Stiévenard, Didier, 1956-....
Stievenard, D.
VIAF ID: 2535215 ( Personal )
Permalink: http://viaf.org/viaf/2535215
Preferred Forms
- 200 _ | ‡a Stievenard ‡b Didier ‡f 1956-....
-
- 100 1 _ ‡a Stievenard, D.
- 100 1 0 ‡a Stievenard, D.
- 100 1 _ ‡a Stievenard, D.
-
- 100 1 _ ‡a Stiévenard, Didier, ‡d 1956-....
4xx's: Alternate Name Forms (1)
Works
Title | Sources |
---|---|
Acoustique picoseconde : une acoustique riche en couleurs | |
Caractérisation électrique d'alliages SiGe irradiés par électrons | |
Caractérisation électrique d'hétérostructures III-V : étude de l'influence de défauts d'irradiation et d'interface | |
Conception and realization of solar cells based on silicon nanostructures | |
Contribution à l'étude de faces clivées (110) de semiconducteurs III-V par spectroscopie STM en UHV : application au dopage planaire de silicium dans GaAs | |
Contribution à l'étude des défauts primaires ou complexes, créés par irradiation électronique, dans l'arseniure de gallium | |
Contribution à l'étude du greffage sur silicium de molécules de type cryptand aromatique à l'aide de techniques spectroscopiques (FT-IR et XPS) : observations et nano-indentation par microscopie à champ proche | |
Contribution à l'optimisation de l'interface Si3N4/Ga[subscript 0.47]In[subscript 0.53]As pour la réalisation de MISFETs à haute stabilité | |
Contribution to Si(3)N(4)/Ga(0.47)In(0.53)As interface optimization for high stability MISFET fabrication. | |
Contribution to the stability of defects in gallium arsenide. | |
Contribution to the study of III-V semiconductor-interfaces using photoelectron spectroscopies : GaAs - GaInP interface as a case study. | |
Contributions à la modélisation et à la fabrication de dispositifs silicium avancés | |
Détection électrique d'anticorps sériques humains à l'aide d'un nanocapteur | |
Détection électronique d'une interaction biomoléculaire entre des électrodes nanostructurées | |
Elaboration et caractérisation physique par microscopies à champ proche de nanostructures semi-conductrices | |
Electric detection of human serum antibodies using a nanosensur. | |
Electrical characterizations of semiconductors heterostructures. | |
Étude des propriétés électroniques et structurelles d'impuretés, de défauts ponctuels et de boîtes quantiques auto-assemblées présents dans un cristal d'arséniure de gallium par microscopie à effet tunnel | |
Formation of titanium silicide electrodes and nanowires on Si(111) surface as a mean to contact nannostructures. | |
Grafting of organic groups on the surface of silicon. | |
Greffage d'espèces organiques à la surface du silicium | |
Ion implantation in semiconductors, c1988: | |
Jonctions nanométriques à base d'électrodes ou de nanofils en siliciure de titane | |
New MOS architecture in nanometric regime : design and fabrication of low Schottky barrier MOSFET transistors on SOI substrate. | |
Nouvelles structures de cellules solaires à base de silicium : texturation, passivation et association de réseaux de nanostructures métalliques avec une couche Down-Conversion | |
Oxydation basse température assistée par plasma des alliages silicium-germanium | |
Properties of carbon nanotubes probed by electrostatic force microscopy and Raman spectroscopy, anglais | |
Quantum transport in semiconductor nanostrucures = Transport quantique dans des nanostructures semiconductrices | |
Rare earth doped si based frequency conversion layer for si solar cell | |
Study of deep-level defects induced by electron-irradiation in n- and p-type silicon-germanium (si#1#-#xge#x) semiconductor alloys. | |
Study of the electronic and structural properties of impurities, point defects and self-organized quantum boxes in a gallium arsenide crystal by scanning tunneling microscopy. | |
Top-down fabrication, characterisation and applications of silicon nanowires. | |
Transport électronique dans les systèmes quantiques confinés. |