Christol, Philippe, ingénieur
Philippe Christol universitaire et physicien français
VIAF ID: 215124997 ( Personal )
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Works
Title | Sources |
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Analyse des performances des photodiodes à superréseaux InAs/GaSb pour le moyen infrarouge | |
Caractérisation et modélisation par éléments finis des performances des détecteurs infra-rouge refroidis à petits pas | |
Contribution à la compréhension du courant d'obscurité dans les détecteurs infrarouges matriciels à base de matériaux III-V | |
Contribution to the understanding of the dark current in III-V arrays photodiodes detectors. | |
Design, fabrication and characterization of InSb avalanche photodiode. | |
Détecteur quantique à superréseaux 'Ga-free' fonctionnant à haute température dans la totalité de la gamme spectrale du moyen infrarouge | |
Elaboration de photocathode AsGa pour tube de vision nocturne | |
Elaboration of GaAs photocathode for night vision systems. | |
Etude de phénomènes terahertz à l'aide de dispositifs GaN. | |
Etude des propriétés structurales et des défauts dans le système CdxHg1-xTe | |
Étude du comportement des cellules solaires pérovskites aux irradiations protons et électrons | |
Étude du dopage extrinsèque dans CdHgTe pour la réalisation de photodiodes infrarouges | |
Étude et réalisation de gyromètres à détection thermique | |
Les excitons dans les nanostructures semiconductrices : modélisation dans un espace de dimension fractionnaire | |
Experimental and theoretical study of the angular response and of the off-band spectral response of high performances infrared detectors. | |
Finite element modeling and experimental charaterization of cooled infrared detector with small pitch. | |
Mesure par OCVD de la durée de vie des porteurs minoritaires dans des jonctions en GaSb, en GaAs et en Si : simulations et expérimentations | |
Modélisation et caractérisation du transport électrique dans le silicium microcristallin pour des applications photovoltaïques | |
Modélisation et caractérisation expérimentale du phénomène de luminescence induit par l'irradiation de protons dans les détecteurs IR HgCdTe en environnement spatial | |
New architectures for infrared superlattices detector. | |
New Sb-based photodetectors for mid-infrared detection. | |
Nouvelles structures photodétectrices à base d'antimoniures pour la détection du moyen infrarouge | |
OCVD measurement for extraction of minority carrier lifetime in GaSb, GaAs and silicon junctions : simulations and experimentations. | |
Performances orientées système de détecteurs infrarouge à super-réseaux en cryostat opérationnel | |
Quantum cascade infrared heterodyne detector. | |
Radiation reliability analysis of FPGA-based systems : testing methodologies and analytical approaches | |
Spectral modeling of HgCdTe infrared detector arrays : application to a micro-spectrometer. | |
Spectroscopie optique des puits quantiques GaInAs-GaAlAs. Importance du rôle joué par la bande spin-orbite | |
Structures de semiconducteurs II-VI à alignements de bande de type II pour le photovoltaïque | |
Study and realization of thermal sensing gyroscopes. | |
Study of advanced structures for HOT IR quantum detection. | |
Study of extrinsic doping in CdHgTe for the realisation of Infrared detector. | |
Study of terahertz phenomena using GaN devices | |
Study of the perovskite solar cells behaviour under proton and electron irradiations. | |
Study of the structural properties and defects in CdxHg1-xTe / Cd1-yZnyTe system and investigation of technological improvements for Infrared detection at high temperature | |
Superlattice InAs/GaSb photodétectors. |