Sommet, Raphaël
VIAF ID: 198793674 ( Personal )
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- 100 1 _ ‡a Sommet, Raphaël
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Works
Title | Sources |
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Conception, modélisation et caractérisation de cellules de puissance innovantes en technologie MMIC pour des applications spatiales | |
Contribution à la modélisation non-linéaire de transistors de puissance HEMT pseudomorphiques sur substrat AsGa analyse des effets parasites | |
Contribution to the modeling of non-linear power devices in pseudomorphic HEMT technologies on GaAs substrate : analysis of the dispersive effects. | |
Design, Modeling and Characterization of MMIC new power cells for Space-Borne Applications. | |
Développement d'un banc de mesure par thermoreflectance pour les composants de puissance | |
Dual approach including TCAD modelling and advanced electrical characterization to determine localization and traps signature of GaN HEMTs. on SiC substrate. | |
Electrothermal behavioral modeling of microwave power amplier for narrow band radar applications. | |
Evaluation of thermo-mechanical stresses of packaging plastics in a space environment. | |
Implementation of harmonic balance reduce model order equation | |
Integration d'un modele physique de transistor bipolaire a heterojonction dans l'environnement de la C.A.O. non lineaire des circuits monolithiques microondes | |
Modélisation électrothermique comportementale d'amplicateurs de puissance microondes pour les applications Radars à bande étroite | |
Optimisation des potentialités d’un transistor LDMOS pour l’intégration d’amplificateur de puissance RF sur silicium | |
Parasitic effects characterization in GaN HEMTs : development of 3ω measurement bench. | |
Physics-based TCAD device simulations and measurements of GaN HEMT technology for RF power amplifier applications | |
Physics phenomenon analysis in p-i-n diodes : contribution to electrothermal modeling for RF and high frequencies power applications. | |
Potentialités des transistors HEMTs AlGaN-GaN pour l’amplification large bande de fréquence : Effets limitatifs et modélisation | |
SCILAB platform for circuits/components global simulation. | |
Simulations physiques et mesures du composant de technologie GaN HEMT pour les applications d'amplificateur de puissance RF. | |
Study and optimization of LDMOS device in BiCMOS technology for radio frequency power amplifiers. | |
Techniques de réduction d’ordre des modèles pour la mise en œuvre de la méthode de l'équilibrage harmonique. | |
Wide band amplifier based on AlGaN-GaN HEMTs : Analysis and modelling of thermal and parasitic effects abstract. |