Wallart, Xavier, 1962-....
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Works
Title | Sources |
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Caractérisation de la formation des interfaces silicium-titane et silicium-siliciures de titane | |
Contribution à l'étude de l'épitaxie par jets moléculaires à grande échelle de semi-conducteurs phosphorés | |
Contribution to the study of large scale molecular beam epitaxy of phosphorus containing semiconductor compounds. | |
Croissance de pseudo-substrats GaN semi polaire (10-11) sur silicium sur isolant (SOI) | |
Croissance directe de graphène par dépôt chimique en phase vapeur sur carbure de silicium et nitrures d'éléments III | |
Croissance épitaxiale d'hétérostructures antimoniées sur substrats fortement désadaptés en maille pour applications aux transistors à effet de champ | |
Croissance localisée dans le plan des nanostructures III-V par épitaxie par jets moléculaires. | |
Density of states, band offset and charge injection in one-dimensional semiconductor nanostructures studied with multiple probes scanning tunneling microscopy | |
Dichalcogénures de métaux de transition : défauts ponctuels et jonctions étudiés par DFT et STM | |
Direct growth of graphene by chemical vapor deposition on silicon carbide and III-nitrides. | |
Dispositifs optoélectroniques avec des teneurs en In et Ga réduites | |
Epitaxial growth of Sb-based heterostructures on highly mismatched substrates for field effect transistor applications. | |
Étude de semiconducteurs III-V non-stoechiométriques pour l'échantillonnage de signaux hyperfréquences | |
Growth by molecular beam epitaxy of AlInAs/Ga1-xInxAs/InP delta doped heterostructures for HEMT device applications. | |
Growth of semi polar GaN (10-11) on silicon on insulator substrate SOI. | |
Hétérostructures polaires et non polaires à base de nitrure de gallium épitaxiées sur ZnO pour applications optoélectroniques | |
Implementation of molecular beam epitaxy for monocrystalline diamond growth. | |
Intégration de matériaux III-V à base d'arséniures et d'antimoniures pour la réalisation de transistors TriGate et NW à haute mobilité | |
Intégration monolithique de matériaux III-V et de Ge sur Si en utilisant des buffers oxydes cristallins | |
Metalorganic vapour phase epitaxy and characterization of III-As semiconductors on silicon substrate in a microelectronic platform. | |
Mise en oeuvre de l'épitaxie par jets moléculaires pour la synthèse de diamant monocristallin | |
Monolithic integration of semiconductor III-V and Ge on Si by using crystalline oxide buffers. | |
Optoelectronic devices with reduced In and Ga content. | |
Selective area molecular beam epitaxy and characterization of III-V nanostructures. | |
Structural, optical, electrical properties of GaP-based nanostructures and alloys for integrated photonics on silicon. | |
Study of non-stoichiometric III-V semiconductors for microwave signals sampling. | |
Transistors à effet tunnel vertical à hétérojonction AlGaSb/InAs pour électronique basse consommation. | |
Two-dimensional transition metal dichalcogenide : point defects and junctions studied from DFT and STM. |