Planson, Dominique, 1965-....
Planson, D.
VIAF ID: 216170435 (Personal)
Permalink: http://viaf.org/viaf/216170435
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- 100 1 _ ‡a Planson, Dominique, ‡d 1965-....
Works
Title | Sources |
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Analysis and characterization of the electrical performance of Gallium Nitride components. | |
Caractérisation, modélisation et intégration de JFET de puissance en carbure de silicium dans des convertisseurs haute température et haute tension = haracterization, modelling and integration of silicon carbide power JFET in high temperature high voltage converters | |
Caractérisations des défauts profonds du SiC et pour l'optimisation des performances des composants haute tension | |
Conception d'un circuit intégré en SiC appliqué aux convertisseur de moyenne puissance | |
Conception d'une nouvelle génération de redresseur Schottky de puissance en Nitrure de Gallium (GaN), étude, simulation et réalisation d'un démonstrateur | |
Conception et caractérisations électriques de diodes de type TMBS et de transistors de type MOSFET en diamant pour la microélectronique de puissance | |
Conception et fabrication de dispositifs bipolaires haute tension basés sur 4H-SiC. | |
Conception et optimisation de thyristors optiques en carbure de silicium pour des applications d'électronique impulsionnelle | |
Conception et réalisation de protections intégrées sur puce silicium et développement de nouvelles cellules de commutation monolithiques pour convertisseur de puissance | |
Conception, réalisation et caractérisation d'un composant limiteur de courant en carbure de silicium = Conception, realisation and characterisation of a silicon carbide current limiting device | |
The contribution to the development of the super-gain BJT and of a four-quadrants bidirectional switch. | |
Contribution to the study of degradation modes of transistors HEMT based on GaN for power applications.. | |
Contribution to the study of failure mecanisms of the IGBT under high electrical and thermal stresses. | |
Contribution to the study of the effect of ageing of the power modules on their electrothermal behavior. | |
Contribution to the understanding and the reduction of the current collapse effect in AlGaN/GaN HEMTs and diode on Si substrate for power electronics. | |
Deep levels characterizations in SiC to optimize high voltage devices. | |
Deposition of doped and intrinsic heteroepitaxial diamond films on Ir/SrTiO₃/Si (100) multilayer stacks. | |
Design and electrical characterization of TMBS diodes and diamond MOSFETs for power microelectronics. | |
Design and optimization of light triggered thyristor in silicon carbide for pulse power applications. | |
Design and realization of integrated protections on silicon chip and development of new switching cells for power converters. | |
Design, conception, and fabrication of high-voltage bipolar devices based on 4H-SiC | |
Design of a new generation of Gallium Nitride Schottky power rectifier, study, simulation and realization of a demonstrator. | |
Design of an integrated circuit in SiC applied to medium power converter. | |
Design of peripheral junction protections suitable for monocristalline diamond Schotky diodes. | |
Design, simulation and electrical evaluation of 4H-SiC Junction Field Effect Transistor. | |
Détermination des coefficients d'ionisation de matériaux à grand gap par génération multi-photonique | |
Determination of the ionization rates of wide bandgap semiconductors using multi-photon generation process. | |
Development of technological bricks for the achievement of gallium nitride based Schottky diodes. | |
Développement de transistor AlGaN/GaN E-mode sur substrat silicium 200 mm compatible avec une salle blanche CMOS | |
Développement et réalisation technologique de composants HEMTs en Nitrure de Gallium (GaN) présentant la fonctionnalité " Normally-off " | |
Épaississement et dopage de films de diamant hétéroépitaxiés sur substrats multicouches Ir/SrTiO₃/Si (100) | |
Etude de fiabilité et définition de modèles théoriques de vieillissement en très haute température pour des systèmes électronique et microélectronique | |
Etude de la fiabilité de composants GaN en conversion d'énergie | |
Etude des risques d'arc électrique dans les batteries lithium-ion | |
Etude expérimentale et modélisation des limites dimensionnelles de composants de puissance GaN pour convertisseurs haut rendement. | |
Etudes électrothermiques de dispositifs électroniques innovants pour les technologies submicroniques | |
Evaluation of the reliability of GaN technologies in power conversion. | |
Experimental and simulation study of GaN device size limitations for high efficiency power converters | |
Impact de la modélisation physique bidimensionnelle multicellulaire du composant semi-conducteur de puissance sur l'évaluation de la fiabilité des assemblages appliqués au véhicule propre | |
Impact of bidimensional physical modeling multicellular of power semiconductor device on the evaluation of the reliability package applied to own vehicle. | |
Implantation ionique dans le GAN pour la réalisation de zones dopées et localisées, de type P | |
Implanted dopants activation in silicon carbide (3C-SiC and 4H-SiC). | |
Implementation of high voltage Silicon Carbide rectifiers and switches | |
Innovative substrates for GaN-based power devices. | |
Investigation into trapping mechanisms and impact on performances and reliability of GaN HEMTs through physical simulation and electro-optical characterization | |
Investigation of SiC power device packaging technologies for high temperature applications. | |
Ionic implantation in GAN to achieve a doped and localized P-type region. | |
MAX phase growth on SiC ohmic contact stable and reliable at high temperature. | |
Measurements of the opto-electronical properties of silicon carbide by means of microwave phase-shift and spectral sensitivity. | |
Mesures des propriétés opto-électriques du carbure de silicium par déphasage micro-onde et sensibilité spectrale | |
Une méthodologie pour la conception des convertisseurs basés sur les composants sic et gan pour les applications automobiles. | |
Mise en oeuvre de nouveaux matériaux d'assemblage dans les modules multipuces de puissance (MCM) | |
Module de puissance à base SiC fonctionnant à haute température | |
Multiphysics characterization of GaN materials and devices for power applications | |
Optimisation des étapes technologiques pour la fabrication de composants de puissance en carbure de silicium = ptimization of technological steps for silicon carbide devices fabrication | |
Porous silicon for TRIAC peripheries. | |
Proceedings 9th EDPE | |
Realization of schottky diodes on 3C-SiC : grown on silicon. | |
Realization of silicon carbide neutron detectors. | |
Study of a high temperature solution growth process for the development of heavily doped 4H-SiC substrates. | |
Study of the robustness of SiC JFET transistors under electrical stress. | |
Substrats innovants pour des composants de puissance à base de GaN | |
Technology of monolithic integration of Side JFET. | |
Use of new bonding materials for multi chip module (MCM). |