Girardeaux, Christophe, 1967-...
VIAF ID: 203921722 ( Personal )
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Works
Title | Sources |
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Dopant diffusion in microelectronics devices : arsenic and phosphorus codiffusion in silicon, one-dimensional and two-dimensional studies. | |
Etude de réalisation de scellement des MEMS par l'alliage eutectique Al-Ge | |
In situ study of ultra-thin magnesium oxide growth on metallic and semiconductor substrates. | |
Investigation of diffusion and solid state reactions on the nanoscale in silicon based systems of high industrial potential : experiments and simulations | |
Mécanismes et conséquences de la ségrégation du bore aux joints de grains austénitiques dans les aciers à très haute résistance. | |
Mechanisms and consequences of boron segregation at austenite grain boundaries in advanced high strength steels | |
Mise en oeuvre de procédés innovants pour l'optimisation de contacts TiSi pour les technologies imageurs avancées | |
Physico-chemistry of zirconia to titanium brazing using pure gold : wetting and interfacial reactivity. | |
Physico-chimie du brasage zircone / titane par l'or pur : mouillage et réactivité interfaciale | |
Selicides formation by state solid reaction between an ultrathin silicon films and a metallic substrates (Si/Cu(001), Si/Ni(111)) - Kinetic and structural study. | |
Study of reactive diffusion between Mn and Ge at the nanoscale for spintronic applications. | |
study of the bonding of MEMS by Al-Ge eutectic alloy. | |
Study of the mechanisms of silicide formation by isotope diffusion and atom probe tomography | |
Titanium/polyimide interface. Experimental and theoretical study. | |
Transport atomique aux échelles nanométriques : rôle de la chimie des surfaces et interfaces : Mémoire présenté pour obtenir une habilitation à diriger des recherche |