3D integration of complementary resistive switching devices in CMOS back end of line. |
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The Back-End Selector : From material development to device performances |
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Caractérisation des transistors à nanocristaux de silicium et des transistors SON par les techniques de bruit basse fréquence et de bruit télégraphique aracterisation of silicon nanocristals transistors and SON transistors using low frequency and telegraphic noise technique |
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Chambres à vapeur ultra-minces en silicium embarquées pour l'atténuation de points chauds sur les dispositifs de la microélectronique |
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CMOSFET 3D à multicannaux : fabrication et propriétés électriques. |
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Conception et fabrication de nouvelles architectures CMOS et étude du transport dans les canaux de conduction ultra minces obtenus avec la technologie SON = Conception & fabrication of new advanced CMOS architectures and Study of transport in ultra thin Si films obtained with Silicon On Nothing (SON) technology |
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Croissance et caractérisation électrique de nanocristaux d'InAs / SiO2 pour des applications de mémoires non volatiles sur silicium |
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Dépôts Si et SiGe fortement dopés pour applications bipolaires avancées |
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Design and fabrication of tunnel effect-based non-linear selectors. |
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Développement d'ISFET ultrasensibles et compatibles CMOS dans le BEOL des transistors industriels UTBB FDSOI. |
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Electrical characterization of Ge nanocrystals embeddes MOS structures for non volatile memory applications. |
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Embedded ultra-thin silicon vapor chambers for the cooling of microelectronics devices hotspots. |
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Etude de l'intégration du collage direct cuivre/oxyde pour l'élaboration d'une architecture 3D-SIC |
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Etude de matériaux chalcogénures amorphes et de leurs propriétés de commutation électrique pour la conception de dispositifs sélecteurs dédiés aux mémoires résistives |
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Etude des interactions matériaux et des mécanismes électrochimiques aux interfaces des électrodes d'un empilement mémoire à base d'oxydes métalliques |
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Etude des mécanismes de transport électrique dans des structures à base de nanocristaux de silicium ordonnés = Transport through ordered nanocrystals based nanostructures |
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Étude des mémoires résistives (RRAM) à base d'HfO2 : caractérisation et modélisation de la fiabilité des cellules mémoire et des nouveaux dispositifs d'accès (Sélecteurs) |
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Étude et optimisation de capteurs d'oxyde d'azote (NO2) à base de couches sensibles de dioxyde d'étain (SnO2) pour des applications aux mesures de la qualité de l'air |
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Etude par spectroscopies de photoluminescence et d'admittance des propriétés électroniques d'hétérostructures Si1-xGex : Si pour composants avances de la microélectronique silicium |
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Etude théorique du dimensionnement d'une matrice bolométrique au pas de 5µm, par report de dispositifs SOI sur structures suspendues pour des applications dans l'imagerie infrarouge non refroidi |
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Etudes optiques et électriques des propriétés électroniques de nano-cristaux de silicium pour composants mono-électroniques = ptical and electrical studies of silicon dot properties for single electron devices |
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Growth by MOCVD and properties of InAs |
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Heavily doped Si and SiGe layers for advanced bipolar transistors. |
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Impact de la géométrie dans les mémoires non volatiles à piégeages discrets. |
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Impact of geometry on charge trap non volatile memories |
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Indium oxide nanoparticles for resistive non-volatile memory compatible with CMOS Back-end off line.. |
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Influence de la culture disciplinaire et sociale des chercheurs sur la perception des impacts, l'acceptation et l'acceptabilité de nanocapsules de vectorisation ciblée au regard du contexte d'usage clinique |
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INL Institut des nanotechnologies de Lyon : UMR CNRS 5270 |
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Innovative bioFET sensors for electrical detection of biological species. |
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Innovative Memory Device targeting embedded Non Volatile Memory applications for the 28 nm node and beyond. |
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Intégration 3D de dispositifs SETs dans le Back-End-Of-Line en technologies CMOS 28 nm pour le développement de capteurs ultra basse consommation. |
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Intégration de matériaux à forte permittivité diélectrique dans les mémoires non volatile avancées |
