Tournié, Eric, 1962-
Tournié, Éric
Éric Tournié universitaire
VIAF ID: 214941804 ( Personal )
Permalink: http://viaf.org/viaf/214941804
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Works
Title | Sources |
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Composés III-V nitrurés : vers l'optoélectronique à 1,55 um sur GaAs | |
Croissance de boîtes quantiques In(Ga)As sur substrats de silicium et de SOI pour la réalisation d'émetteurs de lumière | |
Croissance et propriétés des couches minces de silicium hydrogéné déposées au voisinage de la zone de transition amorphe nanocristalline par PECVD à partir d'un plasma de silane dilué dans un gaz d'argon. | |
Croissance par MBE et caractérisation de structures GaInAsP pour la réalisation de circuits intégrés photoniques à base d'amplificateurs optiques à très large bande spectrale | |
Défauts dans le silicium : vers une nouvelle plateforme pour les technologies quantiques | |
Détecteur quantique à superréseaux 'Ga-free' fonctionnant à haute température dans la totalité de la gamme spectrale du moyen infrarouge | |
Développement de diodes laser à faible largeur de raie pour le pompage atomique et d'un MOPA (Master Oscillator Power Amplifier) à 780 nm pour le refroidissement d'atomes de Rubidium et la réalisation de capteurs inertiels | |
Elaboration and properties of InGaN-based nanowires for the realization of micro- and nanoLEDs. | |
Elaboration de photocathode AsGa pour tube de vision nocturne | |
Elaboration et analyse de diodes lasers émettant entre 2.3 µm et 3.1 µm | |
Elaboration et propriétés de nanofils à base d'InGaN pour la réalisation de micro et nanoLEDs | |
Elaboration of alkali antimonide second generation photocathode by molecular beam epitaxy technique. | |
Elaboration of GaAs photocathode for night vision systems. | |
Épitaxie de GaSb sur substrat Si(001)“on-axis”pour l'optoélectronique intégrée | |
Epitaxie directe de semiconducteurs III-V sur substrat de silicium pour dispositifs photoniques | |
Etude de la réponse acoustique des collages directs et temporaires | |
Étude et conception d'un nouveau système de confinement pour le VCSEL GaSb émettant dans le moyen-infrarouge | |
GaN/AlGaN heterostructures for infrared optoelectronics : polar vs nonpolar orientations. | |
Growth and optical characterization of Sb-based materials on InP for optical telecommunication | |
Growth and properties of hydrogenated silicon thin films deposited near the nanocrystalline amorphous transition region from Argon diluted silane plasma.. | |
Hétérostructures antimoniures/arséniures pour les applications optoélectroniques dans le moyen infrarouge | |
High operating temperature Ga-free superlattice quantum detector for the full MidWave InfraRed spectral domain. | |
Influence du carburant et des systèmes de post-traitement des gaz d'échappement sur les émissions non réglementées des scooters, voitures et camions. | |
Infrared quantum cascade devices based on GaN/AlGaN and ZnO/ZnMgO semiconductors. | |
InP based tandem solar cells integrated onto Si substrates by heteroepitaxial MOVPE | |
Intégration des matériaux III-V antimoniures sur substrat de silicium | |
Intégration d'une fonction de discrimination intelligente du type d'appui sur une dalle tactile résistive multipoints | |
Intégration hybride de sources laser III-V sur Si par collage direct et recroissance pour les télécommunications à haut débit | |
Integration of III-V materials with arsenides and antimonides for the production of TriGate transistors and high mobility NWFET. | |
Intérêt du traitement néo-adjuvant pat tamoxifène dans le cancer du sein | |
Laser à semiconducteur à 1.55 um a emission par la surface en cavité étendue en régime de blocage de modes. | |
Laser telecom à base de GaSb. Intégration sur Silicium | |
Liquid phase epitaxy of gainassb and inassbp solid solutions. Application to the realization of laser diodes and photodetectors operating near 2.5 micrometers. | |
Manufacturing and study of multi-junction Photovoltaic Cells using antimonide-based materials (III-Sb) for high concentrated solar applications.. | |
Mesures de traces de gaz par spectroscopie d'absorption par diodes lasers accordables. Application à la surveillance de l'environnement | |
Mid-infrared optoelectronics : materials, devices, and applications | |
Nano-objets semi-conducteurs III-V écocompatibles | |
Nouvelles sources lasers à super réseau InAs/GaSb/InSb pour l'émission moyen infrarouge | |
Optical spectroscopy of hexagonal boron nitride : from bulk to monolayer | |
Optoelectronic components based on Ge-rich SiGe alloys for near and mid infrared. | |
Point defects in silicon : towards a novel platform for quantum technologies. | |
Procédé d'intégration hétérogène de CdHgTe pour le développement de détecteurs infrarouges refroidis | |
Processing and analysis of laser diodes emitting between 2.3 µm et 3.1 µm. | |
Pulse generation from mode locked VECSELS AT 1.55 um | |
Quantum sensing and nanophotonic devices XI : 2-6 February 2014, San Francisco, California, United States | |
Quantum spin Hall effet in III-V materials. | |
Redistribution des états de contrainte dans l'alliage germanium-étain pour des applications laser CMOS-compatibles à température ambiante et accordables en longueur d'onde | |
Semiconductor lasers : fundamentals and applications | |
Semiconductor waveguides for frequency conversion in the infrared. | |
Source moyen infra-rouge largement accordable à base de réseaux de QCL | |
Sources laser compatibles silicium à base de Ge et GeSn à bande interdite directe | |
Spectroscopie optique du nitrure de bore : du massif vers la monocouche. | |
Strain states management in GeSn alloys for CMOS and wavelength tunable applications at room temperature. | |
Strained HgTe/CdTe topological insulators, toward spintronic applications | |
Structural caracterization of GaSb and GaP based heterostructures grown on Si (001). | |
Study and development of a new confinement way for the GaSb-based VCSEL emitting in the mid-infrared range. | |
Study of the incorporation of Bismuth into antimonide-based materials grown by molecular beam epitaxy. | |
SUDOC (France) in VIAF, July 27, 2013 | |
Technologie et étude de résonateurs plasmoniques à base d'InAsSb : vers une plasmonique tout semi-conducteur | |
Terahertz Spectroscopy of Topological Phase Transitions in HgCdTe-based systems | |
Towards a tensile strained, N doped germanium laser. | |
Trace-gas monitoring by Quartz Enhanced Photoacoustic Spectroscopy (QEPAS).Application to the environmental monitoring.. | |
Transistor Quantique InAs à Electrons Chauds : Fabrication submicronique et étude à haute fréquence | |
Vers un laser germanium dopé N et contraint en tension | |
Widely tunable mid infrared source based on a QCL array. |