Advanced readout circuits for uncooled bolometric infrared detector. |
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Algorithmic analysis of the blinking signal in focal plane arrays : application to the study of the effect of the electric field in a cooled, HgCdTe-based infrared detector. |
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Amélioration de l'efficacité de détection dans le proche infrarouge de photodétecteurs de type SPAD intégrés dans une technologie CMOS FD-SOI |
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Analyse, modélisation et réduction du couplage de bruit par le substrat dans les imageurs CMOS |
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Analysis of displacement damage effects on CMOS image sensor design. |
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Apport de la technologie d'intégration 3D à forte densité d'interconnexions pour les capteurs d'images CMOS |
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Benefits of tri-dimensional integration for CMOS image sensors : case study of high dynamic range imagers. |
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Caractérisation par courant induit sous faisceau électronique (EBIC) à basse température de détecteurs infrarouges de 3ème génération |
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Circuits de lecture innovants pour capteur infrarouge bolométrique |
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Conception d'un capteur de photon unique en technologie 28 nm FD-SOI CMOS. |
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Conception d'un convertisseur Analogique-numérique à rampe par morceaux pour capteur d'image avec techniques de calibration |
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Contribution to the development of a three-dimensional integration technology for CMOS Active Pixel Sensors. |
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Contribution to the dynamic range improvement of CMOS image sensors with linear response. |
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Contributions à l'amélioration de la dynamique des capteurs d'image CMOS à la réponse linéaire |
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Design of an analog-digital converter based on a piecewise linear ramp for image sensor with calibration techniques. |
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Design of readout circuitry and analysis of temporal noise in CMOS active pixel image sensors. |
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Developing a method for modeling, characterizing and mitigating parasitic light sensitivity in global shutter CMOS image sensors |
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Development of a hole-based active pixel sensor and evaluation of its behavior under ionizing environment. |
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Développement et caractérisation de nouveaux procédés de passivation pour les capteurs d'images CMOS |
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Discrete fluctuations of dark current in imagers based on silicon and Indium Antimonide semiconductors. |
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Elaboration d'une technologie de pixels actifs à détection de trous et évaluation de son comportement en environnement ionisant |
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Electron beam induced current (EBIC) characterization at low temperature of third generation infrared detectors. |
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Estimation et modélisation de paramètres clés des capteurs d'images CMOS à photodiode pincée pour applications à haute résolution temporelle |
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Etude des bruits basse fréquence dans les détecteurs infrarouge quantiques refroidis à base de HgCdTe |
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Etude des effets singuliers produits par les particules énergétiques chargées de l'environnement radiatif spatial sur les capteurs d'images CMOS |
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Étude d'imageurs CMOS fortement dépeuplés pour l'amélioration des performances des futurs instruments d'observation spatiaux |
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Etude d'un système de conversion analogique-numérique rapide de grande résolution adapté aux nouvelles générations de capteurs d'images CMOS |
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Étude, modélisation des bruits et conception des circuits de lecture dans les capteurs d'images à pixels actifs CMOS |
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Études de nouvelles architectures de composants intégrés sensibles à la lumière en filière FDSOI pour les applications de type imageur |
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Fast scalable and variability aware CMOS image sensor simulation methodology |
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High-resolution CMOS image sensor integrating Capacitive Deep Trench Isolation. |
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Impact de bruit et couplages électro magnétiques dans les technologies 3D séquentielles : Etudes, modélisation et parade |
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Impact of noise and electromagnetic coupling in sequential 3D technologies : study, modeling and impact on circuit performance. |
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Innovative electrical characterizations of CMOS image sensors using test structures. |
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Méthode de simulation rapide de capteur d'image CMOS prenant en compte les paramètres d'extensibilité et de variabilité. |
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Modélisation pour la simulation et la prédiction des performances des photodiodes à avalanche en mode Geiger pour Lidars spatiaux |
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Modélisation, réalisation et caractérisation de photodiodes à base de semi-conducteurs organiques pour les imageurs CMOS innovants |
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New FDSOI-based integrated circuit architectures sensitive to light for imaging applications. |
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Nouvelle architecture de pixel CMOS éclairé par la face arrière, intégrant une photodiode à collection de trous et une chaine de lecture PMOS pour capteurs d'image en environnement ionisant |
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Novel back-side illuminated CMOS pixel architecture integrating a hole-based photodiode and PMOS readout circuitry for image sensors in ionising environment. |
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Silicon passivation study under low energy electron irradiation conditions. |
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Single Photon Avalanche Diode (SPAD) implementation in 28nm FD-SOI CMOS Technology. |
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Study and evaluation of FD-SOI devices on suspended structures for applications in the IR bolometry.. |
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Study and modeling of optical radiation to electrical signal conversion in CMOS-APS image sensors (active pixels sensors). |
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Study and optimization of a hole-collection image sensor : reduction of the operated voltages and of the dimensions of the pixel PhotoGate. |
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Study of a high speed high resolution analog to digital conversion system adapted for new generations of CMOS image sensors.. |
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Study of different parasitic currents and their induced effects in CMOS active pixel sensors. |
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Study of low frequency noise in IR cooled detectors made in HgCdTe. |
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Study of more depleted CMOS image sensors for increasing the performances of imaging systems for space applications. |
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Study of Single Event Effects induced by highly energetic charged particles of the space environment in CMOS image Sensors. |
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Study of the chain of indirect vision for applications with low colorimetric errors. |
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Thermographie courtes longueurs d'onde avec des caméras silicium : contribution à la modélisation radiométrique |
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