Pinard, Pierre, 19..-....
Pinard, P.
VIAF ID: 35915626 ( Personal )
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Works
Title | Sources |
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Caracterisation électrique d'oxydes de grille pour des technologies CMOS submicroniques = lectrical characterization of Gate oxides for submicron CMOS technologies | |
Characterization and modeling of pressure microtranducers of high performances integrated on silicon. | |
Contribution à l'amélioration de la résolution des détecteurs a l'état solide sensibles aux rayons X par restauration et simulation comportementale = Contribution to improving the resolution of solid state detectors X-ray sensitive by restoration and behavioral simulation | |
Contribution à l'étude des mesures de température de surface par contacts séparés, en régimes permanent et transitoire | |
Contribution au développement d'un isolateur coplanaire à résonance par la méthode des Différences Finies dans le Domaine Temporel = Contribution to the development of a resonance coplanar isolator with the Finite Difference Time Domain method | |
Couches de dioxyde de silicium obtenues par dépôt chimique à partir d'une phase gazeuse (C.V.D.) : élaboration et caractérisation | |
Diffraction des électrons de très faible énergie | |
Elaboration des rubans de silicium polycristallin E.P.R. pour photopiles et réalisation d'un procédé de mesure des contraintes résiduelles par photoélasticimétrie infrarouge assistée par ordinateur applicable à ce type de matériau | |
Élaboration et caractérisation de films de SiO2 déposés à basse température (50°C) = labortaion and characterization of SiO2 films deposited at low temperature (50°C) en 541 | |
[Elaboration of the EPR polycristalline silicon ribbons used for solar cells and implementation of a computer aided infrared photoelasticity device for residual stress measurements in semiconductors]. | |
Electrical characterization of the quaternary (Ga0,47In0,53As)1-x (Al0,48In0.52 As)x (x=30%) and its application to the HFET transistor for photo-detection at 13-1.55μm. . | |
Electro-optical study of ono structures: applications to eprom an eeprom memory devices. | |
Etude comparée de couches minces de silicium polycristallin dopé en vue d'applications piezorésistives = omparative study of doped polycrystalline silicon thin films for piezoresistive applications. | |
Étude de la cathodoluminescence par microscopie électronique à balayage : première thèse | |
Etude de la diffusion induite par recuit laser semi-continu de quelques impuretés métalliques dans le silicium | |
Etude des défauts d'irradiation dans GaAs | |
Etude des faces vicinales du silicium (100) et de leur oxydation = Study of vicinal faces of silicon (100) and their oxidation | |
Étude du seuil d'absorption optique à 297° K, 77° K et 4° K, de l'arséniure de gallium dopé au tellure et au sélénium | |
Etude d'une méthode d'élaboration, par bombardement électronique, de rubans polycristallins de silicium destinés à la conversion photovoltaïque | |
Etude par spectroscopie d’électrons lents des premières étapes de l'oxydation du silicium (100). Application à la réalisation de structures M.O.S. | |
Exercices spirituels | |
Influence des interactions phonons-défauts ponctuels sur la conduction thermique de l'arséniure de gallium | |
Investigation of polysilicon gate etching mechanisms high density plasmas for deep submicron CMOS technologies : characterization of plasma-induced damage in MOS structures. | |
Laser-solid interactions and transient thermal processing of materials | |
Low energy electron spectroscopy study of the early stages of the oxidation of the (100) silicon : application to m.o.s structures. | |
Mise au point d'une méthode non-destructive de mesure de mesure de la teneur en vapeur d'eau d'un boîtier hermétique, à cavité, de composant électronique par capteur hygrométrique in-situ à conductivité de surface = velopment of a non destructive moisture measurement method in a sealed electronic component package by means of in situ surface conductivity hygrometric sensor | |
New applications of excimer lamps to the low temperature photo-deposition of thin films. | |
Photoluminescence de centres profonds dans GaAs et InP | |
Poly-micro-crystalline and amorphous semiconductors : [Symposium presented at the 1984 Meeting of the European Materials Research Society,] June 5th-8th 1984, Strasbourg, France | |
Procédures de planification décentralisée | |
Réalisation par épitaxie en phase liquide de couches de silicium sur substrats économiques pour applications photovoltaïques = ealization by liquid phase epitaxy of silicon layer on economical substrate for applications photovoltaic’s | |
Silicides for use in microelectronics. | |
Silicon dioxide films obtained by chemical vapor deposition (c.v.d.) : elaboration and characterization. | |
[SIMS study of W/Si and W/Cr/Si contacts]. | |
Study and design of a field-programmable analogue array with a CMOS standard process. | |
Study of direct process of interconnections by laser and electroless : Application for multichip modules (MCM). | |
Transducteurs optoélectroniques D.E.L. (Diodes ElectroLuminescentes) et D(iodes) laser : dégradation et centres profonds |