Paillet, Philippe
Paillet, P.
VIAF ID: 11149294484780522896 ( Personal )
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Preferred Forms
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- 100 1 _ ‡a Paillet, Philippe
Works
Title | Sources |
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Analysis of the dark current increase and its fluctuations in CMOS imagers operated in space and nuclear radiative environments. | |
Dark current spectroscopy of space and nuclear environment induced displacement damage defects in pinned photodiode based CMOS image sensors. | |
Dosimétrie par fibre optique d'installations d'irradiation expérimentales | |
Effect of high radiation doses (MGy) on light Emitting Diodes and optical glasses | |
EFFECT OF THE FABRICATION PROCESS OF INSULATORS ON THE SPACE-CHARGE CREATED BY X-RAY IRRADIATION: APPLICATION TO SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES. | |
Effet des fortes doses de radiation (MGy) sur les diodes électroluminescentes et les verres optiques. | |
Effet du procédé de fabrication des isolants sur la charge d'espace créée par rayonnements X : application aux technologies silicium sur isolant | |
Effets des Hautes Doses de radiation et étude des fuites de jonction dans les technologies CMOS pour applications analogiques. | |
Etude de l' effet de l'énergie des ions lourds sur la sensibilité des composants électroniques | |
Influence de la température sur la récupération des mosfets de puissance irradiés en dose cumulée | |
Optical fiber-based dosimetry dedicated to experimental irradiation facilities monitoring. | |
Single Event Latchup : temperature effects, design parameters effects and mechanisms | |
SiO2 and advanced dielectrics 3 : proceedings of the 3rd Symposium on SiO2 and Advanced Dielectrics : Fuveau (Aix-Marseille), France, June 19-21, 2000 | |
Spectroscopie du courant d'obscurité induit par les effets de déplacement atomique des radiations spatiales et nucléaires dans les capteurs d'images CMOS à photodiode pincée | |
Study and modeling of the degradation mechanisms at cryogenic temperature of the electrical properties induced by ionizing environments in readout integrated circuit of infrared detectors. | |
Study of the effect of heavy ion energy on the sensitivity of electronic devices. | |
Ultra-high dose effects and junction leakage current in CMOS technologies for analog applications |