Zaknoune, Mohammed, 19..-....
VIAF ID: 212077250 ( Personal )
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Works
Title | Sources |
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Conception and realisation of field effect transistors on InP substrate for power amplification in W band. | |
Design and optimization at the highest frequency of a heterodyne receiver at 1.2 THz for the JUICE-SWI instrument. | |
Développement d’une nouvelle filière de transistors bipolaires à hétérojonction AlIn(As)Sb/GaInSb en vue applications térahertz | |
Étude de la technologie et des potentialités pour l'amplificaton de puissance hyperfréquence des transistors à effet de champ des filières phosphure AlGaInP/GaInAset métamorphique AlInAs/GaInAs sur substrat GaAs | |
GaN Schottky diodes for THz generation | |
Laser telecom à base de GaSb. Intégration sur Silicium | |
Ohmic contact regrown by MOVPE for GaN-based HEMT type devices. | |
Recherche et évaluation d'une nouvelle architecture de transistor bipolaire à hétérojonction Si/SiGe pour la prochaine génération de technologie BiCMOS | |
Reprise de croissance MOVPE des contacts ohmiques pour des dispositifs de type HEMT à base de GaN | |
Study and development of InP/GaAsSb heterojonctions bipolar transistors transferred on silicon in order to enhance thermal dissipation. | |
Transistor Quantique InAs à Electrons Chauds : Fabrication submicronique et étude à haute fréquence | |
Transistors à effet tunnel vertical à hétérojonction AlGaSb/InAs pour électronique basse consommation. | |
Wireless communications at terahertz frequencies : application for the high-definition television in real time. |