat silicium sur isolant fin pour applications RF et conversion de puissance. | |
Conception et réalisation de composants de puissance à superjonction et à tranchées profondes pour des applications 600 V et 1200 V | |
Conception et réalisation d'un interrupteur bidirectionnel silicium pour des applications secteur : le transistor BipAC | |
Conception, realization, characterization and modeling of High Voltage MOSFETs transistors in advanced SOI (silicon on insulator) technologies. | |
Conecption of a new generation of FLYMOS vertical power transistor to overcome the conventional silicon limit. | |
Contribution à l'étude des assemblages et connexions nécessaires à la réalisation d'un module de puissance haute température à base de jfet en carbure de silicium (SiC) | |
Contribution à l'étude des mécanismes de défaillances de l'IGBT sous régimes de fortes contraintes électriques et thermiques | |
Contribution à l'étude des modes de dégradation des transistors HEMT à base de GaN pour les applications de puissance | |
Contribution to the study of failure mecanisms of the IGBT under high electrical and thermal stresses. | |
Convertisseurs continu-continu non isolés à haut rapport de conversion pour piles à combustible et électrolyseurs : apport des composants GaN | |
Design and realization of a silicon bipolar ac switch for mains applications : BipAC transistor. | |
Design og high voltage MOS transistors based on a 0,18 µm CMOS process on a "silicon on insulator" (SOI) substrate for the new generations of power integrated circuits. | |
Development of a technological process with the purpose of fabricating a gallium nitride power MOS transistor. | |
Development of technological building blocks for the monolithic integration of ammonia-MBE-grown AlGaN/GaN HEMTs with silicon MOS devices. | |
Développement de briques technologiques pour la réalisation de transistor MOS de puissance en Nitrure de Gallium | |
Dopage de couches de GaN sur substrat silicium par implantation ionique | |
Etude de la fiabilité de composants GaN en conversion d'énergie | |
Évaluation des mécanismes de défaillance et de la fiabilité d'une nouvelle terminaison haute tension : approche expérimentale et modélisation associée | |
Evaluation of failure mechanisms and reliability of new high-voltage power switches : experimental approach and modeling associated. | |
Evaluation of the reliability of GaN technologies in power conversion. | |
Experimental and simulation study of GaN device size limitations for high efficiency power converters | |
GaN HFET-based DC/DC converters for space applications. | |
Intégration technologique alternative pour l'élaboration de modules électroniques de puissance | |
Ion implantation doping of GaN-on-silicon layers. | |
Non-isolated high voltage ratio DC-DC converter for fuel cell and electrolyzer : GaN transistors. | |
Nouveaux composants électroniques à base du matériau AlN pour les futures applications de puissance | |
Nouveaux concepts de transistors de puissance à haute mobilité électronique (HEMT) en nitrure de gallium (GaN) | |
Optimization of the elaboration of insulating layers for the gate structures and the passivation of MIS-HEMT transistors on GaN | |
Pas de titre fourni. | |
Physical-experimental methods and analysis of dynamic On-state resistance mechanisms in GaN Power HEMT devices. | |
Physique et modélisation des composants et des circuits intégrés de puissance | |
Process of high power Schottky diodes on the AlGaN/GaN heterostructure epitaxied on Si | |
Le silicium poreux pour les périphéries TRIAC | |
Study of the mechanisms involved in the formation of ohmic contacts on power electronics transistors based on Gallium nitride. | |
Study of the physical properties and new SPICE modeling of the power FLIMOS transistors’’. | |
Le transistor MOS de puissance à tranchées : modélisation et limites de performances | |
TRENCH POWER MOSFET MODELLING AND PERFORMANCE LIMITS. |