Monroy, Eva
Eva Monroy
VIAF ID: 205011165 ( Personal )
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Preferred Forms
- 100 0 _ ‡a Eva Monroy
- 100 1 _ ‡a Monroy, Eva
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Works
Title | Sources |
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Boîtes quantiques de semi-conducteurs nitrures pour des applications aux capteurs opto-chimiques | |
Contrôle de l'homogénéité et de la composition en indium dans les nanofils InGaN synthétisés par HVPE | |
Croissance EJM et caractérisation de Zn3N2 et Mg3N2 : de l'épitaxie à la science des matériaux | |
Defect engineering applied to the development of high quality heteroepitaxial semipolar GaN for optoelectronic applications. | |
Détecteurs de neutrons à base de nitrure de bore et ses alliages | |
Development of AlGaN nanostructures for the fabrication of electron pumped UV lasers. | |
Development of nitrides based nanostructures towards infrared optoelectonic devices. | |
Development of technological building blocks for the monolithic integration of ammonia-MBE-grown AlGaN/GaN HEMTs with silicon MOS devices. | |
Développement de briques technologiques pour la co-intégration par l'épitaxie de transistors HEMTs AlGaN/GaN sur MOS silicium | |
Dispositifs de puissance en diamant à base de contact Schottky : réglage des propriétés interfaciales pour démontrer les performances ultimes du diamant | |
Dispositifs optoélectroniques à hautes fréquences dans la région du moyen infrarouge. | |
Étude à l'échelle atοmique οf des propriétés structurelles et οptiques des systèmes nanométriques. | |
Etude de biais de mesure de composition par SAT dans les matériaux semi-conducteurs. | |
Étude de deux nouvelle approches pour la réalisation de cellule solaire à base d'InGaN | |
Etudes électro-optiques et TEM corrélées sur nanofils hétérostructurés III-N uniques | |
GaN/AlGaN nanowires for quantum devices. | |
Growth of InGaN nanowires by HVPE with the control of indium composition and substrate homogeneity. | |
Growth of InGaN nanowires for photovoltaic and piezoelectric energy harvesting. | |
High Indium Concentration InGaN Multi-Quantum-Well-Based Blue-Green Light-Emitting Diodes Grown on InGaN “Semi-Bulk” Buffer. | |
Highf requency optoelectronic devices in the mid infrared wavelength region. | |
III-Nitride nanostructures for UV emitters. | |
III-nitride quantum dots for application in opto-chemical sensors. | |
InGaN/GaN Multiple Quantum Wells for Photovoltaics. | |
Ingénierie des défauts cristallins pour l'obtention de GaN semi-polaire hétéroépitaxié de haute qualité en vue d'applications optoélectroniques | |
Intersubband transitions in the GaN/AlN quantum wells in the near infrared to THz frequency. | |
Investigation of new approaches for the realization of InGaN based solar cells. | |
Jonctions tunnel dans les hétérostructures des matériaux nitrures pour applications optoélectroniques | |
MBE-growth and characterization of Zn3N2 and Mg3N2 : from epitaxy to materials science. | |
Microscopie corrélative des nanostructures de nitrures d'éléments III : application à la photonique | |
Nanostructures à base de semi-conducteurs nitrures pour l'émission ultraviolette | |
Nanostructures Al (Ga) N/GaN pour l'optoéléctronique intersousbande dans l'infrarouge proche et moyen | |
Nanostructures en ZnO pour l'électronique et la récupération d'énergie | |
Neutron detectors based on boron nitride and its alloys. | |
New concepts for the development of polaritonic emitters in the mid-IR and THz range | |
Nouveaux concepts d'émetteurs polaritoniques dans les gammes spectrales du moyen-infrarouge et THz. | |
Optimisation d'hétéro-structures à multipuits quantiques InGaN sur sous-couche InGaN pour diodes electroluminescentes émettant dans le domaine spectral bleu-vert | |
Physico-chemical properties of defects in II-VI alloys for infrared detection. | |
Plasma-assisted molecular beam epitaxy of (11-22)-oriented III-nitrides. | |
Propriétés physico-chimiques des défauts dans les alliages II-VI pour la détection infrarouge | |
Puits quantiques de composés nitrures InGaN/GaN pour le photovaoltaique | |
Schottky contact based diamond power devices : tuning the interfacial properties to demonstrate diamond unleashed performance. | |
Spectroscopie optique de nanostructures GaN/AlN insérées dans des microcavités planaires et des microdisques | |
Structural, optical, electrical properties of GaP-based nanostructures and alloys for integrated photonics on silicon. | |
Study of the physical mechanisms leading to compositional biases in atom probe tomography of semiconductors. | |
Transitions intersousbandes dans les puits quantiques GaN/AlN du proche infrarouge au THz | |
Vertical transport study in GaN-based heterostructures for opto- and micro-electronic applications. |