Advanced functional characterizations of power transistors for the validation of nonlinear models of SC devices used in CAD packagesS. |
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Amplification de puissance à haut rendement en bande L et en technologie GaN intégrant une pré formation de la tension de commande d'entrée |
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Analyse et Mesure des Structures Différentielles RF Faible Bruit |
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Analysis and development of the characterization of power, power added efficiency and linearity of power transistors operating under pulsed conditions. |
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Analysis and Measurement of Low Noise RF Differentials Architectures. |
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Behavioral modeling of power amplifier with memory for large band application used in telecommunication and RADAR systems. |
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Caractérisation non linéaire avancée de transistors de puissance pour la validation de leur modèle CAO |
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Conception d'un amplificateur haut rendement à modulation de charge active en technologie GaN pour application à la radionavigation par satellite |
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Conception, modélisation et caractérisation de cellules de puissance innovantes en technologie MMIC pour des applications spatiales |
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Conception orientée délai : étude, développement et réalisation d'une boucle à verrouillage de phase large bande stabilisée par une boucle à verrouillage de délai |
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Contribution à la réalisation d'amplificateurs de puissance en technologie CMOS 65 nm pour une application au standard UMTS |
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Contribution au développement d'une filière de transistors bipolaires à hétérojonction de très forte puissance en bandes L et S pour applications de télécommunications civiles et radar |
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Contribution to the study of power amplification using a GaN technology by envelope tracking principle. |
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Design, Modeling and Characterization of MMIC new power cells for Space-Borne Applications. |
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Develoment of a time domain envelope measurement system of nonlinear microwave devices. |
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Développement d'un banc de load-pull actif innovant, utilisant un signal multi-tons large bande pour la mesure de la linéarité (EVM, NPR, ACPR) des dispositifs actifs |
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Développement d'un système de mesure temporel d'enveloppe de dispositifs non linéaires microondes |
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Dual approach including TCAD modelling and advanced electrical characterization to determine localization and traps signature of GaN HEMTs. on SiC substrate. |
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Dual gate and drain dynamic voltage biasing of RF GaN amplifier applied to a multilevel pulsed RF signals. |
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Dynamic management of the power production in high frequency for numerical modulations : Application to the optimization of millemeter amplifier's performances. |
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Etude et mise en œuvre d'un banc intégré et étalonné 4 canaux pour la caractérisation temporelle de dispositifs non-linéaires hyperfréquences |
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GaN power transistors modeling : design of a Doherty power amplifier for adaptive power transmitter. |
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High efficiency improvement for wideband, high power amplifier based on Gallium Nitride. |
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High efficiency switched mode power amplification at L band with GaN technology. |
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Highly efficient and linear GaN power amplifier based on a digital Doherty architecture. |
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Linéarisation d'un émetteur mixte (analogique et numérique) utilisant une boucle cartésienne en technologie CMOS 65nm pour les communications mobiles avancées. |
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Linearization of a transmitter using an IC digital/analog cartesian feedback in 65nm CMOS for advanced communication standards |
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Linearization of high efficiency power amplifiers by combining digital predistortion and envelope tracking techniques. |
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Méthode de conception de multiplicateurs de fréquence d'ordre n. : Application à la réalisation d'un tripleur MMIC [36-39 GHz] pour module de communication aux fréquences millimétriques |
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Modeling of the solid state power amplifier non linear memory using dynamic volterra series for system level microwave simulations. |
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Modélisation comportementale d'amplificateurs à mémoire pour des applications à large bande utilisées dans les systèmes de télécommunications et les systèmes RADARs |
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Modélisation comportementale et conception de linéariseurs d’amplificateurs de puissance par technique de prédistorsion numérique |
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Narrow pulses characterization and modelling of hetero junction bipolar transistor in InP Technology. |
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New characterization methods and nonlinear modeling of electrothermal and trapping effects of GaN HEMTs dedicated to the analysis of pulse-to-pulse stability in radar applications. |
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A new GaN based high speed and high power switching circuit for envelope tracking modulators. |
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New tone reservation PAPR reduction techniques for multicarrier systems |
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Noise characterization methods for multi-port radiofrequency devices. |
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Nouvelles techniques de réduction du PAPR pour les applications à porteuses multiples. |
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Ohmic contact regrown by MOVPE for GaN-based HEMT type devices. |
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Optimisation du rendement en puissance ajoutée des amplificateurs de puissances large bande à base de Nitrure de Gallium |
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Polarisation dynamique de drain et de grille d'un amplificateur RF GaN appliquée à un fonctionnement RF impulsionnel à plusieurs niveaux |
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Reprise de croissance MOVPE des contacts ohmiques pour des dispositifs de type HEMT à base de GaN |
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Study and design of a tunable SOI duplexer multiband for future generations of mobile systems. |
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Study of linearisation techniques for third generation radiocellular base station amplifiers. |
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Système automatique de caractérisation des quadripoles non linéaires microondes : application à la conception optimale d'amplificateurs et d'oscillateurs de puissance |
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Time domain characterization of nonlinear microwave devices : application to broadband multitone signais. |
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A Time domain envelope measurement setup conception : Applications to the NPR measurement and behavioral modeling of power amplifiers. |
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Validation et extension non analytique de la théorie des modèles de Volterra à noyaux dynamiques pour la modélisation des amplificateurs à TOP |
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Wideband integrated Doherty amplification circuit for cellular radio power applications. |
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