Salvestrini, Jean-Paul
Jean Paul Salvestrini researcher ORCID ID = 0000-0002-0482-1178
VIAF ID: 204946792 ( Personal )
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Works
Title | Sources |
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Autofocalisation photoréfractive de faisceaux d’Airy : interactions non linéaires et guidage tout optique. | |
BAlGaN-based vertical cavity surface-emitting lasers operating in deep UV region. | |
Combinaison de faisceaux mutuellement incohérents par amplification paramétrique optique | |
Conception et mise en oeuvre d'un capteur électro-optique en vue de la mesure de grandeurs diverses : (température, champ électrique, etc.) | |
Conception et réalisation de capteurs de gaz antipollution à base de Nitrure de Gallium pour application automobile | |
Design and implementation of an electro-optic sensor for various physical parameters measurements : (temperature, electric field, etc.). | |
Design, realization and electrical characterization of « Solar-blind » ultraviolet photodetectors based on new alloys BAlGaN. | |
Détecteurs de neutrons à base de nitrure de bore et ses alliages | |
Diodes électroluminescentes à nanofils nitrures. | |
Drift in Mach-Zehnder electro-optic modular : physical analysis and solution. | |
Electrical and structural properties of the new III-N alloys for optoelectronics devices. | |
Epitaxy of GaN on graphene substrate. | |
Etude de cavités optiques formées de miroirs de Bragg à réseaux à pas variable : application aux filtres et lasers. | |
Étude de deux nouvelle approches pour la réalisation de cellule solaire à base d'InGaN | |
Etude de la fiabilité de modules à base de LEDs blanches pour applications automobile | |
Etude des propriétés structurales et électroniques de nouveaux matériaux à base d'alliages III-N pour l'optoélectronique | |
Étude et caractérisations par cathodoluminescence de couches minces d'InGaN pour le photovoltaïque | |
Fils Core-shell InGaN | |
GaN based materials nano-hetero-structures selective area growth study by metalorganic vapor phase epitaxy. | |
HVPE growth and optical spectroscopy of GaN microwires and InxGa1-xN nanowires for LED application. | |
Investigation of new approaches for the realization of InGaN based solar cells. | |
Lasers à cavité vertical émettant par la surface dans l'ultraviolet profond à base des matériaux BAlGaN | |
Méthodologie d'analyse de défaillance pour l'évaluation de la fiabilité de diodes électroluminescentes GaN | |
Neutron detectors based on boron nitride and its alloys. | |
Nitride nanowire light-emitting diode | |
Optimization, fabrication and characterization of a gas sensor based HEMTs AlGaN/GaN heterostructure for automotive applications. | |
Photorefractive self-focusing of Airy beams : nonlinear interactions and all-optical waveguiding | |
Photovoltaïque à concentration : optimisation de l'étage secondaire | |
Proceedings of the 8th european conference on applications of polar dielectrics : ECAPD-8 : Metz, France, September 5-8, 2006 | |
Réalisation et caractérisation électro-optique de photodétecteurs infrarouges à superréseaux InAs/GaSb | |
Reliability investigation of high power white LEDs multichip modules for automotive applications. | |
Study of defects in B (AlGa) N wide bandgap semiconductors alloys and their role in the transport properties : application to UV photodetectors. | |
Study of optical cavities formed by chirped bragg mirrors : Application of filters and lasers. | |
Tunnel junctions in nitride heterostructures for optoelectronic applications. |