Hassani, Nadjib, 1960-....
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Title | Sources |
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Etude de la densité des états localisés dans le silicium amorphe hydrogène (intrinsèque ou dopé) à partir de la mesure d'admittance de diodes Schottry en régime quasi-stationnaire | |
Study of the density of localized gap states by admittances measurements of schottky barriers formed on hydrogenated amorphous silicon (intrinsic or doped) in the small signal approximation. |