Caractérisation électrique de transistors à effet de champ avancés : transistors sans jonctions, sur réseaux de nanotubes de carbone ou sur nanofil en oxyde d'étain |
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Caractérisation et modélisation de la variabilité au niveau du dispositif dans les MOSFET FD-SOI avancés |
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Characterization and modelling of device level variability in advanced FD-SOI MOSFETs. |
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Characterization of oxygen ions in biased resistive memory by advanced TEM. |
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Characterization of TFETs made using a Low-Temperature process and innovative TFETs architectures for 3D integration. |
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Contraintes mécaniques en micro, nano et optoélectronique |
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Contribution à l’étude des non-linéarités du troisième ordre des mélangeurs BiCMOS |
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Contribution to experimental study of access resistance in deca-nanometric CMOS FD-SOI technologies transistors. |
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Contribution to the study of the third order non-linearity of BiCMOS mixers. |
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Design and study of electronic devices based on ZnO nanowires networks for biodetection. |
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Design, study and modeling of a new generation of silicon nanowire transistors for biosensing applications. |
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Electrical characterization and modeling of low dimensional nanostructure FET |
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Electrical characterization of junctionless transistors with numerical simulation. |
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Etude de l’Impact des procédés d’empilement de grille des technologies FDSOI 14/28nm sur la fiabilité et le contrôle électrostatique grâce à l'utilisation conjointe de caractérisations électriques et physicochimiques. |
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Etude de la mobilité dans des transistors intégrant un oxyde de forte permittivité et une grille métallique |
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Étude de l'effet de champ et du transport dans des réseaux aléatoires percolants de nanofils de silicium |
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Etude de l'influence des procédés technologiques de type BiCMOS à haute densité d'intégration sur la réalisation de bases fines très dopées dans les transistors bipolaires submicroniques |
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Etude de l'intégration de transistors à canal en graphène épitaxié par une technologie compatible CMOS |
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Étude des mécanismes de vieillissement et impact sur les performances dans les mémoires Flash NOR 40nm |
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Etude des transistors MOS silicium-sur-isolant à grilles multiples tenant en compte de l'ingénierie de la bande interdite et des effets d'auto-échauffement |
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Etude électromécanique de nanofils piézoélectriques semi conducteurs. Application aux capteurs et recuperateurs d’énergie mecaniques. |
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Étude et caractérisation d'un procédé intégrable pour la fabrication de composants supportés ou suspendus à base de graphène CVD |
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Etude numérique des effets électrothermiques dans les nanodispositifs de Silicium. |
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Etude physique des transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe intégrés dans une technologie BiCMOS 0,35 µm = hysical study of integrated Si/SiGe heteronjunction bipolar transistors |
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Etude théorique des propriétés thermiques et thermoelectriques des nanorubans de graphène |
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Etude théorique du fonctionnement des dispositifs à effet de champ haute mobilité à hétérojonction |
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haracterization of integrated Si/SiGe hetero-junction bipolar transistors: correlation to the technology and elements for compact modelingzeng. |
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High-frequency noise and circuit properties of advanced FDSOI transistors |
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Impact of 14/28nm FDSOI high-k metal gate stack processes on reliability and electrostatic control through combined electrical and physicochemical characterization techniques |
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Influence des contraintes mécaniques non-intentionnelles sur les performances des transistors MOS à canaux ultra-courts |
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Innovative bioFET sensors for electrical detection of biological species. |
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Investigation of degradation mechanisms and related performance concerns in 40nm NOR Flash memories. |
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Lithographie à très haute résolution par l'auto-assemblage du PS-b-PDMS et les gravures plasma associées : application à la fabrication de matrices de nanorubans de graphène |
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Low Frequency Noise in advanced MOSFET technologies : From experimental observations to new extraction and modeling methods. |
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Matrice de nanofils piézoélectriques interconnectés pour des applications capteur haute résolution : défis et solutions technologiques |
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Méthodologie de fabrication de transistors à base de Graphène : application aux composants optoélectroniques hyperfréquences |
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Multi-scale modeling of size effects and electromechanical couplings in nanostructures. |
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Numerical study of electro-thermal effects in silicon devices |
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Piezoelectric generators based on semiconducting nanowires : simulation and experiments |
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Propriétés électriques et modélisation des dispositifs MOS avanvés : dispositif FD-SOI, transistors sans jonctions (JLT) et transistor à couche mince à semi-conducteur d'oxyde amorphe. Electrical properties and modeling of advanced MOS devices : FD-SOI device, Junctionless Transistor, and Amorphous-Oxide-Semiconductor Thin Film Transistor |
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THE SEMICONDUCTOR BOLTZMANN EQUATION MATHEMATICAL STUDY AND NUMERICAL SIMULATION. |
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Simulation quantique du transport électronique dans les dichalcogénures de métaux de transition bidimensionnels désordonnés |
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Study and characterization of the mechanical stress influence on electronic transport properties in advanced MOS architectures. |
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Study and modelling of mis transistors on indium phosphide. |
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Study, fabrication and characterization of planar double gate CMOS transistors in the deca-nanometer range. |
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Study of field effect and transport in random percolating networks of silicon nanowires. |
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Study of free carrier in MOSFETs integrating a metallic gate and a high-k material as a gate oxide. |
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Study of silicon-on-insulator multiple-gate MOS structures including band-gap engineering and self heating effects. |
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Theoretical study and SiGe/SiGeC bipolar transistors linearity performances optimization for gain/linearity/consumption trade off improvement for 3GPP radiofrequency integrated receivers. |
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Theoretical study of heterojunction high mobility field-effect-transistors. |
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Theoretical study of mobility degradation in FDSOI architectures for advanced technological nodes (< 20 nm). |
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Theoretical study of thermal and thermoelectric properties of graphene nanoribbons. |
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Transport dans les transistors MOS avancés : exploitation de la magnétorésistance du canal |
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Tunnel Field Effect Transistors Based on Two-Dimensional Materials. |
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Understanding of mechanical stress contribution on the electrical performances of advanced transistors on SOI. |
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