Piotrowicz, Stéphane, 19..-....
VIAF ID: 217382530 (Personal)
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Works
Title | Sources |
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Caractérisation et modélisation des pièges par des mesures de dispersion basse-fréquence dans les technologies HEMT InAIN/GaN pour l'amplification de puissance en gamme millimétrique | |
Characterization and modeling of GaN diodes dedicated to power electronics. | |
Conception et réalisation d'amplificateur de puissance MMIC large-bande haut rendement en technologie GaN | |
Contribution to the improvement of the Efficiency and the Pulse-to-Pulse stability performances of power amplifiers, based on Gallium Nitride transistors, for S-Band RADAR applications. | |
Design and realizations of wideband and high efficiency GaN MMIC high power amplifiers. | |
Développement de solutions originales pour l’intégration 3D de dispositifs RF et millimétriques à base de nanotubes de carbone. | |
Études des potentialités des composants à base de nitrure de gallium pour des applications mélangeurs à large bande de fréquence | |
Intégration monolithique de HEMT's sur substrat InP en vue de l'amplification de puissance en bande V | |
Parasitic effects characterization in GaN HEMTs : development of 3ω measurement bench. | |
Study and conception of GaN Doherty amplifiers in Quasi - MMIC technology on C band. | |
Study of gallium nitride devices characteristics for ultra wide band mixer applications. | |
Transistor GaN sur Si 200mm compatible CMOS pour l'amplification de puissance en bande Ka : optimisation de l'empilement de grille | |
Traps’ characterization and modeling by the study of the output conductance dispersion at low frequencies, in InAlN/GaN HEMT technologies for the amplification in millimetric range. |