Duboz, Jean-Yves, 1964-...., physicien
Duboz, Jean-Yves 1964-...
VIAF ID: 217142340 ( Personal )
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Works
Title | Sources |
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Control of spontaneous emission of semiconductor quantum dot inserted in microstruc-tures with original confinement. | |
Croissance et caractérisation de nanofils/microfils de GaN | |
Croissance par EJM à boîtes quantiques sur des couches localement dopées par FIB | |
Design, fabrication and characterization of InSb avalanche photodiode. | |
Détecteur en silicium sur cristal photonique par absorption non linéaire à deux photons | |
Développement et application de la technique analytique de courant induit par faisceau d'électrons pour la caractérisation des dispositifs à base de nanofils de nitrure de gallium et de silicium | |
Dispositifs intersousbandes à base de nitrures d'éléments III du proche infrarouge au THz | |
Élaboration de structures laser d'éléments III-N émettant dans le vert | |
Elaboration of III-N laser diodes emitting in green wavelength. | |
Electrical, optical, and electro-optical properties of GaN microwires for the fabrication of LEDs. | |
Electron Beam-based Techniques for the Characterization of Nanowire Solar Cells | |
Épitaxie et caractérisation optique des hétéro-structures de nitrures-III non-polaires et semi-polaires | |
Fabrication and study of AIN optical resonators containing GaN quantum dots for UV emitters and new concepts for the growth of GaN on silicon substrates | |
Fabrication et caractérisation de photodétecteurs à superréseaux InAs/GaSb pour le lointain infrarouge. | |
Fabrication et caractérisation des microcavités à base de ZnO en régime de couplage fort : laser à polaritons | |
Fabrication et étude de résonateurs optiques à base d'AIN contenant des boîtes quantiques GaN pour l'émission UV et nouveaux concepts pour la croissance du GaN sur substrat silicium. | |
Growth and characterization of GaN nanowires/microwires. | |
Intersubband devices based on III-nitrides from near infrared to THz. | |
MBE-overgrowth of quantum dots and FIB-written doping patterns. | |
Nanostructuration par FIB filtrée pour l'élaboration de nanostructures semi-conductrices organisées | |
Nitride nanowire light-emitting diode | |
Novel substrates for growth of III-Nitride materials | |
Opto-electronics and transport properties of (Al,Ga)N/GaN heterostructures for achieving UV detectors. | |
Optoelectonics properties of InGaN/GaN core-shell nanowire LEDs. | |
Propriétés électroniques et optiques des hétérostructures métal/semiconducteur | |
Propriétés optoélectroniques de LEDs à nanofils coeur-coquille InGaN/GaN | |
Réalisation de méta-optiques à base de matériaux semi-conducteurs III-V pour des applications dans le visible | |
Relaxation des contraintes dans les hétérostructures épaisses (Al,Ga)N : une piste originale pour la réalisation de diodes électroluminescentes à cavité résonante | |
Second harmonic generation in III-nitride waveguides. | |
Silicon photonic crystal telecom detector using two-photon absorption. | |
Spectroscopy of photoelectric processes in III-N structures and devices. | |
Stress relaxation in thick (Al,Ga)N heterostructures : an innovative way to grow resonant cavity. | |
Study of the modifications induced in AlxGa1-xN semiconductors under swift heavy ion irradiation. | |
Tunnel junctions in nitride heterostructures for optoelectronic applications. |