Bollaert, Sylvain, 1965-....
VIAF ID: 213192168 ( Personal )
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Works
Title | Sources |
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3D integration transistor silicon-germanium nanowires on CMOS chips. | |
Composants ultra rapides pour applications en ondes millimétriques et submillimétriques | |
Conception, fabrication et caractérisation de transistors double-grille de la filière Al InAs/GaInAs adapté en maille sur substrat InP | |
Design, realisation and characterisation of heterojunction-based field-effect transistors on inp substrate for coplanar wave guide integrated circuits in v and w bands. | |
Développement de composants analogiques embarqués dans des microcontrôleurs destinés à l'Internet des Objets (loT) | |
Etude de HEMT's AlInAs/GaInAs à désertion et à enrichissement pour applications haute fréquence | |
Étude et perspective des transistors à hétérostructure AlInAs/GaInAs de longueur de grille inférieure à 100 nm et conception de circuits intégrés en bande G | |
Etude théorique et expérimentale de transistors à effet de champ à canaux quasi-unidimentionnels | |
Fabrication and characterization of InAlAs/InGaAs High Electron Mobility Transistors on plastic flexible substrate | |
Fabrication et Caractérisation d’un transistor MOSFET III-V pour les applications de haute performance et de basse puissance. | |
Fabrication et caractérisation du HEMT InP pour amplification faible bruit THz | |
InP-HEMT pour les applications THz. | |
Intégration de semi-conducteurs III-V sur substrat Silicium pour les transistors n-MOSFET à haute mobilité | |
Optimization of dielectric/GaN interface for MIS gate power devices. | |
Réalisation et caractérisation électrique de transistors HEMTs AlInAs/GaInAs de longueur de grille sub-50 nanomètres et de transistors sans couche tampon | |
Study and fabrication of MOSFET with III-V materials. | |
Study and fabrication of nanometer devices for THz applications. | |
Study and prospect of AlInAs/GaInAs HEMTs with sub-100 nm gate length and design of integrated circuits in G band. | |
Study of AlInAs/GaInAs based E-Mode and D-Mode HEMT's for high frequency applications. | |
Study, realization and characterization of an E-HEMT on InP substrate with high static and dynamic performances, for low noise applications. | |
Theoritical Ans Experimental Study Of Striped Channel Hemt. | |
Wide-band optoelectronic spectral characterisation of Terahertz detectors. |