Dupuy, Jean-Claude, 19..-...., spécialiste en électronique
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Works
Title | Sources |
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Caractérisation physico-chimique, simulation et modélisation d'une technologie analogique avancée BICMOS = hysico-chemical cbaracterization simulation and modelization of an BICMQS Advanced Analogue Technology | |
Développement d'une optique à haute tension pour l'étude des surfaces par électrons lents | |
Etude de la sensibilité et de la résolution en profondeur lors de l'analyse par spectrométrie de masse des ions secondaires : pplication à la silice et au silicium | |
Etude des propriétés et de l'intégration de barrières auto-positionnées sur cuivre formées par des procédés de siliciuration et de dépôts auto-catalytiques dans les interconnexions des circuits intégrés microélectroniques des générations 45 nm = roperties and integration of self-aligned barriers on copper formed by silicidation and electroless deposition processes within microelectronic integrated circuit interconnects of 45nm technology nodes | |
Etude et caractérisation du matériau CuAI1% utilisé en tant que couche de germination pour améliorer les performances de fiabilité des interconnexions des technologies 45 nm et ultérieures Study and characterization of the material CuAl1% used as a layer of germination to improve the performance reliability of interconnection technologies and future 45 nm | |
Formation of titanium disilicide from Ti-Si structures : Dopant redistribution influence. | |
Improvement of the depth resolution in SIMS analysis by deconvolution : specific algorithms and application to ultra-thin doped layers of the silicon micro-electron. | |
[Study of sensitivity and depth resolution during analysis by secondary ion mass spectrometry : applications to silicon and silica]. | |
Ultimate secondary ion mass spectrometry of advances microelectronics' materials : contribution to the interpretation of boron profiles in silicon. |