Brault, Julien, 19..-....
VIAF ID: 309565863 ( Personal )
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Works
Title | Sources |
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AlGaN quantum dots grown by molecular beam epitaxy for ultraviolet light emitting diodes | |
Boîtes quantiques AlGaN par épitaxie par jets moléculaires pour diodes électroluminescentes ultraviolettes. | |
Croissance auto-organisée de fils et boîtes quantiques d'InAs / InP(001) pour composants optoélectroniques | |
Croissance de l'alliage AlGaN en configurations planaire et nanopyramidale pour la réalisation de LEDs UV-C efficaces | |
Développement de matériaux à base de nitrures d'aluminium et application à la réalisation de diodes électroluminescentes ultraviolettes | |
Développement de nouvelles structures de μDELs UV à effet de champ | |
Fabrication et modélisation de nanostructures SIGe guidées par l' élasticité hétéro-épitaxiale. | |
GaN microwires with GaN/AlGaN core-shell heterostructures : from growth to single wire UV devices. | |
Growth of the AlGaN alloy in planar and nanopyramid configuration for the realization of efficient UV-C LEDs. | |
Hétérostructures polaires et non polaires à base de nitrure de gallium épitaxiées sur ZnO pour applications optoélectroniques | |
Microfils GaN à hétérostructures GaN/AlGaN coeurs-coquilles : de la croissance aux dispositifs UV à fil unique | |
Modeling the growth of quantum dots under elastic strain. | |
Modélisation de la croissance de boîtes quantiques sous contrainte élastique | |
New field effect UV μLEDs development. | |
Optical properties of non-polar and semi-polar GaN nanostructures. | |
Optical spectroscopy of hexagonal boron nitride : from bulk to monolayer | |
Self-organized of InAs quantum wires and quantum dots on InP(001) for optoelectronic devices. | |
Shape and dynamics of elastically strained quantum dots. | |
Spectroscopie optique du nitrure de bore : du massif vers la monocouche. |