Rouvière, Jean-Luc, 19..-...., auteur(e) en physique
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Works
Title | Sources |
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Advanced transmission electron microscopy studies of semiconductor nanocrystals synthesized by colloidal methods | |
Apport du couplage broyage/dissolution sur la dissolution de matériaux réfractaires | |
Atomic structure of 001 tilt grain boundaries in silicon and germanium. | |
Boîtes et fils de Ge sur Si(001) ordonnés à longue distance par des réseaux de dislocations de flexion | |
Caractérisation de nanofils de silicium par microscope électronique en transmission | |
Contribution of the coupling milling | |
Dark-field electron holography : a reliable technique for measuring strain in microelectronic devices. | |
Development of characterization methods for in situ annealing and biasing of semiconductor devices in the TEM | |
Développement de techniques de diffraction électronique pour l’étude de matériaux bi- et tri-dimensionnels. | |
Développement de techniques quantitatives en microscopie électronique à balayage en transmission | |
Etude expérimentale des effets mécaniques et géométriques sur le transport dans les transistors nanofils à effet de champ | |
Holographie électronique en champ sombre : une technique fiable pour mesurer des déformations dans les dispositifs de la microélectronique | |
Matériaux II-VI pour détection IRR. Relation entre les défauts dans les cristaux CdZnTe et leurs conditions de croissance | |
Mesure de composition par imageries à résolution atomique appliquée aux super-réseaux GeTe/Sb2Te3 | |
Mesure de déformation par CBED : développement et application d'une approche multi-clichés | |
Mesure des déformations et des contraintes par diffraction électronique en faisceau convergent (cbed) | |
Microscopie électronique et nanostructures des nitrures | |
Nanofils à hétérostructures axiales GaAs/InAs pour applications photoniques sur Si | |
Ordered growth of germanium dots induced by the strain field of tilt dislocations in molecular bonded silicon (001) thin films. | |
Redistribution atomique de contaminants métalliques aux interfaces des structures des technologies CMOS | |
Strain and stress field measurement by convergent beam electron diffraction (CBED). | |
Strain measurement at the nanometer scale by transmission electron microscopy. | |
Strain measurement by CBED : development and application of a multiple patterns approach. | |
Structure atomique des joints de grains de flexion d'axe <001> dans le silicium et le germanium | |
Study of strain and electrical properties in Si nanowire transistors. | |
Ternary II-VI materials for cooled infrared detectors : relationship between defects and CdZnTe growth conditions. |