Pichaud, Bernard, 1947-...
VIAF ID: 214901142 ( Personal )
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Works
Title | Sources |
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Caractérisation, compréhension et modélisation de l'évolution des défauts induits par des cycles thermiques dans le silicium | |
Caractérisation des mécanismes élémentaires de dislocations provoqués dans le Cuivre pur par une contrainte controlée | |
Characterization, understanding and modelling of the evolution of the defects induced by the cycles of processes in the silicon. | |
DISLOCATION-POINT DEFECT INTERACTIONS IN SILICON SINGLE CRYSTALS: QUANTIFICATION OF THE DISLOCATION SINK EFFECT ON SELF-INTERSTITIALS BY GOLD DIFFUSION. | |
Etude de la faisabilité de caissons traversant dans le silicium pour application aux composants de puissance | |
Etude de l'adaptation des paramètres cristallins de NiSi et Si par substitution du nickel | |
Étude des mécanismes de création de défauts lors de la réalisation de structures minces silicium-sur-isolant par les procédés SIMOX Faible Dose et Smart-Cut® | |
Feasability of deep wells in silicow for power devices applications. | |
FITTING THE NISI#2 CELL PARAMETERS TO THAT OF SI BY SUBSTITUTION OF NICKEL. | |
Formation d'un complexe platine-oxygène dans les redresseurs rapides à base de silicium : conséquences sur leur fonctionnement | |
Interaction between metallic impurities and cavities generated by high energy helium implantation in single silicon crystal. | |
Interaction entre impuretés métalliques et cavités créées par implantation He+ haute énergie dans du silicium monocristallin | |
Interactions dislocations-défauts ponctuels dans le silicium monocristallin : quantification de l'effet de puits des dislocations sur les auto-interstitiels par diffusion de l'or | |
Investigation of structural defects in silicon by light scattering. | |
Platinum in fast rectifiers : influence of defects, interfaces abd precipitation on reverse characteristic. | |
Platinum-oxygen complex formation in fast silicon rectifiers : impact on their operating parameters. | |
Réalisation de jonctions ultra courtes par multi-implantation dans du Si | |
Silicon carbide 4H and 3C : microstructures of deformation in the fragile domain. | |
Study and production of dislocations and stacking faults in n doped SiC-4H by transmission electron microscopy. | |
Study by X-ray diffraction and Transmission Electron Microscopy of GaInAs layers grown on GaAs {111} off-cut substrates : relation between stress, structure and chemical composition. | |
Study of defect generation mechanisms during the elaboration of thin silicon on insulator structures with the Low Dose SIMOX and SMART-CUT® processes. | |
Study of recombining activity of dislocations in silicon FZ and CZ. |