Dambrine, Gilles
Gilles Dambrine researcher
VIAF ID: 204719651 ( Personal )
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- 100 1 _ ‡a Dambrine, Gilles
- 100 0 _ ‡a Gilles Dambrine ‡c researcher
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Works
Title | Sources |
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Analyse du comportement petit signal du transistor MOS contribution à une nouvelle approche d'extraction et de modélisation pour des applications RF | |
Caractérisation des transistors à effet de champ : mesure précise de la matrice de répartition et détermination directe du schéma équivalent | |
Caractérisation et analyse du couplage substrat entre le TSV et les transistors MOS dans les circuits intégrés 3D. | |
Caractérisation hyperfréquence sous pointes de nano-dispositifs : métrologie et instrumentation | |
Characterisation and modelling of CMOS and BiCMOS technologies up to 220 GHz. | |
Characterisation of active devices and components at low temperature ir Ka And Q band : Applied to metamorphic HEMTs. | |
Characterization’s methodology of the high frequency 4 noise parameters of advanced CMOS and HBT in millimeter wave band 60-110 GHz : development of a variable in-situ impedance system. | |
Contribution à la caractérisation hyperfréquence de composants MOSFET en vue de la conception de fonctions intégrées pour des applications en gamme millimétrique | |
Contribution to the development of a new non linear characterization platform for radar power amplifier. | |
Contribution to the microwave characterization of MOSFETs for the design of MMIC applications in the millimeter wave range. | |
Développement de bancs de mesures et de modèles de bruit de HEMT pour la conception de circuits "faible bruit" en gamme d'ondes millimétriques | |
Développement d'un outil de caractérisation millimétrique de bruit dans la bande de fréquence 110 – 320 GigaHertz | |
Développement et étude de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/Si/Ge : C pour les technologies BiCMOS millimétriques | |
Electro-thermal characterization, TCAD simulations and compact modeling of advanced SiGe HBTs at device and circuit level | |
Évaluation de technologies organiques faibles pertes et d'impression plastique 3D afin de contribuer au développement de solutions antennaires innovantes dans la bande 60 GHz – 140GHz. | |
Evaluation of high resistivity SOI technologies for RF applications up to millimeter wave. | |
Feasibility study of millimeter wave circuits for communication systems, using BiCMOS SiGeC 0,13 µm technology. | |
Flexible monolithic ultra-portable ground penetrating radar using inkjet printing technology | |
High frequency and noise properties of bulk and SOI MOSFETs down to the 65 mn technology node. | |
Intégration, caractérisation et modélisation des TSV pour les empilements 3D de puces | |
Intégration d'un géoradar ultra-portable en technologie à impression d'encre sur substrat souple. | |
Large signal modeling of MOSFET's in high frequencies : application in the linearity analysis of the SOI technologies. | |
Micro wave characterization of fxield effect transistors: accurate measurement of scattering parameters, and direct determination of small signal equivalent circuit. | |
Modélisation grand signal de MOSFET en hyperfréquences : application à l'étude des non linéarités des filières SOI | |
Monolithic integrated circuits in coplanar technology for applications of reception up to 110 GHZ. | |
On-wafer microwave characterization of nano-devices : metrology and instrumentation. | |
Parasitic effects characterization in GaN HEMTs : development of 3ω measurement bench. | |
Propriétés hyperfréquences et de bruit de MOSFETs sur substrat massif et SOI jusqu'au noeud technologique 65 nm | |
Radio-Frequency Reliability Characterization and modeling of MOS transistor. | |
Study and development of InP/GaAsSb heterojonctions bipolar transistors transferred on silicon in order to enhance thermal dissipation. | |
Wideband integrated Doherty amplification circuit for cellular radio power applications. |