Addition de Ge dans le système chimique H-Si-C durant l'épitaxie de SiC. |
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Addition of Ge to the H-Si-C chemical system during SiC epitaxy |
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Carbure de silicium pour la dissociation photoélectrochimique directe de l'eau. |
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Compréhension des mécanismes de conduction électrique verticale au travers de ces substrats SiC innovants réalisés par la technologie Smart Cut™ |
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Compréhension des mécanismes de montée capillaire du silicium liquide au sein d'un matériau composite SiC(fibres)/SiC(matrice) |
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Croissance de monocristaux massifs de carbure de silicium cubique |
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Croissance en phase gazeuse d' Al4SiC4 et étude d'hétérostructures dans lesystème Al-Si-C sur SiC |
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Croissance et caractérisation des fibres monocristallines LuAG dopées par la technique de micro-pulling down. |
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La croissance et le dopage de couches 3C-SiC hétéroépitaxiales sur des substrats α-SiC en utilisant le mécanisme vapeur-liquide-solide. |
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Cubic silicon carbide crystal growth from high temperature solution. |
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Cubic Silicon Carbide For Direct Photoelectrochemical Water Splitting |
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Dépôt de silicium polycristallin contenant du carbone pour des applications radiofréquence |
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Diamond Schottky diodes improvement to pave the way to high power electronic application. |
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Elaboration et caractérisation de couches de nitrure d'aluminium AlN par CVD haute température en chimie chlorée |
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Etude de la transition 3C-6H au sein de monocristaux de 3C-SiC approche par diffusion diffuse des rayons X |
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Étude de l'incorporation des dopants N et Al dans des films de carbure de silicium épitaxiées en phase vapeur |
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Etude des matériaux pérovskites pour la détection directe des rayonnements ionisants |
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Etude des perturbations optiques et du crazing dans les cristaux de DKDP |
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Étude et caractérisation de la synthèse de milli-billes d'alumine alpha et de la cristallogenèse du saphir pur et dopé titane (Ti3+) |
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Evaluation of doping in 4H-SiC by optical spectroscopies |
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Films de diamant monocristallin dopés au bore pour des applications en électronique de puissance |
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Growth and characterization of aluminium nitride layers by high temperature chloride CVD. |
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Growth and characterization of Ce doped LuAG single crystal fibers by the micropulling down technique |
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Growth and doping of heteroepitaxial 3C-SiC layers on α-SiC substrates using Vapour-Liquid-Solid mechanism |
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Growth of thick and widened high quality boron doped single crystal diamond : investigation and reduction of extended defects for the optimization of high power devices for a clean energy transition |
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Interactions entre le silicium liquide et le carbure de silicium, application au composite SiC/SiC |
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Investigation of dopant incorporation in silicon carbide epilayers grown by chemical vapor deposition. |
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Microscopie de biréfringence et caractérisation de matériaux à grand gap |
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Modélisation des procédes de croissance de SiC en phase gazeuse (PVT) et en phase liquide (TSSG) |
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Nitrogen incorporation and polytype stability of SiC single crystal growth from the vapor phase. |
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Nouveau matériau semi-conducteur à large bande interdite à base de carbures ternaires - Enquête sur Al4SiC4 |
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Novel wide bandgap semiconductor material based on ternary carbides - An investigation into Al4SiC4. |
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Numerical and experimental study of metallic alloys vacuum evaporation : application to VAR process for Zircaloy-4. |
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Optimisation d'un procédé de dépôt plasma micro-onde pour l'élaboration de substrats de diamant fortement dopés au bore |
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Optimization of a microwave plasma CVD process for the preparation of highly boron doped diamond substrates. |
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Process modeling for the growth of SiC using PVT and TSSG methods. |
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Reconstruction of vicinal SiC surfaces in liquid silicon at high temperature. |
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Silicon carbide 4H and 3C : microstructures of deformation in the fragile domain. |
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Silicon Carbide and Related Materials 2014 : Selected , peer reviewed papers from the European Conference on Silicon Carbide & Related Materials ( ECSCRM 2014 ) , September 21-25 , 2014 , Grenoble , France |
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Study and characterization of alpha alumina milli-billes synthesis and undoped and titanium (Ti3+) sapphire crystal growth. |
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Study of a high temperature solution growth process for the development of heavily doped 4H-SiC substrates. |
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Study of optical distortions and crazing in DKDP crystals. |
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Study of perovskite materials for direct detection of ionizing radiation. |
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Study of the 3C-6H transition in 3C-SiC single crystals : Approach using diffuse X-ray scattering. |
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Study of the nucleation of cubic SiC on hexagonal SiC substrates from a Si-Ge liquid phase. |
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Sublimation growth of Al4SiC4 and study of heterostructures of Al-Si-C system on SiC.. |
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Techniques alternatives de cristallogenèse du carbure de silicium |
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Understanding the capillary infiltration mechanisms of molten silicon in a SiC(fibers)/SiC(matrix) composite material. |
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