Patriarche, Gilles, 19..-....
Patriarche, Gilles
Gilles Patriarche
VIAF ID: 202103759 ( Personal )
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Works
Title | Sources |
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Caractérisation des ions d'oxygène dans les mémoires résistives soumises à polarisation électrique par techniques de TEM avancées | |
Characterization of oxygen ions in biased resistive memory by advanced TEM. | |
Characterization of polycrystalline heterostructures by transmission electron microscopy: application to Cu(In,Ga)Se2 based solar cells. | |
Colloidal semiconductor nanocrystals for optoelectronic devices : synthesis and stability under thermal and optical stress. | |
Croissance de boîtes quantiques In(Ga)As sur substrats de silicium et de SOI pour la réalisation d'émetteurs de lumière | |
Croissance de NFs d'InP sur silicium par épitaxie par jets moléculaires en mode VLS | |
Development of dense fluorescent beads and study of their stability in biological media. | |
Développement de capsules fluorescentes et étude de leur stabilité dans les milieux biologiques | |
Développement de procédés de gravure plasma sans dommages pour l'intégration de l'InGaAs comme canal tridimensionnel de transistor nMOS non-planaire | |
Développement d'une stratégie de synthèse de catalyseurs métalliques pour la croissance sélective de nanotubes de carbone | |
Développement et caractérisation de contacts sur alliages GeSn. | |
Direct bonding study with dielectric bonding layers. | |
Electron spectromicroscopy : from organic-inorganic drug nanocarriers to biological systems | |
Épitaxie de GaSb sur substrat Si(001)“on-axis”pour l'optoélectronique intégrée | |
Epitaxy and crystalline defects in ii-vi semiconductor heterostructures grown on gaas. | |
Étude de la structure et des propriétés optiques de couches minces d'oxydes d'étain dopés avec des terres rares (Ce, Tb, Yb) | |
Etude de plasticité des semi-conducteurs III-V sous chargement localisé : du massif au film mince | |
Etude des collages directs hydrophiles mettant en jeu des couches diélectriques | |
Etude des propriétés structurales et des défauts dans le système CdxHg1-xTe | |
Etude par les techniques avancées de microscopie électronique en transmission de matériaux fragiles | |
From Silicon to Germanium Nanowires : growth processes and solar cell structures | |
GaN microwires with GaN/AlGaN core-shell heterostructures : from growth to single wire UV devices. | |
Growth of semiconductor ( core) / functional oxide ( shell) nanowires : application to photoelectrochemical water splitting | |
Hétérostructures allotropiques de semiconducteurs IV dans des nanofils : nouvelles opportunités more-than-Moore | |
Intégration des matériaux III-V antimoniures sur substrat de silicium | |
Investigation of Al thermal diffusion in SixGe1-x alloy nanowires using in-situ transmission electron microscopy. | |
Investigation of p-type doping in GaN nanostructures by correlation between atom probe tomography and off-axis electron holography. | |
Investigations structurales haute-résolution de photodiodes infrarouges de nouvelle génération | |
Long-range ordering on gallium arsenide substrates of III-V self-assembled semiconductor nanostructures by means of a shallow buried dislocation network. | |
Matériaux II-VI pour détection IRR. Relation entre les défauts dans les cristaux CdZnTe et leurs conditions de croissance | |
Mesure de composition par imageries à résolution atomique appliquée aux super-réseaux GeTe/Sb2Te3 | |
Micro- et nanofils de Ga (In)N et GaAs par épitaxie en phase vapeur par la méthode aux hydrures (HVPE) | |
Microfils GaN à hétérostructures GaN/AlGaN coeurs-coquilles : de la croissance aux dispositifs UV à fil unique | |
Microscopie électronique analytique : des nanovecteurs thérapeutiques organiques-inorganiques aux systèmes biologiques. | |
Nanocristaux semi-conducteurs colloïdaux pour dispositifs opto-électroniques : synthèse et stabilité sous contraintes thermiques et optiques | |
Nanofils à hétérostructures axiales GaAs/InAs pour applications photoniques sur Si | |
Organisation à longue distance par un réseau de dislocations faiblement enterré de nanostructures de semiconducteurs III-V auto-assemblées sur substrat de GaAs | |
Plasticity of III-V semiconductors under concentrated load : from bulk to self-standing film. | |
Processus de croissance de nanofils de Si et Ge : application a des cellules solaires. | |
Propriétés physico-chimiques des défauts dans les alliages II-VI pour la détection infrarouge | |
Relaxed InGaN pseudosubstrate for long wavelengths emission. | |
Selective area growth of GaN pseudo-substrates on silicon for optoelectronic applications. | |
Soft-chemitry syntheses of rare-earth doped fluoride materials for optical applications. | |
Spectroscopie quantitative à l'échelle atomique appliquée aux dispositifs photoniques | |
Structural analyses by advanced X-ray scattering on GaP layers epitaxially grown on silicon for integrated photonic applications | |
Structural and optical properties of tin oxide tin films doped with rare earths (Ce, Tb, Yb). | |
Structural caracterization of GaSb and GaP based heterostructures grown on Si (001). | |
Study of diffusion mechanisms in HgCdTe alloys for infrared detection. | |
Study of mechanical properties of CdZnTe and HgCdTe materials and effects of plastic deformations on electrical performances of infrared photodiodes. | |
Study of the growth of InAs/InP(001) quantum dots by metalorganic vapor phase epitaxy for 1.55 2 μm applications. | |
Study of the incorporation of Bismuth into antimonide-based materials grown by molecular beam epitaxy. | |
Study of the structural properties and defects in CdxHg1-xTe / Cd1-yZnyTe system and investigation of technological improvements for Infrared detection at high temperature | |
Synthèses par chimie douce de fluorures dopés terre rares pour applications optiques | |
Ternary II-VI materials for cooled infrared detectors : relationship between defects and CdZnTe growth conditions. | |
Transmission electron microscopy study of low-temperature silicon epitaxy by plasma enhanced chemical vapor deposition |