AlGaN quantum dots grown by molecular beam epitaxy for ultraviolet light emitting diodes |
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Analyse de la structure locale et propriétés optiques de semiconducteurs nitrures pour le développement des diodes électroluminescentes efficaces au-delà du vert. |
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Analysis of the local structure and optical properties of nitrides semiconductors for LEDs beyond the green wavelength range. |
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Boîtes quantiques AlGaN par épitaxie par jets moléculaires pour diodes électroluminescentes ultraviolettes. |
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Caractérisation des Cellules Solaires à Nanofils avec Techniques par Faisceau d’Electrons. |
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Composants photoniques à base de fils de nitrures d'élément III : du fil unique aux assemblées |
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Compréhension et suivi des processus physico-chimiques aux Interfaces d'un capteur de gaz microondes |
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Croissance de l'alliage AlGaN en configurations planaire et nanopyramidale pour la réalisation de LEDs UV-C efficaces |
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Croissance par procédé HVPE et caractérisations de nanofils III-As. |
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Developments of devices based on III-V nanowires for photovoltaics. |
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Développement de nouvelles structures de μDELs UV à effet de champ |
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Développement des dispositifs à base des nanofils III-V pour le photovoltaïque |
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Dispositifs optoélectroniques avec des teneurs en In et Ga réduites |
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Electrical characterization of III-V semiconductor nanowires for photovoltaic applications. |
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Energy efficiency evaluation of GaN-based microwires for the fabrication of micro-LEDs displays. |
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Epitaxy of GaN on graphene substrate. |
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Etude des caractéristiques électro-optiques de micro-LED GaN pour application aux micro-écrans haute-luminance |
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Étude du rendement énergétique de micro-fils à base de GaN pour la réalisation d'écrans micro-LEDs |
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Etude et optimisation de l'étape de passivation des µLED bleues GaN-InGaN |
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Étude théorique de la faisabilité des LED à base de ZnGeN2 |
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Excitonic properties in bulk GaN and GaN nanowires under high excitation |
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Fabrication et caracterisation de nanodispositifs à base de nanofils de semiconducteurs III-V. |
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Fabrication et l'étude des modules de cellules solaires à base de nanofils de silicium. |
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GaN/AlGaN nanowires for quantum devices. |
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Growth of the AlGaN alloy in planar and nanopyramid configuration for the realization of efficient UV-C LEDs. |
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HVPE growth and optical spectroscopy of GaN microwires and InxGa1-xN nanowires for LED application. |
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III-nitrides on silicon : a platform for integrated photonics from the ultraviolet to the near-infrared |
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III-V-on-Si nanowire-based solar cells for tandem applications |
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Molecular beam epitaxy growth and characterization of nanowires based InGaN/GaN heterostructures for the realization of microLEDs devices.. |
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N and p-type doping of GaN nanowires : from growth to electrical properties |
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Nanofils AlxGa1-xN et AlN pour la réalisation de diodes émettant dans l'UV-C |
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Nanofils de GaN/AlGaN pour les composants quantiques |
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Nanofils de GaN dopés de type n et de type p : de la croissance aux propriétés électriques. |
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Nanofils de semiconducteurs à grande énergie de bande interdite pour des applications optoélectroniques |
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Nanofils piézoélectriques de nitrure pour la récupération d'énergie et la détection de pression |
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Nanostructures hybrides combinant nanofils III-V et matériaux fonctionnels pour le contrôle de l'émission optique |
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New field effect UV μLEDs development. |
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Nitride nanowire light-emitting diode |
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Nitride nanowire photonic devices : from single wires to ordered arrays. |
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Nitrures d’éléments III sur silicium : une plateforme de photonique intégrée de l’ultraviolet jusqu’au proche infrarouge. |
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Nouveaux substrats pour la croissance de nitrures d'éléments III. |
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Novel substrates for growth of III-Nitride materials |
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Optics and structure of metal clusters at the atomic scale |
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Optimisation du rendement quantique des dispositifs luminescents à base de nitrures opérant du jaune au rouge. |
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Optimization of the internal quantum efficiency of luminescent devices based on GaN and operating from the yellow to the red |
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Optique et structure d'agrégats métalliques à l’échelle atomique. |
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Optoelectonics properties of InGaN/GaN core-shell nanowire LEDs. |
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Optoelectronic devices with reduced In and Ga content. |
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Physique des transitions intersousbandes des hétérostructures de GaN/ALN pour l'optoélectronique à lambda =1,3-1,55 microns |
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Piezoelectric nitride nanowires for energy harvesting and pressure sensing, anglais |
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Piézoélectricité dans des nanofils uniques de III-N pour la nanopiézotronique : analyse par microscopies à sonde locale |
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Piezoelectricity in single III-Nitride nanowires for nanopiezotronics : a scanning force microscopy investigation. |
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Plasma-enhanced CVD growth of cubic and hexagonal diamond silicon nanowires with liquid-solid mixed catalysts for photovoltaic applications |
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Propriétés excitoniques dans le GaN massif et les nanofils de GaN sous forte excitation. |
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Quantum cascade infrared heterodyne detector. |
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la recherche des propriétés optiques et électriques sur les nanofils LEDs et photodétecteur. |
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the research of optical and electrical properties on nanowire LED and photodetector |
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SiGe photonic integrated circuits for mid-infrared sensing applications |
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Spectroscopie du temps de vie de la cathodoluminescence pour des LEDs efficaces à base de nitrure d'élément III |
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Spectroscopie optique de nanostructures GaN/AlN insérées dans des microcavités planaires et des microdisques |
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Spectroscopie optique et électronique de semiconducteurs 2D et de défauts dans le microscope électronique. |
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Study and optimization of the passivation step of blue GaN-InGaN µLEDs. |
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Study of electro-optical characteristics of GaN micro-LEDs for high-brightness-micro-displays. |
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Theoretical study and feasibility of ZnGeN2-based LED. |
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Tunnel junctions in nitride heterostructures for optoelectronic applications. |
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Understand and overcome the limitations of silicon/amorphous silicon (a-Si ˸H) nanowire solar cells |
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Understanding and monitoring of physical and chemical processes at the interface of a microwave gas sensor. |
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Wide bandgap semiconductor nanowires for optoelectronic devices. |
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