Accepter les imperfections : réseaux de neurones matériels pour le calcul neuromorphique. |
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The Back-End Selector : From material development to device performances |
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Caractérisation de lacunes d'oxygène dans les diélectriques à haute permittivité à destination des transistors « High-k Metal Gate » |
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Characterization of oxygen vacancies in high-k dielectrics used in HKMG stacks. |
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Conception et fabrication de sélecteurs non-linéaires à base d'effet tunnel |
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Conception et Fabrication hybride 3D monolithique de relais NEMS co-integrés CMOS |
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Conception et procédés de fabrication avancés pour l'électronique ultra-basse consommation en technologie CMOS 80 nm avec mémoire non volatile embarquée |
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Design and advanced manufacturing processes for ultra low-power electronic in CMOS 80 nm technology with embedded non-volatile memory. |
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Design and Fabrication of 3D Hybrid CMOS/NEM relays technology for energy-efficient electronics. |
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Design of tests vehicles for emerging non-volatiles memories study. |
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Development and characterization of innovative nonvolatile OxRAM memory cells compatible with advanced nodes |
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Development of non-volatile memory arrays on flexible substrate for printed electronic circuits. |
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Développement de nouvelles architectures de sélecteurs pour mémoires non-volatiles embarquées dans des plateformes technologiques avancées 28nm |
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Développement d'une nouvelle génération de point mémoire de type EEPROM pour les applications à forte densité d'intégration |
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Electrical characterization and analysis of energy efficient embedded non-volatile memory based on ferroelectric materials. |
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Electrical characterization and technological optimization of Conductive Bridge RAM CBRAM devices to improve performance, speed and reliability. |
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Embracing Imperfections : Hardware-compatible Neural Networks for Neuromorphic Computing |
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Etude de la fiabilité de mémoires PCRAM : analyse et optimisation de la stabilité des états programmés |
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Etude de la fiabilité des mesures électriques par la microscopie à force atomique sur couches diélectriques ultra-minces : Développement d'une technique de pompage de charge résolue spatialement pour la caractérisation des défauts d'interface |
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Etude de mémoire non-volatile hybride CBRAM OXRAM pour faible consommation et forte fiabilité |
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Étude des mécanismes de vieillissement et impact sur les performances dans les mémoires Flash NOR 40nm |
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Etude et développement de diélectriques avancés pour des transistors imprimés low-voltage |
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Etude et développement de mémoires résistives pour l’électronique flexible. |
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Etude et optimisation de nouveaux types de capteurs pour la détection de polluants en milieu aquatique |
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Fabrication and characterisation of Hf0.5Zr0.5 O2 based ferroelectric tunnel junctions for neuromorphic application. |
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Implémentation de PCM (Process Compact Models) pour l'étude et l'amélioration de la variabilité des technologies CMOS FDSOI avancées |
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Impression et recuits sélectifs d'encres métalliques sur papier – Optimisation des propriétés électriques de boucles RFID-HF en vue d'une production industrielle |
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Intégration et caractérisation électrique d'éléments de mémorisation à commutation de résistance de type back-end à base d'oxydes métalliques. |
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Investigation of degradation mechanisms and related performance concerns in 40nm NOR Flash memories. |
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Investigation of HfO2-based resistive RAM cells by electrical characterization and atomistic simulations. |
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Investigation of hybrid CBRAM/OXRAM non-volatile memories for low consumption and high reliability. |
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Lead-free microstructured materials for energy harvesting. |
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Matériaux sans plomb micro structurés pour la récupération d'énergie |
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Modélisation multi-échelles des mémoires de type résistives (ReRAM) |
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Modélisation, simulation et caractérisation électrique de cellule mémoire DRAM 1T : A2RAM |
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Multi-scale modeling of resistive random access memories (ReRAM). |
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Nouvelle génération de dispositifs hyperfréquences passifs reconfigurables électroniquement basés sur la technologie de commutation CBRAM non volatile |
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Nouvelles dispositifs mémoires résistives à commutation analogue pour applications en tant que synapses artificielles |
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Optimisation of charge-trapping non-volatile memories architectures for microcontroller and stand-alone applications. |
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Printing and selective sintering of metal based inks on paper – Optimization of electrical properties of RFID-HF loops for industrial production. |
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Procédé de croissance et caractérisation avancée de nanocristaux de silicium pour une intégration dans les mémoires non-volatiles |
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Réalisation de jonctions tunnel ferroélectriques pour la mise en œuvre de synapses artificielles. |
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Reliability analysis of spintronic device based logic and memory circuits. |
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Reliability study of PCRAM cells : analysis and optimization of the stability of programmed states. |
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Resistance switching in transition metal oxides and its application to memory devices. |
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RRAM co-integration with OTS-based back-end selector : from devices to applications |
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Study and optimization of new types of sensors for the detection of pollutants in the aquatic environment. |
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Study by modeling and characterization of innovative transistor architecture for logic circuits in an embedded non-volatile memory environment. |
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Study of amorphous chalcogenide materials and of their electrical threshold properties targeting the development of selector devices for resistive memories. |
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Study of MTJ devices (Multiple Tunnel Junctions) and intégration of high-K materials for high density integration flash memories. |
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Study of the reliability of the electrical measurements obtained by atomic force microscopy : Development of a charge pumping method with spatial resolution. |
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