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Intégration de microcanaux pour l'évacuation forcée de la chaleur au sein de puces 2D et 3D |
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Intégration d'une méthode d'actuation électrocinétique sur biocapteur plasmonique |
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Investigation and optimisation of electrical performances and reliability of Conductive Bridge Memory based on chalcogenide/Ag or metal oxide/Cu Technologies. |
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Investigation of HfO2 based Resistive Random Access Memory (RRAM) : characterization and modeling of cell reliability and novel access device. |
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Localization of silicon nanowires on micro and nano structured surfaces of Si3N4 & SiO2. |
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Mémoires embarquées non volatiles à grille flottante : challenges technologiques et physiques pour l'augmentation des performances vers le noeud 28nm |
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Microchannel integration for forced heat removal on 2D and 3D chips. |
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[Modeling and characterization of single electron clevices] : [Single-Electron Transistors and Single-Electron Memories]. |
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Modulation du travail de sortie de grilles métalliques totalement siliciurées pour des dispositifs CMOS déca-nanométriques = ork function modulation of totally silicided metal gates for deca-nanometric CMOS device |
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Nanostructures d'oxyde d'indium pour les mémoires résistives RRAM intégrées en CMOS Back-End-Of-Line |
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Nouvelle génération de mémoire à changement de phase non volatile pour des applications à très basse consommation |
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Optimisation des mémoires résistives OxRAM à base d'oxydes métalliques pour intégration comme mémoires embarquées dans un nœud technologique CMOS avancé |
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Optimization of the Oxide-Resistive RAM technology in view of its applications as embedded memories in advanced CMOS nodes. |
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Phase Change Memory (PCM) for High Density Storage Class Memory (SCM) Applications. |
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Réalisation et caractérisation opto-électrique d'un nanopixel à base de nanocristaux de Silicium = Fabrication and electro-optical characterization of a silicon-nanocrystal-based nanopixel |
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Reconfigurable Logic Architectures based on Disruptive Technologies |
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Reliability study of PCRAM cells : analysis and optimization of the stability of programmed states. |
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Remplissage de cavités par épitaxies sélectives de Si : As, Si : P et SiGe( : B) pour la microélectronique |
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Réseaux de neurones impulsionnels basés sur les mémoires résistives pour l'analyse de données neuronales |
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RRAM co-integration with OTS-based back-end selector : from devices to applications |
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Spiking neural networks based on resistive memory technologies for neural data analysis. |
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Study and optimization of nitrogen oxide (NO2) sensors based on tin dioxide thin films for air quality measurement applications. |
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Study and optimization of silicide and intermediate beol thermal stability for 3D sequential integration. |
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Study of amorphous chalcogenide materials and of their electrical threshold properties targeting the development of selector devices for resistive memories. |
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Study of defects introduced by the integration of Si /SiGe heterojunction bipolar transistors in an advanced BiCMos technologyzeng. |
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Study of materials interactions and electrochemical mechanisms at the interfaces of electrodes of a memory stack based on metal oxides. |
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Study of optoelectronic properties of structures and components based on Si nanostructures. |
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Study of the contact etching with a double patterning strategy for advanced technological nodes. |
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Study of the integration of copper/oxide direct bonding for the development of a 3D-SIC architecture. |
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Theoretical study of mobility degradation in FDSOI architectures for advanced technological nodes (< 20 nm). |
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Theoretical study of the design of a 5µm pitch bolometer matrix, by wafer bonding of SOI devices on suspended structures for applications in uncooled infrared imaging. |
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Toward the Next generation of Non Volatile Phase-Change Memory Targeting Ultra-Low Power Consumption. |
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Ultra Shallow Junotion studies and integration for 45 nm and below technology node. |
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