Ghibaudo, Gérard, 19..-...., auteur en électronique
Ghibaudo, Gérard
Ghibaudo, G.
Ghibaudo, Gèrard 1954-
VIAF ID: 36406633 ( Personal )
Permalink: http://viaf.org/viaf/36406633
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Works
Title | Sources |
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Caractérisation et modélisation des mémoires Flash embarquées destinées aux applications faible consommation et à forte contrainte de fiabilité. | |
Characterisation and reliability of ultra-thin oxides and high-K dielectrics from CMOS 45 nm technologies and below. | |
Contribution à la modélisation et à l'extraction des paramètres de tension de seuil, de résistance série et de réduction de longueur dans les transistors MOS submicroniques | |
A contribution to model 50nm CMOS dynamic performances. | |
Contribution to the experimental study of transport in decananometric transistors of sub-45nm CMOS technologies. | |
Dépôts Si et SiGe fortement dopés pour applications bipolaires avancées | |
Développement d'une méthode de test d'electromigration au niveau plaquette : Application a des filières ULSI | |
Device and circuit cryogenic operation for low temperature electronics | |
Dielectrics in microelectronics : (WoDiM 2002) | |
Effect of disorder and defects in ion-implanted semiconductors : optical and photothermal characterization | |
Electrical characterization of gate-all-around MOS transistors for sub-45nm CMOS technologies. | |
Etude de la fiabilité de capacités Métal-Isolant-Métal Intégrées utilisant des diélectriques à fortes permittivité | |
Étude des diélectriques du Pré Métal et de leurs influences sur les dispositifs actifs | |
Étude des effets quantiques dans les composants CMOS à oxyde de grille ultra minces : modélisation et caractérisation | |
Étude des mécanismes de défaillance des diélectriques de grille minces pour les technologies CMOS avancées | |
Etude des phénomènes de transport de porteurs et du bruit basse fréquence en fonction de la température dans les transistors FinFET et GAA NWFET sub-10 nm | |
Étude des propriétés de dégradation du système SI/SIO#2 : application a la fiabilité des filières CMOS submicroniques | |
Étude du travail de sortie pour les empilements nanométriques diélectrique haute permittivité / grille métallique | |
Étude en profondeur de l'interface si-siO2 par la technique du pompage de charges | |
Étude, réalisation et caractérisation du transistor à grille suspendue à canal d'accumulation | |
Fabrication, characterization and modeling of silicon nanocrystal based memory devices in the decananometer range on SOI substrate. | |
Fabrication et caractérisation physico-chimique et électrique d'empilements TiN/Ta2O5/Tin : application aux capacités MIM pour les circuits intégrés analogiques et radiofréquence | |
Heavily doped Si and SiGe layers for advanced bipolar transistors. | |
Impact des diélectriques à forte permittivité sur les performances des transistors MOS 0.13 µm avancés | |
Impact of technological fluctuations on MOS transistor match performance for CMOS 0.18 and 0.12 [mu]m process. | |
In-depth study of the si-sio#2 interface using the charge pumping technique. | |
Integration and characterization of new technological boosters for CMOS low power applications. | |
Intégration de capacités MIM tridimensionnelles de 35nF/mm2 et au-delà dans des technologies CMOS et BiCMOS | |
Intégration et caractérisation de nouveaux modules technologiques pour les applications CMOS à basse consommation | |
Low frequency noise measurements in advanced silicon devices. | |
Mesure du bruit électrique à basse fréquence dans les composants avancés au silicium | |
Modeling, electrical characterization and scaling issues of discrete-trap non-volatile memories | |
Modélisation des MOSFET nanométrique de type n aux matériaux de canal alternatifs dans le régime totalement ou quasi balistique | |
Modelling of nano nMOSFETs with alternative channel materials in the fully and quasi ballistic regimes. | |
Reliability and low frequency noise of SiGe :C heterojunction bipolar transistor dedicated to millimeter wave applications. | |
Reliability study of integrated Metal-Insulator-Metal capacitor with high permittivity dielectrics | |
Resistive switching study of binary oxides (HfO2, TiO2) deposited by molecular beam epitaxy and integrated in metal/oxide/metal memristive type devices : effect of doping and implantation. | |
Study and characterization of non volatile memory reliability for advanced CMOS or BICMOS technologies. | |
Study and optimization of silicide and intermediate beol thermal stability for 3D sequential integration. | |
Study at nanoscale, using scanning probe microscopy, of thin dielectric fialibilty for futur integrated devices in microelectronic field. | |
Study, fabrication and characterization of the suspended gate transistor with accumulation channel. | |
Study of advanced Si/SiGeC heterojunction bipolar transistors aging mechanisms under reliability stress. | |
Study of advanced structures for HOT IR quantum detection. | |
Study of electronic properties of semi-conductors using thermo-electric power: application to the characterization of silicon on insulator and of lead telluride. | |
Study of field effect and transport in random percolating networks of silicon nanowires. | |
Study of hybrid redox molecules/silicon devices for memory applications. | |
Study of innovative stacks and architectures of Split-Gate charge trap memories. | |
Study of negative-bias temperature instability (NBTI) and under hot-carriers (HC) in 28nm and 14nm FDSOI CMOS nodes. | |
Study of strain and electrical properties in Si nanowire transistors. | |
Study of the degradation mecanisms during the ultra-thin oxide breakdown : application to the reliability of the SUB - 0.12 [mu]m CMOS technologies. | |
Study of the metal gate work function in nanometric high-k/Metal gate stacks. | |
Study of the Pre Metal dielectrics impact on active devices behavior. | |
Substrats et dispositifs avancés sur germanium-sur-isolant (GeOI) : caractérisation, modélisation et simulation | |
Technologies émergentes de mémoire résistive pour les systèmes et application neuromorphique | |
Thermal annealing effect on the structural and electrical properties of heavily ion implanted silicon layers. | |
Thermal effects in advanced Si-MOSFETs. | |
Thorough electrical characterization of the mechanisms controlling GaN-on-Si MIS-HEMT devices performances. | |
Three dimensional stacked nanoswires MOSFET with optional independent gate operation (ΦFET) : fabrication and transport properties. | |
Transistor MOSFET à nanofils empilés en 3D avec possibilité de fonctionnement indépendant des grilles (ΦFET) : fabrication et propriétés de transport | |
Transistors CMOS decananométriques à canaux contraints sur silicium massif ou sur SOI : fabrication, caractérisation et étude du transport | |
Transistors MOS sur films minces de Silicium-sur-Isolant (SOI) complètement désertés pour le noeud technologique 10nm | |
Transport properties and low-frequency noise in low-dimensional structures. | |
Use of trace fossils in delineating sequence stratigraphic surfaces (Tertiary Venetian Basin Northeastern Italy) | |
Variability study in Planar FDSOI technology : From transistors to SRAM cells. | |
WOLTE 1 : proceedings of the First European Workshop on Low Temperature Electronics : 29 June-1st July, 1994, Grenoble, France |