Desgardin, Pierre
VIAF ID: 313563063 ( Personal )
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Preferred Forms
- 100 1 _ ‡a Desgardin, Pierre
5xx's: Related Names (2)
- 511 2 _ ‡a Centre national de la recherche scientifique (France)
- 511 2 _ ‡a Conditions extrêmes et matériaux : haute température et irradiation (Orléans, Loiret)
Works
Title | Sources |
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Channelling investigation of the behaviour of urania under low-energy ion irradiation | |
ETUDE COMPARATIVE DES DEFAUTS INDUITS PAR LES IONS DANS LES SEMICONDUCTEURS : PRINCIPALES APPLICATIONS | |
Etude de la formation de défauts lacunaires dans un cristal de tungstène par accumulation d'hélium | |
L’étude expérimentale de l’interaction entre défauts lacunaires et l’Y, O, Ti pour comprendre leur rôles dans la formation des nanoparticules d’alliages ODS. | |
Étude par canalisation du comportement du dioxyde d’uranium irradié avec des ions de basse énergie. | |
Experimental study of the interaction of vacancy defects with Y, O and Ti solutes to better understand their roles in the nanoparticles formation in ODS steels | |
Piégeage et accumulation de positons issus d'un faisceau pulsé produit par un accélérateur pour l'étude de l'interaction gravitationnelle de l'antimatière | |
STUDY OF DEFECTS INDUCED BY LIGHT ION IMPLANTATION IN SEMICONDUCTORS: PRINCIPAL APPLICATIONS. | |
Study of the vacancy-type defects formation in tungsten crystal from helium accumulation. | |
Trapping and accumulation of positrons from a pulsed beam produced by a linear accelerator for gravitationnal interaction of antimatter study.. |