Bouchoule, Sophie
VIAF ID: 300130857 ( Personal )
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- 100 1 _ ‡a BOUCHOULE, SOPHIE.
- 100 1 _ ‡a Bouchoule, Sophie
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Works
Title | Sources |
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Analyses of different strategies for metal - high k gate etch processes involved in the 45 and 32 nm nodes. | |
BAlGaN-based vertical cavity surface-emitting lasers operating in deep UV region. | |
Capteurs optiques intégrés basés sur des lasers à semiconducteur et des résonateurs en anneaux interrogés en intensité | |
Caractérisation par courant induit sous faisceau électronique (EBIC) à basse température de détecteurs infrarouges de 3ème génération | |
Conception de transmetteurs 1,3 µm par épitaxie sélective en phase vapeur aux organo-métalliques | |
Couches minces de nitrure d’aluminium à basse température pour la gestion thermique des composants de puissance | |
Cryo-Atomic Layer Etching by plasma : mechanisms and processes. | |
Cryo-gravure de couches atomiques par plasma : mécanismes et procédés | |
Design, fabrication and investigation of Interband Cascade structures for mid-IR VCSELs | |
Design of 1.3 µm transmitters by metalorganic vapor phase selective area growth. | |
Development and characterization of plasma etching processes for the dimensional control and LWR issues during High-k Metal gate stack patterning for 14FDSOI technologies | |
Development of red LEDs in III-V materials (-GaAs-based) directly grown on silicon 300mm. | |
Développement de LEDs rouges en matériaux III-V (type GaAs) directement épitaxié sur silicium 300mm | |
Développement de photodiodes à avalanche en Ge sur Si pour la détection faible signal et grande vitesse | |
Développement de procédés de gravure isotrope de Silicium sélectivement au silicium Germanium pour des applications CMOS sub 10nm | |
Développement d'une résine verte éco-responsable à base de biopolymères pour la lithographie : étude de l'interaction de films de chitosane avec les plasmas de gravure fluorés | |
Développement d'une source VECSEL bifréquence pour la mesure de l'effet brillouin dans les fibres optiques | |
Développement et caractérisation des procédés de gravure plasma impliqués dans la réalisation de grille métallique de transistor pour les technologies FDSOI 14nm : contrôle dimensionnel et rugosité de bord. | |
Dispositifs optoélectroniques à hautes fréquences dans la région du moyen infrarouge. | |
Electron beam induced current (EBIC) characterization at low temperature of third generation infrared detectors. | |
Etude des boites quantiques pour la réalisation d'un laser VECSEL bi-fréquence cohérent | |
Gravure plasma du CdHgTe : étude de précurseurs non conventionnels pour application aux détecteurs infrarouges hautes performances de très faible pas | |
HgCdTe plasma etching : study of unconventional precursors for high-performance infrared detectors processing. | |
Highf requency optoelectronic devices in the mid infrared wavelength region. | |
Integrated optical sensors based on semiconductor lasers and ring resonators using intensity interrogation. | |
Investigation of quantum dots VECSEL for the realization of a coherent dual wavelength laser. | |
Laser à semiconducteur à 1.55 um a emission par la surface en cavité étendue en régime de blocage de modes. | |
Laser à semiconducteur pompé optiquement bifréquence pour les horloges à atomiques à piégeage cohérent d'atomes de Césium | |
Lasers à cavité vertical émettant par la surface dans l'ultraviolet profond à base des matériaux BAlGaN | |
Métasurfaces pour la bioimagerie. | |
Nano-fabrication of a Si3N4 membrane grating for material waves applications. | |
Nonlinear integrated photonic devices based on gallium phosphide | |
Optically-pumped dual-frequency semiconductor laser for coherent population trapping atomic clocks using Cesium. | |
Pulse generation from mode locked VECSELS AT 1.55 um | |
Semiconducting origamis : photonic resonators and topological applications. | |
Semiconductor waveguides for frequency conversion in the infrared. | |
Silicon nanowire solar cells with μc-Si˸H absorbers for tandem radial junction devices | |
Source d'impulsions brèves à 1,55µm en laser à cavité verticale externe pour application à l'échantillonnage optique linéaire (version 2) | |
SPECTRO-TEMPORAL PROPERTIES OF PULSED INGAASP SEMICONDUCTOR LASERS AND NEW OPTICAL SCHEMES FOR THE GENERATION OF SHORT PULSES AT 1.3 MICROMETERS AND 1.5 MICROMETERS. | |
Study of in-plane silicon nanowires obtained via a solid-liquid-solid growth process and their self-organization for electronic applications | |
Thin films of aluminum nitride deposited at low temperature in order to ensure thermal management of power electronic devices. |