Durand, Olivier, 1968-...., chercheur en photonique
Olivier Durand researcher ORCID ID = 0000-0002-4956-7767
VIAF ID: 305841707 ( Personal )
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Works
Title | Sources |
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Advanced X-ray characterization for the development of low consumption power transistors. | |
Caractérisation avancée par rayons X pour le développement de transistors de puissance basse consommation | |
Cellules solaires à base d'antimoniures et leur intégration sur Si. | |
Cellules solaires en GaAs sur Si à base de réseaux de nanofils épitaxiés par jets moléculaires. | |
Croissance et caractérisation des propriétés structurale et optique de couche GaAsPN sur GaP (001) et GaP sur Si (001) pour des applications photovoltaïques. | |
Développement de cellules solaires avancées - Contribution aux cellules à porteurs chauds sur InP et aux cellules tandem monolithiques III-V sur Si | |
Epitaxial growth of CIGSe layers on GaP/Si(001) pseudo-substrate for tandem CIGSe/Si solar cells | |
Etude de l'amélioration des performances optiques des capteurs d'images CMOS dans le proche infrarouge | |
Étude de l'Epitaxie Localisée de GaN par Transport Vapeur / Liquide / Solide (VLS) | |
Evaluation of a technological process of photovoltaic cells multi-junction based antimonide materials (III-V)-Sb for use under highly concentrated solar flux. | |
Fabrication, characterization and simulation of III-V on Si multi-junction solar cells. | |
GaAs-on-Si solar cells based on nanowire arrays grown by molecular beam epitaxy | |
Growth optimization and characterization of regular arrays of GaAs/AIGaAs core/shell nanowires for tandem solar cells on silicon | |
Growth, structural and electro-optical properties of GaP/Si and GaAsPN/ GaP single junctions for lattice-matched tandem solar cells on silicon | |
III-Sb-based solar cells and their integration on Si | |
III-V/Si tandem solar cells : an inverted metamorphic approach using low temperature PECVD of c-Si(Ge) | |
Improving the optical performances of CMOS image sensors in the Near Infrared. | |
Intégration monolithique de matériaux III-V et de Ge sur Si en utilisant des buffers oxydes cristallins | |
Investigation of GaN localized epitaxy by vapor–liquid–solid transport. | |
Microscopie corrélative des nanostructures de nitrures d'éléments III : application à la photonique | |
Modeling of low-cost hight-efficiency tandem solar cells based on nitrides of III-V elements. | |
Modélisation de cellules solaires multi-tandem bas coût et très haut rendement à base de nitrures des éléments III-V | |
Monolithic integration of semiconductor III-V and Ge on Si by using crystalline oxide buffers. | |
Optical nonlinearities in quantum dot lasers for high-speed communications | |
Optimisation de la croissance et caractérisation de réseaux ordonnés de nanofils cœur/coquille GaAs/AlGaAs pour cellules solaires tandem sur silicium. | |
Optimization of three-terminal tandem solar cells based on perovskites. | |
Photonique sur silicium à base de nanostructures III-V épitaxiées sur silicium. | |
Réalisation et optimisation de nanostructures à base de semiconducteurs III-V pour les applications de VCSEL accordables | |
Second harmonic generation in gallium phosphide microdisks integrated on silicon. | |
Sillicon photonics based on monolithic integration of III-V nanostructures on silicon | |
Structural analyses by advanced X-ray scattering on GaP layers epitaxially grown on silicon for integrated photonic applications | |
Structural analysis of a GiP/Si platform and CIGS/GaP/Si heterostructures for photovoltaic application. | |
Study of III-V nanostructures on GaP for lasing emission on Si | |
Thermal optimization ofInP-based vertical-cavity surface-emitting lasers reported on silicon substarte, for telecom applications. |